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热词
    • 2. 发明专利
    • 動態光連接技術
    • 动态光连接技术
    • TW578394B
    • 2004-03-01
    • TW091108875
    • 2002-04-29
    • HRL實驗室LLC HRL LABORATORIES. LLC
    • 大衛M 派頗 PEPPER, DAVID, M.
    • H04B
    • H04B10/1125Y10S359/90
    • 本發明提供一種動態連接系統,可耦合一對攜有調制訊息之光束。依據本發明,由兩不同位置之收發器發出兩光束,一光束可能不在另一光束之視野內,但在兩光束共同視野有一第三平台,包含有本發明之系統。每一射入上述連接系統之光束被導向另一光束之反向,以使每一收發器接收到由另一收發器發出之光束。本系統較佳使用閉鎖迴路光學裝置,可動態補償傳播失真,並保留編碼於每一光束內之訊息。
    • 本发明提供一种动态连接系统,可耦合一对携有调制消息之光束。依据本发明,由两不同位置之收发器发出两光束,一光束可能不在另一光束之视野内,但在两光束共同视野有一第三平台,包含有本发明之系统。每一射入上述连接系统之光束被导向另一光束之反向,以使每一收发器接收到由另一收发器发出之光束。本系统较佳使用闭锁回路光学设备,可动态补偿传播失真,并保留编码于每一光束内之消息。
    • 4. 发明专利
    • 低背型多重天線模組及其與運輸工具之整合方法
    • 低背型多重天线模块及其与运输工具之集成方法
    • TW554572B
    • 2003-09-21
    • TW091115399
    • 2002-07-11
    • HRL實驗室LLC
    • 丹尼爾F 史文派柏許惠萍葛雷格L 坦哥南詹姆士H 史洽弗能
    • H01Q
    • H01Q15/008H01Q1/3275H01Q1/521H01Q9/0407H01Q21/30
    • 本發明揭露一種整合薄型天線模組進入運輸工具的方法。薄型天線模組包括高阻抗表面與配置於高阻抗表面上的至少一天線元件。該方法包括以下步驟:插入天線模組於位在該運輸工具乘客座艙上方的導電層與電介質層之間,以及連接配置在高阻抗表面的至少一天線元件至該運輸工具中的接收器。伍、(一)、本案代表圖為:第╴╴╴3╴╴╴圖
      (二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明:
      1~乘客座位;10~習知頂部; 12~金屬接地平面;
      20~發射圖樣;21~傳輸線群組;22~鈍化保護材料;
      24~天線模組;26~自動天線開關。
    • 本发明揭露一种集成薄型天线模块进入运输工具的方法。薄型天线模块包括高阻抗表面与配置于高阻抗表面上的至少一天线组件。该方法包括以下步骤:插入天线模块于位在该运输工具乘客座舱上方的导电层与电介质层之间,以及连接配置在高阻抗表面的至少一天线组件至该运输工具中的接收器。伍、(一)、本案代表图为:第╴╴╴3╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明: 1~乘客座位;10~习知顶部; 12~金属接地平面; 20~发射图样;21~传输线群组;22~钝化保护材料; 24~天线模块;26~自动天线开关。
    • 5. 发明专利
    • 光纖雷射發射埠及其光注入方法
    • 光纤激光发射端口及其光注入方法
    • TW518810B
    • 2003-01-21
    • TW090118988
    • 2001-08-03
    • HRL實驗室LLC
    • 柏林 威廉C愛諾夫 史塔尼斯拉夫I
    • H01SG02B
    • G02B6/2852H01S3/06704H01S3/094003H01S3/094019H01S3/0941
    • 一種將光能量由注入光纖的方法及裝置。提供一含有一中心部及第一包覆層的光纖,其中該第一包覆層的材質有一第一包覆折射率,該光纖另具有一增益介質以吸收注入光線。在延著該光纖中之一吸收部的縱長方向,定義至少一個發射部。在一發射區中形成至少一個發射部,其中該發射區具有一外凸側及一內凹側,且在該等發射部中的內凹側與一基底接觸,其中該基底之一基底反射係數比該第一包覆折射率要低。在正對著該發射區之該等發射部中的凸出側形成一發射埠。使該發射埠與該發射區的該等發射部之一交接面相搭配;以及引導入射光由一入射光源經過一透鏡進入該發射埠之一第一通道面,其中該發射埠將入射光導入該等發射區之該第一包覆層中。
    • 一种将光能量由注入光纤的方法及设备。提供一含有一中心部及第一包覆层的光纤,其中该第一包覆层的材质有一第一包覆折射率,该光纤另具有一增益介质以吸收注入光线。在延着该光纤中之一吸收部的纵长方向,定义至少一个发射部。在一发射区中形成至少一个发射部,其中该发射区具有一外凸侧及一内凹侧,且在该等发射部中的内凹侧与一基底接触,其中该基底之一基底反射系数比该第一包覆折射率要低。在正对着该发射区之该等发射部中的凸出侧形成一发射端口。使该发射端口与该发射区的该等发射部之一交接面相搭配;以及引导入射光由一入射光源经过一透镜进入该发射端口之一第一信道面,其中该发射端口将入射光导入该等发射区之该第一包覆层中。
    • 6. 发明专利
    • 單晶雙晶圓穿隧式感應器及其製造方法
    • 单晶双晶圆穿隧式感应器及其制造方法
    • TW504488B
    • 2002-10-01
    • TW090116340
    • 2001-07-04
    • HRL實驗室LLC休格斯電子公司
    • 古柏那 諾道爾 L麗特 麥可 J立 諾伊 H 海可特
    • B81B
    • B81C1/0015B81B2201/0292B81C2203/036H01H59/0009
