专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

CN108885978B 主动冷却的真空隔离阀有权
公开(公告)号：CN108885978B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201780020275.3
申请日：2017-04-10
申请人： MKS 仪器公司
发明人：戈登·希尔 , 大卫·F·布罗耶尔 , 大卫·C·诺伊迈斯特 , 布拉德利·雷蒙德·勒费夫尔
IPC分类号： H01L21/205 , F16K5/10 , H01L21/67
摘要：一种冷却隔离阀，包括阀体、联接至阀体的固定元件以及可相对于固定元件在闭合位置与打开位置之间移动的可移动闭合元件，在该闭合位置，可移动闭合元件和固定元件结合在一起。可移动闭合元件和固定元件之一包括密封元件。在可移动闭合元件的闭合位置，密封元件在可移动闭合元件与固定元件之间提供密封。流体通道形成为与可移动闭合元件接触并且可相对于固定元件随可移动闭合元件移动，使得流体通道中的流体在可移动闭合元件中实现热传递。一种隔离阀的波纹管可以包括带有陶瓷涂层的金属基材。

2. 发明授权

CN107207244B 应力消除MEMS结构和封装有权
公开(公告)号：CN107207244B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201680009186.4
申请日：2016-01-15
申请人： MKS仪器公司
发明人：顾磊 , S·F·巴特
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00
摘要：公开了可以应用于需要气密密封的MEMS传感器并且可以简单地制造的应力消除结构和方法。所述系统包括具有第一表面和第二表面的传感器，所述第二表面远离所述第一表面布置，所述第二表面还远离封装表面布置并且位于所述第一表面和所述封装表面之间，多个支撑构件，每个支撑构件从所述第二表面延伸到所述封装表面，所述支撑构件布置在所述第二表面的仅一部分上并且操作性地连接到所述部分。所述支撑构件配置成减小由封装‑传感器相互作用产生的应力。

3. 发明授权

CN104779132B 静电离子陷阱有权
公开(公告)号：CN104779132B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510194511.6
申请日：2010-05-05
申请人： MKS仪器公司
发明人：葛拉多·A·布鲁克尔 , 肯尼斯·D·凡 , 安特卫普 , G·杰佛瑞·拉司邦 , 史考特·C·海恩布希 , 麦可·N·肖特 , 巴巴拉·简·欣奇 , 列克谢·V·艾马柯夫
IPC分类号： H01J49/42 , H01J49/26
CPC分类号： H01J49/4245 , H01J49/0063 , H01J49/429
摘要：一种离子陷阱包含电极结构，其包含第一和第二相反镜面电极和其间的中心透镜，所述电极结构产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位，所述限制电位为非谐的。所述离子陷阱还包含具有激励频率f的AC激励源，其在所述离子的所述自然振荡频率的约两倍的频率下激励被限制的离子，所述AC激励频率源优选地连接到所述中心透镜。在一个实施例中，所述离子陷阱包含扫描控件，其质量选择性地减小所述AC激励频率与所述离子的所述自然振荡频率的约两倍之间的频率差。

4. 发明公开

CN104380099A ARTMS阱中的痕量气体浓度有权
公开(公告)号：CN104380099A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380024283.7
申请日：2013-03-13
申请人： MKS仪器公司
发明人： G·A·布鲁克尔 , T·C·斯文尼 , G·J·拉斯邦
IPC分类号： G01N27/64
CPC分类号： G01N27/64 , G01N1/405 , G01N27/60 , H01J49/06 , H01J49/162 , H01J49/4245
摘要：本发明提供了一种检测离子阱中特定气体种类的方法，所述特定气体种类最初为一定量的气体中第一低浓度的痕量组分，所述方法包括离子化包含所述特定气体种类的气体从而产生特定离子种类。所述方法还包括产生将所述特定离子种类限制于离子阱中的轨道的静电势。所述方法还包括用具有激发频率的AC激发源激发受限的特定离子种类、扫描AC激发源的激发频率以从所述离子阱中逐出所述特定离子种类、和检测所逐出的特定离子种类。所述方法还包括在扫描逐出所述特定气体种类的离子的激发频率之前，相对于所述第一低浓度增大所述离子阱内所述特定离子种类的浓度。

5. 发明公开

CN104362069A 静电离子阱失效
公开(公告)号：CN104362069A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410469113.6
申请日：2007-11-13
申请人： MKS仪器公司
发明人：艾勒赛·维多罗维奇·艾玛寇夫 , 芭芭拉·珍·辛区
IPC分类号： H01J49/00 , H01J49/02 , H01J49/42
CPC分类号： H01J49/4245 , H01J49/00 , H01J49/02 , H01J49/26 , H01J49/42 , H01J49/4225
摘要：静电离子阱限制不和谐电位井内不同质量对电荷比值及动能的离子。该离子阱也有小振幅AC(alternating current，交流电)驱动器，其以激发受限离子。由于该AC驱动频率及该些离子的自然振荡频率之间的自动共振，该隶属于限制离子振荡幅度的质量随着该增加的能量而增加，直到该些离子的振荡幅度超过该阱的实体尺寸，或该些离子分裂或经历任何其它物理或化学变化为止。

