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1. 发明专利

JP2017509145A 光起電デバイスの薄膜ビアセグメントのための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017509145A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016547610
申请日：2015-01-26
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフトFlisom Ag , フリソムアクツィエンゲゼルシャフトFlisom Ag
发明人：ツィルテナー，ロジャー , ネッター，トーマス
IPC分类号： H01L31/0463 , B23K26/00 , B23K26/386 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：薄膜光電子デバイス(100、200)のビア及びモノリシック相互接続のための方法であって、少なくとも1つのラインセグメントビアホール(163、165、165′、167)は、レーザードリル加工により形成されて、フロントコンタクト層(150、152、154、156、158)及び半導体活性層(130)を貫き、そしてレーザードリル加工によって、ビアホールの内面(135)に導電性の永久に金属化された銅に富んだCIGSタイプ合金のCIGSタイプ壁(132、134、136、138)を形成し、このことにより、フロントコンタクト層の少なくとも一部とバックコンタクト層(120、124、126、128、129)の一部の間に導電路を形成し、フロントコンタクト層の表面にバンプ形の高くなった部分(155)を形成し、バックコンタクト層の高くなった部分(125、127、127′)を形成して、フロントコンタクト層(150)の一部をカバーする銅に富んだCIGSタイプ合金の高くなった部分(155′)を任意に形成する。薄膜CIGSデバイスは、この方法によって得られる少なくとも1つのラインセグメントビアホールを含む。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2016502281A カリウムを添加した薄膜光電子デバイスの製作有权
标题翻译：薄膜光电器件的制造在添加钾的
公开(公告)号：JP2016502281A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015548824
申请日：2013-12-16
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフトFlisom Ag , フリソムアクツィエンゲゼルシャフトFlisom Ag , エムパEmpa
发明人：チリラ，エイドリアン , ビューシェーラー，シュテファン , ピアネッツィ，ファビアン , ラインハルト，パトリック , ナスティワリ，アヨディヤ , ナスティワリ，アヨディヤ
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0323 , C23C14/14 , C23C14/24 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/18
摘要：薄膜光電子デバイス(100)を製作する方法(200)及び堆積ゾーン装置(300)であり、方法は、カリウム非拡散基板(110)を提供することと、バック接点層(120)を形成することと、ABCカルコゲン化物材料で作られる少なくとも1つの吸収層(130)を形成することと、少なくとも2つの異なるアルカリ金属を添加することと、少なくとも1つのフロント接点層(150)を形成することとを含み、上記少なくとも2つの異なるアルカリ金属のうちの1つはカリウムであり、上記フロント接点層の形成に続き、バック接点層(120)からフロント接点層(150)までの、バック接点層を含まず、フロント接点層を含む層間隔(470)での、少なくとも2つの異なるアルカリ金属を添加することに起因する含有量は、カリウムの場合、500ppm〜10000ppmの範囲であり、上記少なくとも2つの異なるアルカリ金属のうちの他のアルカリ金属の場合、5ppm〜2000ppmの範囲であり、カリウムの含有量の多くとも1/2、少なくとも1/2000である。方法(200)及び装置(300)は、高い光起電力変換率及びより高速の製造速度を有する、可撓性基板上の光起電力デバイス(100)のより環境に優しい製造に有利である。【選択図】図1
摘要翻译：一种制造薄膜光电器件（100）（200）和沉积区装置（300），该方法包括提供钾非扩散基片（110）;以及形成背接触层的方法（120）包括由ABC硫属材料中，并加入至少两种不同的碱金属，以及形成至少一个前接触层上形成至少一个吸收层（130）（150）所述至少两种不同的一种碱金属的钾，继形成前接触层的，从所述背接触层（120）与前接触层（150），不包括后接触层，在层间距包括所述前接触层（470），从加入至少两种不同的碱金属得到的，如果钾是在500PPM〜10000PPM的范围的内容，所述至少两种不同的烷对于金属的其他碱金属，在5PPM〜2000ppm的范围内，最钾1/2的含量，至少为1/2000。该方法（200）和装置（300）是具有柔性基板（100）上的功率转换和生产速度比，优选更环保的生产光伏器件的光伏高。点域1

