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1. 发明申请

WO2008009715A9 PROCEDE DE DEPOT DE REVETEMENTS CERAMIQUES NON OXYDES 审中-公开
公开(公告)号：WO2008009715A9
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/EP2007/057463
申请日：2007-07-19
申请人： INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE (I.N.P.T) , MAURY, Francis , DOUARD, Aurélia
发明人： MAURY, Francis , DOUARD, Aurélia
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/448
摘要： L'invention a pour objet un procédé de dépôt d'un revêtement de type céramique non oxyde à base de carbures, nitrures ou carbonitrures de chrome par DLI-CVD réalisée à basse température et pression atmosphérique sur un substrat métallique comprenant essentiellement les étapes consistant à : a) se munir d'une solution contenant un composé moléculaire précurseur du métal à déposer appartenant à la famille des bis (arène) et dont la température de décomposition est comprise entre 300 -C et 550 -C, ledit composé étant dissous dans un solvant dépourvu d'atome d'oxygène, b) introduire ladite solution de précurseur sous forme d'aérosol dans un évaporateur (3) chauffé à une température comprise entre la température d' ébullition du solvant et la température de décomposition du précurseur, c) entra*ner le précurseur et le solvant vaporisés par un flux de gaz neutre de l ' évaporateur (3) vers un réacteur CVD (10) à parois froides comprenant un suscepteur (13) supportant le substrat à recouvrir, chauffé à une température supérieure à la température de décomposition du précurseur et d'au plus 550 -C, l ' évaporateur (3) et le réacteur CVD (10) étant soumis à la pression atmosphérique.

2. 发明申请

WO2011151561A1 Procédé de diffusion de particules métalliques au sein d'une couche composite 审中-公开
标题翻译：用于在复合层中分散金属颗粒的方法
公开(公告)号：WO2011151561A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/FR2011/051145
申请日：2011-05-19
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , BEDEL, Laurent , CAYRON, Cyril , JOUVE, Michel , MAURY, Francis , QUESNEL, Etienne
发明人： BEDEL, Laurent , CAYRON, Cyril , JOUVE, Michel , MAURY, Francis , QUESNEL, Etienne
IPC分类号： C23C30/00 , C23C28/00 , C23C16/56 , C23C16/40 , C23C14/58 , C23C14/18
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/185 , C23C14/5826 , C23C16/401 , C23C16/56 , C23C28/027 , C23C28/028 , C23C30/00
摘要： L'invention vise un procédé de diffusion de particules métalliques comprises dans une couche composite préalablement déposée sur un substrat, ladite couche composite comprenant en outre au moins une matrice diélectrique. Selon ce procédé, la diffusion desdites particules métalliques vers ledit substrat est réalisée à l'aide d'un traitement plasma.
摘要翻译：本发明涉及一种用于扩散包含在复合层中的金属颗粒的方法，所述复合层预先沉积在衬底上，所述复合层还包括至少一个电介质矩阵。根据所述方法，通过等离子体处理来进行所述金属颗粒向所述衬底的扩散。

3. 发明申请

WO2011033208A1 PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE D'UN FILM POLYMÈRE SUR UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：聚合物薄膜化学蒸气沉积在基材上的方法和装置
公开(公告)号：WO2011033208A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/FR2010/051849
申请日：2010-09-06
申请人： ESSILOR INTERNATIONAL (Compagnie Générale d'Optique) , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , BIVER, Claudine , MAURY, Francis , SANTUCCI, Virginie , SENOCQ, François , VINSONNEAU, Sylvie
发明人： BIVER, Claudine , MAURY, Francis , SANTUCCI, Virginie , SENOCQ, François , VINSONNEAU, Sylvie
IPC分类号： B05D3/00 , B05D3/06 , B05D7/24 , C23C16/00 , C23C16/452
CPC分类号： B05D3/002 , B05D1/60 , B05D3/06 , B05D3/062 , B05D2203/30 , B05D2203/35
摘要： L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse d'un film polymère sur un substrat (6), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte les deux étapes successives distinctes suivantes : une étape d'activation photonique de la phase gazeuse dans laquelle une énergie d'activation photonique (42, 43) est fournie à au moins un précurseur de polymère gazeux présent dans une composition principalement gazeuse; et une étape de dépôt en phase gazeuse dans laquelle on dépose le précurseur de polymère gazeux activé, issu de l'étape d'activation photonique, sur un substrat (6) de façon à former un film polymère sur le substrat, la pression totale de la phase gazeuse étant comprise dans une fourchette de 10 2 à 10 5 Pa. L'invention concerne aussi un dispositif (1) de mise en œuvre d'un tel procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将聚合物膜化学气相沉积到衬底（6）上的方法，所述方法的特征在于其包括以下两个独立的连续步骤： - 用于光子激活气相的步骤，其中光子激活能（42,43）被提供给存在于主要气体组合物中的至少一种气态聚合物前体，和 - 化学气相沉积步骤，其中来自光子活化步骤的活化气态聚合物前体沉积在基底（6），以在基板上形成聚合物膜，总气相压力为102〜105Pa，本发明还涉及使用这种方法的装置（1）。