6. 发明授权

CN102812342B 电容式压力传感器有权
公开(公告)号：CN102812342B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180015936.6
申请日：2011-02-01
申请人： MKS仪器公司
发明人： S·D·布兰肯希普
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0072 , G01L9/0042
摘要：一种改进的电容式压力计，所述压力计包括：隔膜，其包括（a）公共电极以及（b）具有中心电极和环形电极的电极结构，其中，所述隔膜在（i）当隔膜每侧上压力相同时的零位置以及（ii）当向隔膜施加最大可测量压力差的最大压力差位置之间可移动，以及支撑结构，设置其以支撑所述隔膜，从而所述隔膜相对于电极结构而受限，并且所述公共电极相对于所述压力计的对准轴而与所述中心和环形电极间隔开并轴向对齐；其中，所述电极结构相对于所述隔膜而固定在围绕对准轴呈角度间隔的三个夹紧位置；以及其中，限定在包含限制隔膜的点和每个夹紧位置点的每个正确平面内相对于处于零位置处的隔膜平面的角度在60°和90°之间，以使得减少电极盘支撑高度的改变，允许在隔膜和电极结构之间具有较小的间隙和提高的稳定性。通过包括具有多个突出部的间隔环以及设置成在每个突出部的位置将所述电极结构夹紧至所述间隔环的夹具，以便限定围绕对准轴的多个等角度间隔的夹紧位置，从而消除偶然间隔器引起的径向剪切力以及可能影响可重复性和稳定性的随后可能粘滞滑动情况的可能性。

7. 发明授权

CN101978245B 具有多个入口的高精度质量流量检验器有权
公开(公告)号：CN101978245B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980109388.6
申请日：2009-01-21
申请人： MKS仪器公司
发明人：丁军华 , K·扎尔卡
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F25/0038 , G01F22/02 , G01F25/0053
摘要：公开了一种用于检验由流体输送设备进行的流量测量的高精度质量流量检验器(HAMFV)，其提供在具有低入口压强的宽流量检验范围上的高测量精度。HAMFV包括界定具有上游阀的数量为N的入口的腔室、具有下游阀的出口、构造成分别测量腔室内的流体的压强和温度的压强传感器以及温度传感器。数量为N的临界流量喷嘴放置在相应上游阀附近。HAMFV进一步包括控制器，该控制器构造成根据期望的流量检验范围和流体类型，通过打开相应的上游阀并关闭其它所有的上游阀来启动数量为N的临界流量喷嘴中的一个。数量为N的临界流量喷嘴中的至少两个具有不同的截面面积。

8. 发明授权

CN101702940B 包括利用多反对称最优控制装置的流量比率控制器的气体输送方法和系统有权
公开(公告)号：CN101702940B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200880005596.7
申请日：2008-01-11
申请人： MKS仪器公司
发明人：丁军华 , K·H·扎尔卡
IPC分类号： G05D11/13
CPC分类号： G05D11/132 , Y10T137/0363 , Y10T137/7761 , Y10T137/87314 , Y10T137/87772
摘要：披露了一种用于气体供应系统的多反对称最优(MAO)控制算法，该气体供应系统包括用于将单个质量流量分到多个流动管线中的流量比率控制器。在MAO控制算法中，为每个流动管线装备流量传感器和阀，由SISO反馈控制器结合线性饱和器主动控制阀，以实现目标流量比率设置点。为了实现最优控制性能，这些SISO控制器和线性饱和器是基本相同的。据证实，每个阀控制命令都与所有其他阀控制命令成多反对称。因此，MAO控制算法确保在任何时刻都至少有一个阀处于可容许最大开放位置，在针对流量比率设置点的给定集的最大总阀流导方面实现最优解。

9. 发明授权

CN101253283B 用于脉冲沉积监测和控制的传感器失效
公开(公告)号：CN101253283B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200680031477.X
申请日：2006-06-28
申请人： MKS仪器公司
发明人： M·斯帕策
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： G01N21/3504 , C23C16/45523 , C23C16/52
摘要：用传感器监测通过脉冲气体传输装置进行的气体传输。传感器可以包括在包括待传输气体的吸收频率的光谱范围内产生辐射的源。光辐射通过容纳有被传输气体的容器来传输。通过容器中气体的光辐射传输之后检测器确定由源到达检测器的辐射的强度。控制器通过所检测的强度来确定容器中气体的光辐射吸收量，从而测量由气体传输装置传输的气体的精确的量。控制器还通过将被传输的气体的量适当地调节至预定量而实时地监控制台气体的传输。传感器和控制器还可以监测气体传输装置的故障或超出故障行为。

10. 发明公开

CN102483344A 上游体积质量流量检验系统和方法有权
公开(公告)号：CN102483344A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080033129.2
申请日：2010-07-15
申请人： MKS仪器公司
发明人：丁军华 , K·扎尔卡
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F1/80 , G01F5/00 , G01F25/00 , G01F25/0038 , G01F25/0053
摘要：本公开涉及用于测量和检验通过诸如质量流量控制器的质量流量传输/测量装置的质量流量的质量流量检验系统和方法。质量流量检验系统包括预设体积、温度传感器和压力传感器。由质量流量检验系统确定的测量的经检验的流量可调整成补偿由质量流量测量装置内的死体积导致的误差。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式