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1. 发明专利

TWI293510B 場板MESFET FIELD-PLATE MESFET 有权
简体标题：场板MESFET FIELD-PLATE MESFET
公开(公告)号：TWI293510B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW092109281
申请日：2003-04-22
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：丹葛地斯米勒 DAIN CURTIS MILLER , 盈德吉特伯爾 INDER JIT BAHL , 愛德華勞倫斯葛芬 EDWARD LAWRENCE GRIFFEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/402 , H01L27/0605 , H01L29/812
摘要：一種場板MESFET，包括複數個FET元件。每一個FET元件包括摻雜平面通道及耦合於前述通道各端之源極與汲極。閘極導體延伸至位於前述源極與汲極間位置處之前述通道的一部分上方，與前述汲極保持第一預定距離。場板與前述閘極導體相連且朝前述汲極延伸第二預定距離，除與閘極導體連結外，前述場板藉由介電材料與前述通道絕緣。
简体摘要：一种场板MESFET，包括复数个FET组件。每一个FET组件包括掺杂平面信道及耦合于前述信道各端之源极与汲极。闸极导体延伸至位于前述源极与汲极间位置处之前述信道的一部分上方，与前述汲极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述汲极延伸第二预定距离，除与闸极导体链接外，前述场板借由介电材料与前述信道绝缘。

2. 发明专利

TW200733257A 製作MESFET之方法 METHOD FOR FABRICATING A MESFET 审中-公开
简体标题：制作MESFET之方法 METHOD FOR FABRICATING A MESFET
公开(公告)号：TW200733257A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW096100279
申请日：2007-01-04
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：威斯洛湯瑪士艾倫 WINSLOW, THOMAS AARON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/812 , H01L29/0646 , H01L29/1029 , H01L29/1075 , H01L29/66848 , H01L29/66878
摘要：本發明提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)及其製造方法。該方法包括形成一n型通道部於一基底中及形成一p型通道部於該基底中。該n型通道部的一邊界與該p型通道部的一邊界係界定出一本質區域(intrinsic region)於該基底中。
简体摘要：本发明提供一种金属半导体场效应管(MESFET)及其制造方法。该方法包括形成一n型信道部于一基底中及形成一p型信道部于该基底中。该n型信道部的一边界与该p型信道部的一边界系界定出一本质区域(intrinsic region)于该基底中。

3. 发明专利

TW200301966A 具有基極及集極捷接之功率放大器 POWER AMPLIFER WITH BASE AND COLLECTOR STRAPS 有权
简体标题：具有基极及集极捷接之功率放大器 POWER AMPLIFER WITH BASE AND COLLECTOR STRAPS
公开(公告)号：TW200301966A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：TW091132444
申请日：2002-11-01
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：安東尼弗朗西斯魁格賴塔 ANTHONY FRANCIS QUAGLIETTA , 艾倫威廉韓森 ALLEN WILLIAM HANSON , 托馬士亞倫溫斯洛 THOMAS AARON WINSLOW
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03F3/607 , H01L23/4821 , H01L27/0605 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體放大器，包含集極捷接，在一組電晶體之上形成空橋，並構成電晶體集極與集極接觸墊之間的電性並聯。基極捷接建立基極偏壓，並經電阻元件與電晶體之基極電性連接直流電流源。
简体摘要：一种半导体放大器，包含集极捷接，在一组晶体管之上形成空桥，并构成晶体管集极与集极接触垫之间的电性并联。基极捷接创建基极偏压，并经电阻组件与晶体管之基极电性连接直流电流源。

4. 发明专利

TW200620703A 發光二極體封裝 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE 审中-公开
简体标题：发光二极管封装 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE
公开(公告)号：TW200620703A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094126926
申请日：2005-08-09
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：古德利奇約爾李 GOODRICH, JOEL LEE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2224/0401
摘要：本發明提供一種發光二極體封裝。該發光二極體封裝包含副安裝部(42)及從該副安裝部(42)延伸之框架部(44)。該框架部(44)具有有角度壁(50)且配置以接收發光二極體(48)於其中。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管封装。该发光二极管封装包含副安装部(42)及从该副安装部(42)延伸之框架部(44)。该框架部(44)具有有角度壁(50)且配置以接收发光二极管(48)于其中。

