会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
下载
著录项
PDF全文
热词
    • 2. 发明申请
      WO2012143858A3 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
    • THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD
    • 薄膜光伏器件和制造方法
    • WO2012143858A3
    • 2012-12-27
    • PCT/IB2012051926
    • 2012-04-17
    • FLISOM AG , EMPA , CHIRILA ADRIAN , TIWARI AYODHYA NATH , BLOESCH PATRICK , NISHIWAKI SHIRO , BREMAUD DAVID
    • CHIRILA ADRIAN , TIWARI AYODHYA NATH , BLOESCH PATRICK , NISHIWAKI SHIRO , BREMAUD DAVID
    • H01L21/02 , H01L21/36
    • H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
    • A method to fabricate thin-film photovoltaic devices (100) comprising a photovoltaic Cu(In,Ga)Se2 or equivalent ABC absorber layer (130), such as an ABC2 layer, deposited onto a back-contact layer (120) characterized in that said method comprises at least five deposition steps, wherein the pair of third and fourth steps are sequentially repeatable, in the presence of at least one C element over one or more steps. In the first step at least one B element is deposited, followed in the second by deposition of A and B elements at a deposition rate ratio Ar/Br, in the third at a ratio Ar/Br lower than the previous, in the fourth at a ratio Ar/Br higher than the previous, and in the fifth depositing only B elements to achieve a final ratio A/B of total deposited elements. The resulting photovoltaic devices are characterized in that, starting from the light-exposed side, the absorber layer (130) of the photovoltaic devices (100) comprises a first region (501) of decreasing Ga / (Ga + In) ratio, followed by a second region (502) of increasing Ga / (Ga + In) ratio where over the light- exposed half side of the second region (502) the value of Ga / (Ga + In) increases by less than 0.15 and contains at least one hump.
    • 一种用于制造沉积在背接触层（120）上的包括光伏Cu（In，Ga）Se 2或等同的ABC吸收层（130）例如ABC2层的薄膜光伏器件（100）的方法，其特征在于， 所述方法包括至少五个沉积步骤，其中所述一对第三和第四步骤可以在一个或多个步骤中存在至少一种C元素的情况下顺序地重复。 在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接着第二次以沉积速率比率Ar / Br沉积A和B元素，第三次以比先前低的比例Ar / Br沉积第三次元素， 比率比Ar / Br高，并且在第五次仅沉积B元素以实现总沉积元素的最终比例A / B。 所得到的光伏器件的特征在于，从光暴露侧开始，光伏器件（100）的吸收层（130）包括Ga /（Ga + In）比率降低的第一区域（501），接着是 在Ga /（Ga + In）的值增加小于0.15的第二区域（502）的曝光半侧上方增加Ga /（Ga + In）比率的第二区域（502） 一个驼峰。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明专利
      ES2590464T3 Procedimiento para fabricar un dispositivo fotovoltaico de película delgada 未知
    • Procedimiento para fabricar un dispositivo fotovoltaico de película delgada
    • ES2590464T3
    • 2016-11-22
    • ES12726182
    • 2012-04-17
    • FLISOM AG , EMPA
    • CHIRILA ADRIAN , TIWARI AYODHYA NATH , BLOESCH PATRICK , NISHIWAKI SHIRO , BREMAUD DAVID
    • H01L21/36 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
    • Procedimiento para fabricar, por lo menos, una capa de absorción (130) para dispositivos fotovoltaicos de película delgada (100), cuya capa de absorción (130) está fabricada de un material de calcogenuro ABC, incluyendo variantes cuaternarias, pentanarias o multinarias del material de calcogenuro ABC, en que A representa elementos del grupo (11) de la tabla periódica de los elementos químicos definida por la Unión Internacional de Química Pura y Aplicada, incluyendo Cu y Ag, B representa elementos del grupo (13) de la tabla periódica incluyendo In, Ga y Al, y C representa elementos del grupo (16) de la tabla periódica incluyendo S, Se y Te, en las que dicha capa de absorción (130) está depositada sobre una capa de contacto posterior (120) soportada por un sustrato (110), comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas secuenciales (s1) a (s5), en el que las dos etapas (s3,r) y (s4,r) se ejecutan, por lo menos, una vez y se pueden repetir secuencialmente desde cero hasta un número R de veces, en que r es un índice de contaje de repetición que tiene un valor de 0 a R que