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2. 发明申请

WO2006121563A2 METHOD AND SYSTEM FOR LINE-DIMENSION CONTROL OF AN ETCH PROCESS 审中-公开
标题翻译：用于线性尺寸控制的方法和系统
公开(公告)号：WO2006121563A2
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：PCT/US2006013562
申请日：2006-04-12
申请人： IBM , RANADE RAJIV M , MAGTOTO TERESITA Q , BEHM GARY W
发明人： RANADE RAJIV M , MAGTOTO TERESITA Q , BEHM GARY W
IPC分类号： G01L21/30 , C23F1/00
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32935
摘要： A method and system for controlling a dimension of an etched feature (150). The method includes: measuring a mask feature (145) formed on a top surface of a layer (110) on a substrate (100) to obtain a mask feature dimension value; and calculating (265) a mask trim plasma etch time based on the mask feature dimension value, a mask feature dimension target value (255), a total of selected radio frequency power-on times of a plasma etch tool (180) since an event occurring to a chamber or chambers of a plasma etch tool for plasma etching the layer, and an etch bias target for a layer feature to be formed from the layer where the layer is not protected by the mask feature during a plasma etch (275) of the layer.
摘要翻译：一种用于控制蚀刻特征（150）的尺寸的方法和系统。该方法包括：测量形成在衬底（100）上的层（110）的顶表面上的掩模特征（145）以获得掩模特征尺寸值; 以及基于掩模特征尺寸值计算（265）掩模修剪等离子体蚀刻时间，掩模特征尺寸目标值（255），自事件以来的等离子体蚀刻工具（180）的所选射频加电时间的总和发生在用于等离子体蚀刻该层的等离子体蚀刻工具的室或腔室中，以及用于在层的等离子体蚀刻（275）期间由层不被掩模特征保护的层形成的层特征的蚀刻偏置目标层。

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