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1. 发明专利

TW200923145A 分子束磊晶裝置及其運作方法 MBE-EINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB 审中-公开
简体标题：分子束磊晶设备及其运作方法 MBE-EINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB
公开(公告)号：TW200923145A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097144023
申请日：2008-11-14
申请人：福斯創弗邦柏林公司 FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V. , 費雪創新科技有限公司 CREATEC FISCHER & CO. GMBH
发明人：瓊海漢斯彼德 SCHOENHERR, HANS-PETTER , 費雪阿爾布雷特 FISCHER, ALBRECHT
IPC分类号： C30B , H01L , C23C
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/06 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要：一種用於反應沉積III族氮化物複合半導體之分子束磊晶裝置,包括一真空室,一第一冷凝裝置,一泵裝置以及一阻塞裝置。其中該真空室包含有至少一分子束源以及至少一噴射器用來噴射氨氣於真空室內;該第一冷凝裝置設有至少一冷凝捕集器用來凝結剩餘之氨氣;該泵裝置設有至少一泵用來抽空真空室;該阻塞裝置用來將第一冷凝裝置與真空室隔開。此外又包括該分子束磊晶裝置之運轉方法。
简体摘要：一种用于反应沉积III族氮化物复合半导体之分子束磊晶设备,包括一真空室,一第一冷凝设备,一泵设备以及一阻塞设备。其中该真空室包含有至少一分子束源以及至少一喷射器用来喷射氨气于真空室内;该第一冷凝设备设有至少一冷凝捕集器用来凝结剩余之氨气;该泵设备设有至少一泵用来抽空真空室;该阻塞设备用来将第一冷凝设备与真空室隔开。此外又包括该分子束磊晶设备之运转方法。

2. 发明专利

TWI599268B 具有調變式電漿供應之製程腔室有权
简体标题：具有调制式等离子供应之制程腔室
公开(公告)号：TWI599268B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW099110331
申请日：2010-04-02
申请人：柏林研發總會 , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V.
发明人：蓋雪羅蘭 , GESCHE, ROLAND
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32137

3. 发明专利

TWI411708B 非金屬熔融物凝固之方法失效
简体标题：非金属熔融物凝固之方法
公开(公告)号：TWI411708B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW098140371
申请日：2009-11-26
申请人：肖特太陽能公司 , SCHOTT SOLAR AG , 德國柏林研究聯合會 , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V.
发明人：布勒菲爾法蘭克 , BULLESFELD, FRANK , 夏爾屋維 , SAHR, UWE , 米勒沃凡 , MILLER, WOLFRAM , 魯道夫彼得 , RUDOLPH, PETER , 瑞斯烏維 , REHSE, UWE , 卓卡納塔莎 , DROPKA, NATASCHA
IPC分类号： C30B11/00 , C30B30/04
CPC分类号： C30B15/305 , C30B11/007

4. 发明专利

TW200723365A 厚III-N層的磊晶成長製法和包括III-N層之基體及其半導體元件 METHOD FOR PRODUCING III-N LAYERS, AND III-N LAYERS OR III-N SUBSTRATES, AND DEVICES BASED THEREON 审中-公开
简体标题：厚III-N层的磊晶成长制法和包括III-N层之基体及其半导体组件 METHOD FOR PRODUCING III-N LAYERS, AND III-N LAYERS OR III-N SUBSTRATES, AND DEVICES BASED THEREON
公开(公告)号：TW200723365A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095115987
申请日：2006-05-05
申请人：福斯創弗邦柏林公司 FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V. , 奧斯瑞姆光學半導體公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , 福朗霍弗公司 FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人：史庫茲 SCHOLZ, FERDINAND , 布魯克尼 BRUCKNER, PETER , 哈柏爾 HABEL, FRANK , 彼得 PETER, MATTHIAS , 科雷爾 KOHLER, KLAUS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , Y10S117/915 , Y10T428/24355
摘要：本案揭示一種厚III-N層的磊晶成長製法(III指元素週期表III族之至少一元素),其中厚III-N層是沉積在雜質基體上。磊晶成長製法最好利用HVPE進行。基體亦可為型板,包括雜質基體和至少一薄III-N中間層。表面品質可藉提供基體稍微刻意誤導取向,和/或降低N/III比,和/或接近磊晶成長製法結束時,降低反應器壓力,而加以改進。本案並揭示具有如此改進III-N層的基體和半導體元件。
简体摘要：本案揭示一种厚III-N层的磊晶成长制法(III指元素周期表III族之至少一元素),其中厚III-N层是沉积在杂质基体上。磊晶成长制法最好利用HVPE进行。基体亦可为型板,包括杂质基体和至少一薄III-N中间层。表面品质可藉提供基体稍微刻意误导取向,和/或降低N/III比,和/或接近磊晶成长制法结束时,降低反应器压力,而加以改进。本案并揭示具有如此改进III-N层的基体和半导体组件。