5. 发明专利

TW569446B 具有基極及集極捷接之功率放大器有权
简体标题：具有基极及集极捷接之功率放大器
公开(公告)号：TW569446B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091132444
申请日：2002-11-01
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：安東尼弗朗西斯魁格賴塔 ANTHONY FRANCIS QUAGLIETTA , 艾倫威廉韓森 ALLEN WILLIAM HANSON , 托馬士亞倫溫斯洛 THOMAS AARON WINSLOW
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03F3/607 , H01L23/4821 , H01L27/0605 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體放大器。包含集極捷接，在一組電晶體之上形成空橋，並構成電晶體集極與集極接觸墊之間的電性並聯。基極捷接建立基極偏壓，並經電阻元件與電晶體之基極電性連接直流電流源。
简体摘要：一种半导体放大器。包含集极捷接，在一组晶体管之上形成空桥，并构成晶体管集极与集极接触垫之间的电性并联。基极捷接创建基极偏压，并经电阻组件与晶体管之基极电性连接直流电流源。

6. 发明专利

TW200405651A 小型化非線性HBT陣列 COMPACT NON-LINEAR HBT ARRAY 审中-公开
简体标题：小型化非线性HBT数组 COMPACT NON-LINEAR HBT ARRAY
公开(公告)号：TW200405651A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092127074
申请日：2003-09-30
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：溫斯洛托馬斯亞倫 WINSLOW, THOMAS AARON
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L27/0207 , H01L29/41708 , H01L29/42304
摘要：在HBT陣列中之HBT架構成非線性排列，亦即交錯式(staggered)排列，因而降低該陣列中之相鄰HBT間之熱耦合影響以及可以不受線性HBT陣列所需之最小集極－集極間距設計規則之影響。使用此種非線性架構，相鄰HBT彼此間不對齊。在一較佳實施例中，該陣列中之相鄰HBT架構成邊角對邊角排列，以及在一更佳實施例中，相鄰HBT之集極係對準或共模(common)，亦即一HBT之集極共享一相鄰HBT之集極。在一最佳實施例中，該些HBT鎮流成射極－鎮流／基極－鎮流樣態(稱為”混合式鎮流(mixedballasting)”或”雙鎮流(dual-ballasting)”)。
简体摘要：在HBT数组中之HBT架构成非线性排列，亦即交错式(staggered)排列，因而降低该数组中之相邻HBT间之热耦合影响以及可以不受线性HBT数组所需之最小集极－集极间距设计守则之影响。使用此种非线性架构，相邻HBT彼此间不对齐。在一较佳实施例中，该数组中之相邻HBT架构成边角对边角排列，以及在一更佳实施例中，相邻HBT之集极系对准或共模(common)，亦即一HBT之集极共享一相邻HBT之集极。在一最佳实施例中，该些HBT镇流成射极－镇流／基极－镇流样态(称为”混合式镇流(mixedballasting)”或”双镇流(dual-ballasting)”)。

7. 发明专利

TW200402882A 場板MESFET FIELD-PLATE MESFET 审中-公开
简体标题：场板MESFET FIELD-PLATE MESFET
公开(公告)号：TW200402882A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092109281
申请日：2003-04-22
申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.
发明人：丹葛地斯米勒 DAIN CURTIS MILLER , 盈德吉特伯爾 INDER JIT BAHL , 愛德華勞倫斯葛芬 EDWARD LAWRENCE GRIFFIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/402 , H01L27/0605 , H01L29/812
摘要：一種場板MESFET，包括複數個FET元件。每一個FET元件包括摻雜平面通道及耦合於前述通道各端之源極與吸極。閘極導體延伸至位於前述源極與吸極間位置處之前述通道的一部分上方，與前述吸極保持第一預定距離。場板與前述閘極導體相連且朝前述吸極延伸第二預定距離，除與閘極導體連結外，前述場板藉由介電材料與前述通道絕緣。
简体摘要：一种场板MESFET，包括复数个FET组件。每一个FET组件包括掺杂平面信道及耦合于前述信道各端之源极与吸极。闸极导体延伸至位于前述源极与吸极间位置处之前述信道的一部分上方，与前述吸极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述吸极延伸第二预定距离，除与闸极导体链接外，前述场板借由介电材料与前述信道绝缘。