3. 发明专利

JP5904563B2 薄膜光起電力装置および製作方法有权
标题翻译：薄膜光伏装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5904563B2
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2014505765
申请日：2012-04-17
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフト , FLISOM AG , エムパ , Empa
发明人：チリラ,エイドリアン , ティワリ,アヨディヤナス , ブローシュ,パトリック , 西脇志朗 , ブレマウト,ダーヴィト
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/06 , H01L31/18 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541

4. 发明专利

JP6635924B2 光起電デバイスの薄膜ビアセグメントのための方法有权
公开(公告)号：JP6635924B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2016547610
申请日：2015-01-26
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフト , FLISOM AG
发明人：ツィルテナー,ロジャー , ネッター,トーマス
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0463

5. 发明专利

JP2013527618A Punctate interconnects and methods and apparatus for thin film modules with vias 有权
公开(公告)号：JP2013527618A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2013511781
申请日：2011-05-27
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフトFlisom Ag
发明人：ツィルテナー，ロジャー , ケルン，ローラント , ブレマウト，ダーヴィト , ケラー，ビョルン
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：少なくとも２つの直列相互接続された光電子部品（１０４、１０６、１０８）を含むモノリシック集積光電子モジュール装置（１００）を製造するための方法である。この方法は、（ａ、ｂ、ｃ）又は（ｃ、ｂ、ａ）の順序で、（ａ）バックコンタクト電極（１２２、１２４、１２６、１２８）と、（ｂ）半導体層（１３０）と、（ｃ）フロントコンタクト部品（１５２、１５４、１５６、１５８）とを含む３層スタックの絶縁基板又はスーパーストレート（１１０）上での堆積及びスクライビングを含む。ビアホール（１５３、１５５、１５７）は、ドリル加工処理の熱により、前記ビアホールの表面において、前記ビアホールの半導体層の表面（１３２、１３４、１３６、１３８）を導電性にする金属化が生じ、その結果、第１のフロントコンタクト部品（１５４、１５６）を第２のバックコンタクト電極（１２４、１２６）に接続することによって光電子部品（１０４、１０６、１０８）間に直列相互接続電気路が確立されるようにドリル加工される。
【選択図】図１Ｇ

7. 发明专利

JP5788500B2 点状相互接続及びビアを備えた薄膜モジュールのための方法及び装置有权
标题翻译：点状互连和用于与通孔薄膜组件的方法和装置
公开(公告)号：JP5788500B2
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：JP2013511781
申请日：2011-05-27
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフト , FLISOM AG
发明人：ツィルテナー,ロジャー , ケルン,ローラント , ブレマウト,ダーヴィト , ケラー,ビョルン
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0463
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521

8. 发明专利

JP2014518592A Thin film photovoltaic device and fabrication method 有权
公开(公告)号：JP2014518592A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2014505765
申请日：2012-04-17
申请人：フリソムアクツィエンゲゼルシャフトFlisom Ag , エムパEmpa
发明人：チリラ，エイドリアン , ナスティワリ，アヨディヤ , ブローシュ，パトリック , 西脇志朗 , ブレマウト，ダーヴィト
IPC分类号： H01L31/0749 , C23C14/06 , H01L21/363 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
摘要：バックコンタクト層（１２０）上に堆積される、光起電力Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ
２または同等のＡＢＣ
２層等のＡＢＣ吸収層（１３０）を含む薄膜光起電力装置（１００）の製作方法であって、前記方法は、１つまたは複数のステップにわたって少なくとも１つのＣ元素が存在する、少なくとも５つの堆積ステップを含み、第３および第４のステップのペアは、連続して繰り返し可能であることを特徴とする。第１のステップでは、少なくとも１つのＢ元素を堆積し、第２のステップでは、堆積速度比Ａ
ｒ／Ｂ
ｒ、第３のステップでは、前のステップの比よりも低いＡ
ｒ／Ｂ
ｒ比、第４のステップでは、前のステップの比よりも高いＡ
ｒ／Ｂ
ｒ比でのＡおよびＢ元素の堆積が続き、第５のステップでは、堆積元素の総量の最終比Ａ／Ｂを達成するためにＢ元素のみを堆積する。その結果得られる光起電力装置は、光暴露側から開始して、光起電力装置（１００）の吸収層（１３０）が、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）比が低下する第１の領域（５０１）と、それに続く、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）比が増加する第２の領域（５０２）とを含み、第２の領域（５０２）の半分の光暴露側にわたって、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）値が０．１５未満分増加し、少なくとも１つのハンプを含むことを特徴とする。
【選択図】図１