5. 发明授权

US08963427B2 Device and method for generating a plasma 有权
标题翻译：用于产生等离子体的装置和方法
公开(公告)号：US08963427B2
公开(公告)日：2015-02-24
申请号：US13847523
申请日：2013-03-20
申请人： Forschungsverbund Berlin E. V.
发明人： Silvio Kühn
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： A device (200) for generating a plasma that comprises a plasma source (241) designed as a hollow space and a resonator (201) that includes a waveguide (211, 212, 2131) and the plasma source (241), wherein the waveguide (212, 213) is operatively connected with the plasma source (241); the device further comprising a first coupling means (231) for energy introduction (251) and a second coupling means (232) for energy extraction (252), wherein each coupling means (231, 232) is in an energy- and signal-carrying (251, 252) operative connection with the waveguide; the device further comprising an active element (261) for energy supply to the resonator (201), operatively connected with the first (231) and the second (232) coupling means, wherein the plasma source (241) is at least partially integrated into a section of the waveguide (211, 212, 213) that extends between the first coupling means (231) and the second coupling means (232).
摘要翻译：一种用于产生包括设计为中空空间的等离子体源（241）和包括波导（211,212,2131）和等离子体源（241）的谐振器的等离子体的装置（200），其中所述波导（212,213）与等离子体源（241）可操作地连接; 所述装置还包括用于能量引入的第一耦合装置（231）和用于能量提取的第二耦合装置（232），其中每个耦合装置（231,232）处于能量和信号载体（251,252）与所述波导的操作连接; 该装置还包括用于向谐振器（201）供能的有源元件（261），其与第一（231）和第二（232）耦合装置可操作地连接，其中等离子体源（241）至少部分地集成到在第一耦合装置（231）和第二耦合装置（232）之间延伸的波导部分（211,212,213）。

6. 发明申请

WO2009062846A1 VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUR ZÜNDUNG UND AUFRECHTERHALTUNG EINES PLASMAS 审中-公开
标题翻译：方法和装置点火和维持一等离子体
公开(公告)号：WO2009062846A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/EP2008/064621
申请日：2008-10-28
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V. , GESCHE, Roland , PORTEANU, Horia-Eugen , KUEHN, Silvio
发明人： GESCHE, Roland , PORTEANU, Horia-Eugen , KUEHN, Silvio
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H01J65/042 , H05H1/2475 , H05H2001/2481
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Zündung und Aufrechterhaltung eines Plasmas in einem Gasraum und eine entsprechende, als Resonator ausgebildete Einrichtung. Das Verfahren und die Einrichtung sind insbesondere geeignet zur Realisierung einer Plasma-Lichtquelle. Vorgeschlagen wird, dass als Plasmaerzeuger ein Plasmagefäß mit mindestens einem mit dem zu ionisierenden Gas gefüllten Hohlraum verwendet wird, welches selbst mindestens teilweise aus piezoelektrischem Material besteht oder bei dem mindestens ein aus piezoelektrischem Material bestehender Resonanzkörper in den mindestens einen Hohlraum hineinragt, wobei das piezoelektrische Material durch eine äußere elektrische Anregung resonant in Schwingungen versetzt wird. Ein Plasmagefäß (1), das einen oder mehrere Hohlräume (2) enthält, die das zu ionisierende Gas enthalten, ist mindestens teilweise aus einem piezoelektrischen Material gefertigt oder es ragt ein aus piezoelektrischem Material bestehender Resonanzkörper (3) in mindestens einen Hohlraum (2) des Plasmagefäßes (1) hinein. Außen an dem piezoelektrischen Material sind Elektroden (4) angebracht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于点燃和维持在气体空间中的等离子体，并形成为谐振器装置对应的，的方法。该方法和装置特别适合于实现的等离子体光源。该等离子体容器与至少一个填充有曾经是电离气体腔作为等离子体生成器，其至少部分地由自压电材料或其中延伸的至少一个现有的压电材料的共振体到所述至少一个腔体，提出其中所述压电材料通过外部电刺激共振振动。含有一种或多种（2）含有所述气体空腔待离子化的等离子体容器（1），至少部分地由压电材料制成的，或者它突出的压电材料存在的共振体（3）在至少一个空腔（2）等离子体容器（1）插入它。在压电材料的外部连接电极（4）。