8. 发明公开

EP2103065A2 METHOD AND SYSTEM FOR DATA TRANSMISSION WITH DECREASED BIT ERROR RATE 有权转让
标题翻译： VERFAHREN UND系统ZURDATENÜBERTRAGUNGMIT REDUZIERTER BITFEHLERRATE
公开(公告)号：EP2103065A2
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：EP07836409.8
申请日：2007-08-02
申请人： M/A-COM Inc.
发明人： TAYLOR, Richard, Duane
IPC分类号： H04L25/03
CPC分类号： H04L25/03834 , H04L27/2075
摘要： A method and associated apparatus for generating a modulated carrier signal with reduced bit error rates based on a plurality of data symbols. A plurality of data symbols are received (702), and a digital input signal is generated based on the plurality of data symbols. The digital input signal are filtered to produce a digital output signal (710) including a phase characteristic. The phase characteristic of the digital output signal (710) remains close to the desired symbol phase for substantial portion of the symbol period. A carrier signal is modulated using the digital output signal to produce the modulated carrier signal.
摘要翻译：一种用于基于多个数据符号产生具有降低的位错误率的调制载波信号的方法。接收多个数据符号，并且基于多个数据符号生成数字输入信号。数字输入信号被滤波以产生包括相位特性的数字输出信号。数字输出信号的相位特性在符号周期的实质部分保持接近期望的符号相位。使用数字输出信号调制载波信号以产生调制载波信号。

9. 发明公开

EP2028713A1 Circulator / isolator housing with inserts 审中-公开
标题翻译： Zirkulator- /IsolatorgehäusemitEinsätzen
公开(公告)号：EP2028713A1
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：EP08162501.4
申请日：2008-08-18
申请人： M/A-COM Inc.
发明人： Paquette, Stanley Vincent , Callanan, William , O'Donovan, Richard , Murray, Brian
IPC分类号： H01P1/36 , H01P1/387
CPC分类号： H01P1/387 , H01P1/36
摘要： A circulator/isolator housing (32) is provided that includes body and a plurality of slots (68) within the body configured to receive therethrough inserts (50) having magnetic permeability. The housing (32) further includes a plurality of receiving portions (72) within the body corresponding to the plurality of slots (68) and configured to maintain a position of the inserts (50).
摘要翻译：提供了一种循环器/隔离器壳体（32），其包括主体和主体内的多个狭槽（68），该狭槽（68）被配置为容纳具有磁导率的插入件（50）。所述壳体（32）还包括在所述主体内的对应于所述多个狭槽（68）并被配置为保持所述插入件（50）的位置的多个接收部分（72）。

10. 发明公开

EP1858165A3 Techniques for biasing a radio frequency digital to analog converter 审中-公开
标题翻译：用于偏置射频DA转换器技术
公开(公告)号：EP1858165A3
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：EP07108036.0
申请日：2007-05-11
申请人： M/A-COM, INC. , M/A-Com Eurotec B.V.
发明人： Li, Chin , Steckler, Steven , Bourke, Donal , Carey, Eoin
IPC分类号： H03M1/10 , H03M1/74
CPC分类号： H03M1/1061 , H03F2200/504 , H03M1/745
摘要： Various techniques for biasing a radio frequency digital-to-analog converter are described. In one embodiment, a baseband processor (120) may comprise a plurality of output drivers (155, 156, 157-1 ...157-n) to generate a plurality of base currents for biasing a radio frequency digital-to-analog converter (110). The baseband processor (120) may comprise a serial control interface (131, 210) to generate a programming signal for controlling a relationship among the plurality of base currents.

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