identifica las sucesivas etapas (s3,r) y (s4,r), y en que la temperatura del sustrato (110) desde las etapas (s2) a (s5) es mayor que 350°C: (s1). depositar, por lo menos, un elemento B sobre la capa de contacto posterior (120) de dicho sustrato (110) en una cantidad mayor que el 10% y menor que el 90% de la cantidad total de elementos B requeridos al final del proceso de deposición, realizándose dicha deposición en presencia de, por lo menos, un elemento C; (s2). depositar una cantidad inicial de, por lo menos, un elemento A en combinación con, por lo menos, un elemento B y en presencia de, por lo menos, un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que: - Ar/Br > 1, y - la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s2) es:**Fórmula** (s3,r). depositar, por lo menos, un elemento A en combinación, por lo menos, con un elemento B y en presencia, por lo menos, de un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que: - Ar/Br es menor que 1/1,2 veces Ar/Br de la etapa anterior, y - la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s3,r) es:**Fórmula** (s4,r). depositar, por lo menos, un elemento A en combinación, por lo menos, con un elemento B y en presencia, por lo menos, de un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que: - Ar/Br es, por lo menos, 1,2 veces mayor que Ar/Br de la etapa anterior, y - la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s4,r) es:**Fórmula** (s5). depositar una cantidad inicial, por lo menos, de un elemento B en presencia, por lo menos, de un elemento C sobre la capa de absorción parcialmente completada (130), cambiando de ese modo la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapas (s5) a:**Fórmula**
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明专利
      BR112013026806A2 método de fabricação de pelo menos uma camada absorvente para dispositivos fotovoltaicos de película delgada 未知
    • método de fabricação de pelo menos uma camada absorvente para dispositivos fotovoltaicos de película delgada
    • BR112013026806A2
    • 2017-01-10
    • BR112013026806
    • 2012-04-17
    • EMPA , FLISOM AG
    • CHIRILA ADRIAN , TIWARI AYODHYA NATH , BREMAUD DAVID , BLOESCH PATRICK , NISHIWAKI SHIRO
    • H01L21/02 , H01L21/36
    • dispositivos fotovoltaicos de película delgada e método de fabricação trata-se de um método para fabricar dispositivos fotovoltaicos de película delgada (100) que compreende um cu (in, ga) se~ 2~ fotovoltaico ou camada absorvente de abc equivalente (130), tal como uma camada de abc~ 2~, depositado sobre uma camada de contato posterior (120) caracterizado pelo fato de que o dito método compreende pelo menos cinco etapas de deposição, em que o par de terceira e quarta etapas são sequencialmente repetíveis, na presença de pelo menos um elemento de c ao longo de uma ou mais etapas. na primeira etapa, pelo menos um elemento b é depositado, seguido na segunda etapa pela deposição de elementos de a e b em uma razação de taxa de deposição a~ r~/b~ r~, na terceira etapa em uma razão a~ r~/b~ r~ mais baixa que a anterior, na quarta etapa em uma razão a~ r~/b~ r~ mais alta que a anterior, e na quinta etapa depositando apenas elementos de b para alcançar uma razão final a/b de elementos depositados totais. os dispositivos fotovoltaicos resultantes são caracterizados pelo fato de que, começando do lado exposto à luz, a camada absorvente (130) dos dispositivos fotovoltaicos (100) compreende uma primeira de uma segunda região (501) de razão ga / (ga + in) decrescente, seguida de uma segunda região (502) de razão ga / (ga + in) crescente em que sobre metade do lado exposto à luz da segunda região (502) o valor de ga / (ga + in) aumenta em menos que 0,15 e contém pelo menos uma corcova.
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
每页展示10个专利
每页展示10个专利
每页展示20个专利
每页展示50个专利
每页展示100个专利

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号