    • 本發明係提供一種用以製作微機電切換器(switch)或穿隧式感應器(tunneling sensor)的方法。其方法係於一第一基底(first substrate)或晶圓之上定義出一懸臂束結構(cantilevered beam structure)及一配合結構(mating structure),並且於一第二基底(second substrate)或晶圓上形成有至少一接觸結構(contact structure)及一配合結構(mating structure),於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀,同時於其中之該配合結構之上形成一結合層,其中,該結合層又以共晶接合層為佳。隨後,將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上,藉由加壓方式使得該第一、二基底之兩配合結構於其結合層或共晶接合層上相互結合,繼而將該第一基底或晶圓進行移除以釋放該懸臂束結構。
    • 本发明系提供一种用以制作微机电切换器(switch)或穿隧式感应器(tunneling sensor)的方法。其方法系于一第一基底(first substrate)或晶圆之上定义出一悬臂束结构(cantilevered beam structure)及一配合结构(mating structure),并且于一第二基底(second substrate)或晶圆上形成有至少一接触结构(contact structure)及一配合结构(mating structure),于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状,同时于其中之该配合结构之上形成一结合层,其中,该结合层又以共晶接合层为佳。随后,将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上,借由加压方式使得该第一、二基底之两配合结构于其结合层或共晶接合层上相互结合,继而将该第一基底或晶圆进行移除以释放该悬臂束结构。
    • 7. 发明专利
    • 半導體裝置中用以防止逆向工程的佈植隱藏內連接線
    • 半导体设备中用以防止逆向工程的布植隐藏内连接线
    • TW502384B
    • 2002-09-11
    • TW090115405
    • 2001-06-26
    • HRL實驗室LLC
    • 威廉M 克拉克二世詹姆斯P 包克斯拉瓦 趙
    • H01L
    • H01L27/02H01L21/743
    • 一種偽裝內連接線,用來內連接在積體電路或裝置上具有共同電導率的兩間隔開植入區及其形成方法。偽裝內連接線包括、第一植入區,在介於兩間隔開植入區之間形成傳導通道,傳導通道,具有相同之共同電導率型,以及橋架一區介於兩間隔開植入區之間,以及具有負電導率型之第二植入區,此第二植入區被設置在介於具有共同電導率型之兩間隔開植入區之間,以及覆蓋一傳導通道來偽裝成傳導通道,以防止逆向工程。
    • 一种伪装内连接线,用来内连接在集成电路或设备上具有共同电导率的两间隔开植入区及其形成方法。伪装内连接线包括、第一植入区,在介于两间隔开植入区之间形成传导信道,传导信道,具有相同之共同电导率型,以及桥架一区介于两间隔开植入区之间,以及具有负电导率型之第二植入区,此第二植入区被设置在介于具有共同电导率型之两间隔开植入区之间,以及覆盖一传导信道来伪装成传导信道,以防止逆向工程。
    • 8. 发明专利
    • 同軸介電柱狀天線
    • 同轴介电柱状天线
    • TW494605B
    • 2002-07-11
    • TW090116983
    • 2001-07-11
    • HRL實驗室LLC
    • 波帕 安德瑞恩布瑞居司 威廉 B
    • H01Q
    • H01Q21/30H01Q1/40H01Q5/47H01Q13/24H01Q19/08
    • 本發明同軸介電柱狀天線包括一第一介電天線柱(first dieleetric antenna rod),該第一介電天線柱係具有一第一介電常數(first dielectric constant)並且該第一介電天線柱係連接於一第一頻率傳輸源(first frequency transmission source),如此以將第一頻帶輻射(first frequency band radiation)自該第一介電天線柱傳播至一介質(medium),該介質(medium)係具有一介質介電常數(medium dielectric constant)。一第二介電天線柱(second dielectric antenna rod)係具有一第二介電常數(second dielectric constant),該第二介電天線、柱係連接於一第二頻率傳輸源(second frequency transmission source),如此以將第二頻帶輻射(second frequency band radiation)自該第二介電天線柱傳播至該介質。該第一介電天線柱係以同軸方式設置於該第二介電天線柱之中,該第一介電常數係大於該第二介電常數,並且該第二介電常數係大於該介質介電常數。
    • 本发明同轴介电柱状天线包括一第一介电天线柱(first dieleetric antenna rod),该第一介电天线柱系具有一第一介电常数(first dielectric constant)并且该第一介电天线柱系连接于一第一频率传输源(first frequency transmission source),如此以将第一频带辐射(first frequency band radiation)自该第一介电天线柱传播至一介质(medium),该介质(medium)系具有一介质介电常数(medium dielectric constant)。一第二介电天线柱(second dielectric antenna rod)系具有一第二介电常数(second dielectric constant),该第二介电天线、柱系连接于一第二频率传输源(second frequency transmission source),如此以将第二频带辐射(second frequency band radiation)自该第二介电天线柱传播至该介质。该第一介电天线柱系以同轴方式设置于该第二介电天线柱之中,该第一介电常数系大于该第二介电常数,并且该第二介电常数系大于该介质介电常数。