4. 发明申请

WO2008009714A1 PROCEDE DE DEPOT DE REVETEMENTS METALLIQUES DURS 审中-公开
标题翻译：沉积硬金属涂层的方法
公开(公告)号：WO2008009714A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/EP2007/057459
申请日：2007-07-19
申请人： INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE (I.N.P.T) , MAURY, Francis , DOUARD, Aurélia
发明人： MAURY, Francis , DOUARD, Aurélia
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/18
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/4486
摘要： L'invention a pour objet un procédé de dépôt d'un revêtement dur de chrome métallique ou d'un autre métal dont les propriétés chimiques sont voisines de celles du chrome, par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat métallique, lequel procédé comprend essentiellement les étapes consistant à : a) se munir d'une solution contenant, dans un solvant dépourvu d'atome d'oxygène, i) un composé moléculaire de la famille des bis(arènes) précurseur du métal à déposer dont la température de décomposition est comprise entre 300°C et 550°C et ii) un additif chloré, b) introduire ladite solution sous forme d'aérosol dans un évaporateur chauffé à une température comprise entre la température d'ébullition du solvant et la température de décomposition du précurseur, c) entraîner l'aérosol vaporisé par un flux de gaz neutre de l'évaporateur vers un réacteur de CVD comprenant un suscepteur supportant le substrat à recouvrir, chauffé à une température supérieure à la température de décomposition du précurseur et d'au plus 550°C, l'évaporateur et le réacteur de CVD étant soumis à la pression atmosphérique. Ce procédé de dépôt par la technique de DLI-CVD réalisée à basse température et pression atmosphérique, permet d'envisager le traitement au défilé en conditions industrielles des plaques métalliques de grande taille en acier ou alliage, pour obtenir des revêtements métalliques durs, monocouches ou multicouches nanostructurées. Un autre objet de la présente invention est une solution injectable convenant tout particulièrement à la mise en oeuvre dudit procédé.
摘要翻译：本发明涉及通过化学气相沉积在金属基底上沉积具有与铬相似的化学性质的另一金属的硬金属铬涂层或硬涂层的方法，所述方法基本上包括以下步骤：a）制备溶液，其含有在氧原子贫的溶剂中，i）作为待沉积金属的前体的双（芳烃）族的分子化合物，其分解温度在300℃至 550℃，和ii）氯化添加剂; b）将所述溶液以溶剂的沸腾温度和前体的分解温度之间的温度以气溶胶的形式引入加热的蒸发器中; 和c）蒸发的气溶胶由从蒸发器朝向CVD反应器的中性气流驱动，所述CVD反应器包括承载待覆盖和加热到高于前体分解温度的温度的基座，但是最高温度为550° C，蒸发器和CVD反应器经受大气压力。在低温和大气压下进行的DLI-CVD方法能够在大尺寸钢或合金金属板的工业条件下进行连续处理，以获得硬的，单层的或纳米结构的多层金属涂层。本发明还涉及特别适用于实施所述方法的可注射溶液。

5. 发明申请

WO2008009715A1 METHOD FOR DEPOSITING NON-OXIDE CERAMIC COATINGS 审中-公开
标题翻译：沉积非氧化物陶瓷涂料的方法
公开(公告)号：WO2008009715A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/EP2007057463
申请日：2007-07-19
申请人： TOULOUSE INST NAT POLYTECH , MAURY FRANCIS , DOUARD AURELIA
发明人： MAURY FRANCIS , DOUARD AURELIA
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/4486
摘要： The invention relates to a method for depositing a non-oxide ceramic-type coating based on chrome carbides, nitrides or carbonitrides, by means of DLI-CVD carried out at a low temperature and atmospheric pressure on a metallic substrate, said method essentially comprising the following steps: a) a solution is prepared, containing a molecular compound which is a precursor of the metal to be deposited, belongs to the bis(arene) family, and has a decomposition temperature of between 300°C and 550°C, said compound being dissolved in a solvent which is depleted of oxygen atoms; b) said solution is introduced in the form of an aerosol into a heated evaporator (3) at a temperature between the boiling temperature of the solvent and the decomposition temperature of the precursor; and c) the precursor and the vapourised solvent are driven by a neutral gas flow from the evaporator (3) towards a CVD reactor (10) having cold walls and comprising a susceptor (13) carrying the substrate to be covered and heated to a temperature higher than the decomposition temperature of the precursor but to a maximum temperature of 550°C, the evaporator (3) and the CVD reactor (10) being subjected to the atmospheric pressure.
摘要翻译：本发明涉及一种通过在低温和大气压下在金属基底上进行的DLI-CVD沉积基于铬碳化物，氮化物或碳氮化物的非氧化物陶瓷型涂层的方法，所述方法基本上包括以下步骤：a）制备含有作为待沉积金属的前体的分子化合物的溶液，属于双（芳烃）族，分解温度在300℃至550℃之间，所述化合物溶解在贫氧的溶剂中; b）将所述溶液以溶剂的沸腾温度和前体的分解温度之间的温度以气溶胶的形式引入加热的蒸发器（3）中; 和c）所述前体和所述汽化溶剂通过从所述蒸发器（3）朝向具有冷壁的CVD反应器（10）的中性气流驱动，并且包括承载待覆盖和加热到所述基底的温度的基座（13）高于前体的分解温度，但是最高温度为550℃，则蒸发器（3）和CVD反应器（10）经受大气压。

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