9. 发明专利

TW201711216A 具有電絕緣層之薄膜裝置审中-公开
简体标题：具有电绝缘层之薄膜设备
公开(公告)号：TW201711216A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105110857
申请日：2016-04-06
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：奈特爾湯瑪士 , NETTER, THOMAS , 歐得里基約翰 , OLDRIDGE, JOHN , 肯恩羅蘭 , KERN, ROLAND
IPC分类号： H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/049 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：本揭露提供一種光伏打設備，該光伏打設備包括一前薄片、一後薄片、以及配置於該前薄片與該後薄片之間的一光伏打裝置。該光伏打裝置包括在一第一方向中隔開的一第一光伏打電池及一第二光伏打電池。該光伏打裝置進一步包括具有在一第二方向中延伸之一長度的一第一串列互連件。該第一串列互連件配置於該第一光伏打電池與該第二光伏打電池之間。該第一光伏打電池與該第二光伏打電池藉由該第一互連件電性串聯。該光伏打設備進一步包括一間隔層，該間隔層包括配置於該第一互連件與該後薄片之間的一第一紗束。該第一紗束具有對準該第一串列互連件之長度的一長度。
简体摘要：本揭露提供一种光伏打设备，该光伏打设备包括一前薄片、一后薄片、以及配置于该前薄片与该后薄片之间的一光伏打设备。该光伏打设备包括在一第一方向中隔开的一第一光伏打电池及一第二光伏打电池。该光伏打设备进一步包括具有在一第二方向中延伸之一长度的一第一串行互连件。该第一串行互连件配置于该第一光伏打电池与该第二光伏打电池之间。该第一光伏打电池与该第二光伏打电池借由该第一互连件电性串联。该光伏打设备进一步包括一间隔层，该间隔层包括配置于该第一互连件与该后薄片之间的一第一纱束。该第一纱束具有对准该第一串行互连件之长度的一长度。

10. 发明专利

MY177799A FABRICATING THIN-FILM OPTOELECTRONIC DEVICES WITH ADDED POTASSIUM 未知
公开(公告)号：MY177799A
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：MYPI2015000665
申请日：2013-12-16
申请人： EMPA , FLISOM AG , FLISOM AG
发明人： CHIRILA ADRIAN , BUECHELER STEPHAN , PIANEZZI FABIAN , REINHARD PATRICK , TIWARI AYODHYA NATH
摘要： A method (200) and deposition zone apparatus (300) for fabricating thin-film optoelectronic devices (100), the method comprising: providing a potassium- nondiffusing substrate (110), forming a back-contact layer (120); forming at least one absorber layer (130) made of an ABC chalcogenide material, adding at least two different alkali metals, and forming at least one front-contact layer (150) wherein one of said at least two different alkali metals is potassium and where, following forming said front-contact layer, in the interval of layers (470) from back- contact layer (120), exclusive, to front-contact layer (150), inclusive, the comprised amounts resulting from adding at least two different alkali metals are, for potassium, in the range of 500 to 10000 ppm and, for the other of said at least two different alkali metals, in the range of 5 to 2000 ppm and at most 1/2 and at least 1/2000 of the comprised amount of potassium. The method (200) and apparatus (300) are advantageous for more environmentally-friendly production of photovoltaic devices (100) on flexible substrates with high photovoltaic conversion efficiency and faster production rate.

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