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1. 发明申请

WO2006000111A1 OBERSCHWINGUNGSARME MEHRPHASIGE UMRICHTERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：谐波ARMS多相转换器电路
公开(公告)号：WO2006000111A1
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：PCT/CH2005/000083
申请日：2005-02-15
申请人： ABB SCHWEIZ AG , STULZ, Christian , EICHLER, Christoph , SUTER, Erich , ZUCKERBERGER, Adrian , JOERG, Pieder , BERNER, Thomas
发明人： STULZ, Christian , EICHLER, Christoph , SUTER, Erich , ZUCKERBERGER, Adrian , JOERG, Pieder , BERNER, Thomas
IPC分类号： H02M5/458
CPC分类号： H02M5/458 , H02M7/49
摘要： Es wird eine mehrphasige Umrichterschaltung mit p ≥ 3 Phasen (R, S; T) und einer für jede Phase (R, S, T) vorgesehenen Teilumrichterschaltung (1) angegeben, wobei jede Teilumrichterschaltung (1) eine Gleichrichtereinheit (2), einen mit der Gleichrichtereinheit (2) verbundenen Gleichspannungskreis (3) und eine mit dem Gleichspannungskreis (4) verbundene Wechselrichtereinheit (4) aufweist. Weiterhin bildet ein erster Wechselspannungsausgang (5) einer jeden Wechselrichtereinheit (4) einen Phasenanschluss (6) und zweite Wechselspannungsausgänge (12) der Wechselrichtereinheiten (5) sind in Sternschaltung verschaltet. Zur Erzeugung möglichst geringer Oberschwingungen bezüglich der Grundschwingung der Spannung und des Stromes eines eingangsseitig an die Umrichterschaltung angeschlossenen elektrischen Wechselspannungsnetzes sind n Transformatoren (7) mit jeweils einer Primärwicklung (8) und mit jeweils m dreiphasigen Sekundärwicklungen (9) vorgesehen, wobei n ≥ 2 und m ≥ 3 ist. Desweiteren sind p Sekundärwicklungssätze (10) vorgesehen, wobei jeder Sekundärwicklungssatz (10) durch jeweils m/p dreiphasige Sekundärwicklungen eines jeden Transformators (7) gebildet ist und jeder Sekundärwicklungssatz (10)) mit den zugehörigen Sekundärwicklungen (9) mit der Gleichrichtereinheit (2) jeweils einer Teilumrichterschaltung (1) verbunden ist.
摘要翻译：它是一个多相位变换器其中p = 3个相（R，S; T）和是一个用于每个相（R，S，T）提供Teilumrichterschaltung（1）中，每个Teilumrichterschaltung（1）整流器单元（2），一个与连接到DC电压电路（3）和与所述直流电压电路的整流部（2）（4），其连接到逆变器单元（4）。此外，第一交流电压输出（5）每个逆变器单元（4）的形式的具有逆变器单元（5）被连接在星形连接的相位终端（6）和第二交流电压输出（12）。为了产生与基波的电压和连接到逆变器电路中的电交流电压网络N个变压器（7）的输入侧的电流各自具有初级绕组（8）和每个滤波器具有m三相次级绕组提供（9），其中n = 2和最低的可能谐波 M = 3。此外，提供了p组次级绕组（10）的，其特征在于，绕组的每个次级组（10）分别由每个变压器（7）和绕组的每个次级组（10）的间/对三相次级绕组）与相关联的次级绕组（9）形成（与整流单元2）每一个Teilumrichterschaltung（1）连接。

2. 发明申请

WO2003069968A2 GEHÄUSE FÜR EIN HOCHSPANNUNGSFESTES LEISTUNGSHALBLEITERMODUL 审中-公开
标题翻译：住房用于高电压SOLID功率半导体模块
公开(公告)号：WO2003069968A2
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/CH2003/000103
申请日：2003-02-13
申请人： ABB RESEARCH LTD , MEYSENC, Luc , HAMIDI, Amina , JOERG, Pieder , AKDAG, Alper
发明人： MEYSENC, Luc , HAMIDI, Amina , JOERG, Pieder , AKDAG, Alper
IPC分类号： H05K7/00
CPC分类号： H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/10 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H05K5/06 , H05K7/1432 , H01L2924/00
摘要： In einem Gehäuse für ein Hochspannungsfestes Leistungshalbleitermodul mit einem teilweise mit einem Isolationsmaterial (4) gefüllten Gehäuse, einem vom Isolationsmaterial (4) bedeckten Leistungshalbleiterbauelement (7), einem gasgefüllten Volumen (30) in einem Inneren des Gehäuses, einer an das gasgefüllte Volumen (30) grenzenden Oberfläche (5) des Isolationsmaterials, mindestens einer ersten elektrischen Zuleitung (1) und einer zweiten elektrischen Zuleitung (2), welche durch das gasgefüll te Volumen (30) und die Oberfläche (5) in das Isolationsmaterial (4) geführt sind, werden Kriechströme zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) auf der Oberfläche (5) dadurch unterbunden, dass eine elektrisch isolierende Ausformung einer Gehäusewand (31, 32, 33) in einem Bereich zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) in die Oberfläche (5) des Isolationsmaterials (4) eingesenkt ist.
摘要翻译：在用于与部分地填充有绝缘材料4壳体中的高压电阻功率半导体模块的壳体，覆盖所述绝缘材料4的功率半导体装置7，在壳体中，邻近于所述气体填充的容积30中的绝缘材料的表面5的层的内部体积30充满气体的，至少一个第一供电线1和第二电引线2，其由gasgefüllTE容积30，并在绝缘材料4的表面5被引导，所述第一电引线和第二电引线2之间的泄漏电流可被表面5上的是抑制一壳体壁31，32的电绝缘模制，33凹进在一个区域中的第一电导线和第二电导线2在表面上的绝缘材料的5之间。4

3. 发明申请

WO2003069968A3 GEHÄUSE FÜR EIN HOCHSPANNUNGSFESTES LEISTUNGSHALBLEITERMODUL 审中-公开
公开(公告)号：WO2003069968A3
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/CH2003/000103
申请日：2003-02-13
申请人： ABB RESEARCH LTD , MEYSENC, Luc , HAMIDI, Amina , JOERG, Pieder , AKDAG, Alper
发明人： MEYSENC, Luc , HAMIDI, Amina , JOERG, Pieder , AKDAG, Alper
IPC分类号： H01L23/04
摘要： In einem Gehäuse für ein Hochspannungsfestes Leistungshalbleitermodul mit einem teilweise mit einem Isolationsmaterial (4) gefüllten Gehäuse, einem vom Isolationsmaterial (4) bedeckten Leistungshalbleiterbauelement (7), einem gasgefüllten Volumen (30) in einem Inneren des Gehäuses, einer an das gasgefüllte Volumen (30) grenzenden Oberfläche (5) des Isolationsmaterials, mindestens einer ersten elektrischen Zuleitung (1) und einer zweiten elektrischen Zuleitung (2), welche durch das gasgefüll te Volumen (30) und die Oberfläche (5) in das Isolationsmaterial (4) geführt sind, werden Kriechströme zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) auf der Oberfläche (5) dadurch unterbunden, dass eine elektrisch isolierende Ausformung einer Gehäusewand (31, 32, 33) in einem Bereich zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) in die Oberfläche (5) des Isolationsmaterials (4) eingesenkt ist.

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