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1. 发明授权

US06992202B1 Single-source precursors for ternary chalcopyrite materials, and methods of making and using the same 失效
标题翻译：三元黄铜矿材料的单源前体及其制备和使用方法
公开(公告)号：US06992202B1
公开(公告)日：2006-01-31
申请号：US10698118
申请日：2003-10-31
申请人： Kulbinder K. Banger , Aloysius F. Hepp , Jerry D. Harris , Michael Hyun-Chul Jin , Stephanie L. Castro
发明人： Kulbinder K. Banger , Aloysius F. Hepp , Jerry D. Harris , Michael Hyun-Chul Jin , Stephanie L. Castro
IPC分类号： C07F19/00 , C23C16/00 , C30B23/00
CPC分类号： C07F5/003 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/305
摘要： A single source precursor for depositing ternary I-III-VI2 chalcopyrite materials useful as semiconductors. The single source precursor has the I-III-VI2 stoichiometry “built into” a single precursor molecular structure which degrades on heating or pyrolysis to yield the desired I-III-VI2 ternary chalcopyrite. The single source precursors effectively degrade to yield the ternary chalcopyrite at low temperature, e.g. below 500° C., and are useful to deposit thin film ternary chalcopyrite layers via a spray CVD technique. The ternary single source precursors according to the invention can be used to provide nanocrystallite structures useful as quantum dots. A method of making the ternary single source precursors is also provided.
摘要翻译：用于沉积可用作半导体的三元I-III-VI 2黄铜矿材料的单一源前体。单源前体具有“内置于”单个前体分子结构中的I-III-VI'2化学计量，其在加热或热解时降解以产生所需的I-III-VI 2 三级黄铜矿。单一来源前体有效降解以在低温下产生三元黄铜矿，例如。低于500℃，并且可用于通过喷雾CVD技术沉积薄膜三元黄铜矿层。根据本发明的三元单源前体可用于提供可用作量子点的纳米晶体结构。还提供了制备三元单源前体的方法。

2. 发明授权

US06613924B1 Silver precursors for CVD processes 有权
标题翻译： CVD工艺的银前体
公开(公告)号：US06613924B1
公开(公告)日：2003-09-02
申请号：US09447974
申请日：1999-11-23
申请人： John T. Welch , Silvana C. Ngo , Kulbinder K. Banger
发明人： John T. Welch , Silvana C. Ngo , Kulbinder K. Banger
IPC分类号： C07F110
CPC分类号： C07F1/005 , C07C45/77 , C07C49/92
摘要： Organosilver complexes with &bgr;-diketonates and neutral coordinating ligands are useful as silver precursors in chemical vapor deposition processes. The &bgr;-diketonates include 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionate (hfac), acetylacetonate (acac), 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate (tmhd), 1,1,1-trifluoro-2,4-pentanedionate, (tfac), 2,2,7-trimethyl-3,5-octanedionate (tmod), 1,1,1-trifluoro-5,5-dimethyl-2,4-pentanedionate (tfh) 1,1,1,2,2,3,3,7,7,8,8,9,9,9-tetradecafluoro-4,6-nonanedionate (tdf). Neutral coordinating ligands include triphenylphosphine, tributylphosphine, pyridine, tetramethylethanediamine (TMEDA) and tetramethylpropanediamine (TMPDA).
摘要翻译：有机硅复合物与β-二酮和中性配位配体可用作化学气相沉积工艺中的银前体。 β-二酮酸酯包括1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮（hfac），乙酰丙酮酸（acac），2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸（tmhd）），1,1,1-三氟-2,4-戊二酮，（tfac），2,2,7-三甲基-3,5-辛二酮（tmod），1,1,1-三氟-5,5-二甲基 -2,4-戊二酮（tfh）1,1,1,2,2,3,3,7,7,8,8,9,9,9-十四氟-4,6-壬二酮酸酯（tdf）。中性配位配体包括三苯基膦，三丁基膦，吡啶，四甲基乙二胺（TMEDA）和四甲基丙二胺（TMPDA）。

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