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1. 发明申请

US20100066326A1 POWER REGULATOR 审中-公开
标题翻译：功率调节器
公开(公告)号：US20100066326A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：US12555108
申请日：2009-09-08
申请人： Hao-Chen HUANG
发明人： Hao-Chen HUANG
IPC分类号： G05F1/10
CPC分类号： G05F1/56
摘要： A power regulator for converting an input voltage to an output voltage includes a pass device and an error amplifier. The pass device receives the input voltage and provides the output voltage at an output terminal of the power regulator. The error amplifier coupled to the pass device includes a transistor. The transistor receives a reference signal and a feedback signal indicative of the output voltage, compares the feedback signal to the reference signal, and generates a control signal according to a result of the comparison to drive the pass device.
摘要翻译：用于将输入电压转换为输出电压的功率调节器包括通过装置和误差放大器。通过装置接收输入电压并在功率调节器的输出端提供输出电压。耦合到通过器件的误差放大器包括晶体管。晶体管接收参考信号和指示输出电压的反馈信号，将反馈信号与参考信号进行比较，并根据比较结果产生控制信号以驱动通过装置。

2. 发明申请

US20130168696A1 Silicon Carbide Schottky Diode Device with Mesa Termination and Manufacturing Method Thereof 审中-公开
标题翻译：具有Mesa终止的碳化硅肖特基二极管器件及其制造方法
公开(公告)号：US20130168696A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：US13458926
申请日：2012-04-27
申请人： Hui-Hsuan WANG , Hao-Chen HUANG , Chee-Wee LIU
发明人： Hui-Hsuan WANG , Hao-Chen HUANG , Chee-Wee LIU
IPC分类号： H01L29/161 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L29/2003 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： A silicon carbide Schottky diode device with mesa terminations and the manufacturing method thereof are provided. The silicon carbide Schottky diode device includes an n-type epitaxial silicon carbide layer with mesa terminations on an n-type silicon carbide substrate, two p-type regions in the n-type epitaxial silicon carbide layer and a Schottky metal contact on the n-type epitaxial silicon carbide layer and the p-type regions, a dielectric layer on sidewalls and planes of the mesa terminations.
摘要翻译：提供具有台面端接的碳化硅肖特基二极管器件及其制造方法。碳化硅肖特基二极管器件包括在n型碳化硅衬底上具有台面端接的n型外延碳化硅层，n型外延碳化硅层中的两个p型区域和n型外延碳化硅层上的肖特基金属接触，型外延碳化硅层和p型区域，在台面的侧壁和平面上的介电层。

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