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1. 发明申请

WO2008155138A2 DEVICE FOR PRODUCING CRYSTALS FROM ELECTROCONDUCTIVE MELTS 审中-公开
标题翻译：器具，用于产生晶体电气熔铅
公开(公告)号：WO2008155138A2
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/EP2008005192
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV , LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
发明人： LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B15/305
摘要： The invention relates to a device for growing crystals from electroconductive melts, said device at least comprising a crucible (12) containing a melt (11) and arranged in a growing chamber (10), and a heating device (1) which surrounds the crucible (12) and is embodied as a multiple-coil arrangement consisting of coils (1a, 1 b, 1c) arranged one above the other. Said coils (1a, 1 b, 1c) comprise graduated or continuous coil windings (9) and feeder bars (2a, 2b, 2c, 2m) are applied to the coils (1a, 1 b, 1c), said bars being electrically connected to an energy supply device (13) arranged outside the growing chamber (10). According to the invention, the heating device (1) comprises stabilisation elements (3a), (3b), (3c), 3d) on the coil windings (9), and the feeder bars (2a), (2b), (2c), (2m) are formed as angular parts.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生长导电熔体的结晶的装置，设置在至少包括在生长室中（10），熔体（11）中含有的坩埚（12），围绕加热器（1），坩埚（12），其作为重叠线圈（1A，1B，1C）被执行，其中，所述线圈（1A，1B，1C）级或无级线圈绕组（9）和所述线圈（1A，1B，1C）馈送轨（2a的更多线圈组件，图2b，其被电布置有（生长室10）电源装置（13外2C，2M）被安装）连接。可以设想的是，加热装置（1）稳定化元素（3A），（3B），（3C），在线圈匝（9）和所述电源轨（2a）中的3D），（2B），（2C），（2M）在角部的形式被配置。

2. 发明申请

WO2013104729A1 VERTICAL-GRADIENT-FREEZE-VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLEN 审中-公开
标题翻译：垂直梯度凝固工艺用于生产晶体
公开(公告)号：WO2013104729A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/EP2013/050428
申请日：2013-01-10
申请人： SCHOTT SOLAR AG , MÜLLER, Matthias , JOCKEL, Dietmar
发明人： MÜLLER, Matthias , JOCKEL, Dietmar , KROPFGANS, Frieder
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C30B35/00 , B22D27/04
CPC分类号： B22D27/045 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/002 , F27B14/08
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mono-, quasimono- oder multikristallinen Metall- oder Halbmetallkörpers durch gerichtetes Erstarren aus einer Schmelze 3, insbesondere von mono-, quasimono- oder mulitkristallinen Siliziumkörpern nach dem Vertical-Gradient-Freeze-Verfahren (VGF-Verfahren). Bei dem Verfahren erstarrt die Schmelze in einem Schmelztiegel 2 unter Einwirkung eines Temperaturgradienten, der in einer vertikalen Richtung und vom oberen Ende des Schmelztiegels 2 zu dessen unterem Ende verläuft, zu dem mono-, quasimono- oder multikristallinen Metall- oder Halbmetallkörper gerichtet. Vor dem Einbringen oder vor dem Erzeugen der Schmelze 3 in dem Schmelztiegel 2 wird der Boden des Schmelztiegels mit einer dünnen Trennschicht 35, 36 bedeckt. Erfindungsgemäß ist die dünne Trennschicht 35, 36 aus Quarzglas ausgebildet, insbesondere aus einem hochreinen, auch synthetisch hergestellten Quarzglas. So hergestellte Ingots zeigen über ihr gesamtes Volumen sehr homogene Eigenschaften und weisen auch in den Randbereichen nur einen sehr geringen Verunreinigungsgehalt auf.
摘要翻译：本发明涉及一种使用垂直梯度冷冻方法从熔融3产生单 - ，quasimono-或多晶金属或半金属体，通过定向凝固，特别是单 - ，quasimono-或mulitkristallinen硅体（VGF法）。在该方法中，熔融在坩埚2凝固延伸在一个垂直方向上的温度梯度的影响下，并从在其下端的单 - ，quasimono-或定向多晶金属或半金属体的坩埚2的上端。在引入之前或熔体3的坩埚2中的生成，坩埚的具有薄分离层35的底部，36被覆盖。根据本发明，薄的剥离层35的石英玻璃36的形成，特别是高纯度的，合成生产的石英玻璃制成。锭用这种方式生产的表演在他们的整个体积非常均匀性，只有一个非常低的杂质含量也在周边地区。

3. 发明申请

WO2008155138A3 VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLEN AUS ELEKTRISCH LEITENDEN SCHMELZEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2008155138A3
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/EP2008/005192
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. , LANGE, Ralph-Peter , JOCKEL, Dietmar , ZIEM, Mario , RUDOLPH, Peter , KIESSLING, Frank , FRANK-ROTSCH, Christiane , CZUPALLA, Matthias , NACKE, Bernard , KASJANOW, Helene
发明人： LANGE, Ralph-Peter , JOCKEL, Dietmar , ZIEM, Mario , RUDOLPH, Peter , KIESSLING, Frank , FRANK-ROTSCH, Christiane , CZUPALLA, Matthias , NACKE, Bernard , KASJANOW, Helene
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, mindestens aufweisend einen in einer Züchtungskammer (10) angeordneten, eine Schmelze (11) enthaltenen Tiegel (12), eine den Tiegel (12) umgebende Heizeinrichtung (1), welche als Mehrspulenanordnung von übereinander angeordneten Spulen (1a, 1b, 1c) ausgeführt ist, wobei die Spulen (1a, 1b, 1c) stufenförmige oder stufenlose Spulenwindungen (9) aufweisen und an den Spulen (1a, 1b, 1c) Stromzuführungsschienen (2a, 2b, 2c, 2m) angebracht sind, die elektrisch mit einer außerhalb der Züchtungskammer (10) angeordneten Energieversorgungseinrichtung (13) verbunden sind. Es ist vorgesehen, dass die Heizeinrichtung (1) Stabilisierungselemente (3a), (3b), (3c), 3d) an den Spulenwindungen (9) aufweist und die Stromzuführungsschienen (2a), (2b), (2c), (2m) in Form eines Winkelteiles ausgestaltet sind.

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