7. 发明申请

WO2009062845A2 VERFAHREN UND GENERATORSCHALTUNG ZUR ERZEUGUNG VON PLASMEN MITTELS HOCHFREQUENZANREGUNG 审中-公开
标题翻译：方法和发生器电路用于产生等离子体的高频刺激
公开(公告)号：WO2009062845A2
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/EP2008/064620
申请日：2008-10-28
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V. , GESCHE, Roland
发明人： GESCHE, Roland
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32082 , H01J37/32165
摘要： Zur Bereitstellung einer das Plasma aufrechterhaltenden Spannung wird nach dem Verfahren einer hochfrequente Spannung mit einer definierten Arbeitsfrequenz mindestens eine weitere hochfrequente Spannung mit jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz und jeweils einstellbarer Amplitude und Phase phasenstarr überlagert. Für eine entsprechende Generatorschaltung sind mindestens zwei Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) vorgesehen, von denen einer (1) bei einer definierten Arbeitsfrequenz (f) und der oder die die anderen (2 bis 4) bei jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz (f) arbeiten. Alle Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) sind phasenstarr miteinander gekoppelt und die relative Phasenlage sowie die jeweilige Amplitude jedes Hochfrequenz-Leistungsgenerators (1 bis 4) sind mittels einer eigenen Anpassungsschaltung (5 bis 8) einzeln regelbar. Alternativ dazu kann ein bei einer definierten Arbeitsfrequenz (f) arbeitender Oszillator und mindestens ein weiterer, dem Oszillator nachgeschalteter Frequenzvervielfacher vorgesehen sein, der oder die Harmonische dieser Arbeitsfrequenz (f) erzeugen.
摘要翻译：提供一种等离子体维持电压的至少一个进一步的高频电压，每个的多个所述工作频率，和各可调节的振幅和相位被叠加锁相环通过高频电压的具有限定的工作频率的方法。用于对应的发生器电路包括至少两个高频电力的发电机（1至4）被提供，其中一个（1）在给定的工作频率（f）和或其他（2〜4）在每种情况下该操作频率的倍数（F）的工作。任何高频功率发生器（1〜4）被相位锁定到彼此和相对相位位置以及各高频功率发生器的（1〜4）的各振幅是分别由单独的匹配电路（5至8）进行调节。可替代地，它可以在一个限定的工作频率（f）操作振荡器和至少一个另外的，下游以将振荡器频率，或可以提供产生这种工作频率的谐波（F）。

8. 发明申请

WO2022129075A1 LASERDIODE MIT INTEGRIERTER THERMISCHER BLENDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022129075A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/EP2021/085730
申请日：2021-12-14
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V.
发明人： DELLA CASA, Pietro , CRUMP, Paul , ELATTAR, Mohamed , KAROW, Matthias M.
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/0237 , H01S5/323
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit einer integrierten thermischen Blende. Eine erfindungsgemäße Laserdiode (10) umfasst eine zwischen einem n-dotierten Halbleitermaterial (12) und einem p-dotierten Halbleitermaterial (16) ausgebildete aktive Schicht (14), wobei die aktive Schicht (14) entlang einer Längsachse eine aktive Zone (40) mit einer Breite w zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausbildet; wobei im p-dotierten Halbleitermaterial (16) und/oder im n-dotierten Halbleitermaterial (12) eine schichtförmig ausgebildete thermische Blende (18) mit einem Wärmeleitkoeffizient kblock kleiner als ein Wärmeleitkoeffizient kbulk des entsprechenden Halbleitermaterials (16, 12) für einen räumlich selektiven Wärmetransport von der aktiven Zone (40) zu einer der aktiven Schicht (14) gegenüberliegenden Seite des entsprechenden Halbleitermaterials (16, 12) ausgebildet ist.

9. 发明申请

WO2011063795A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON EINKRISTALLEN AUS HALBLEITERMATERIAL 审中-公开
标题翻译：方法和设备的半导体材料单晶生产
公开(公告)号：WO2011063795A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/DE2010/001371
申请日：2010-11-23
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V. , RIEMANN, Helge , ABROSIMOV, Nikolai, V. , FISCHER, Jörg , RENNER, Matthias
发明人： RIEMANN, Helge , ABROSIMOV, Nikolai, V. , FISCHER, Jörg , RENNER, Matthias
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1056
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mit den Materialeigenschaften des FZ-Verfahrens aus Halbleitermaterial unter Verwendung eines Eigentiegels. Mit dem Verfahren sollen die typischen Nachteile der bekannten Verfahren vermieden werden. Beim Czochralski-Verfahren wird durch den Tiegel die Schmelze und damit der Kristall verunreinigt. Beim Pedestalverfahren hat der gezogene Einkristall immer einen geringeren Durchmesser als der verwendete Rohstab. Erfindungsgemäß wird der Einkristall (6) an einem Impfkristall durch die Zentralöffnung (5) eines Induktors (4) gezogen, der aus einer flachen Scheibe gebildet wird, die oberhalb einer körnigen Schüttung aus dem Halbleitermaterial (2), die sich in einem für hochfrequente Magnetfelder durchlässigen Gefäß (1) befindet, angeordnet ist. Der Induktor (4) verfügt über eine zusätzliche Öffnung, durch die über eine Nachchargiervorrichtung (10) Halbleitermaterial nachfüllbar ist. Das körnige Halbleitermaterial bildet als Gefäß für den Schmelzensee (7) quasi einen "Eigentiegel". Die Größe des Schmelzensees (7) kann mit dem oberhalb des Schmelzensees angeordneten Induktor (4) gesteuert werden. Damit für große Kristalldurchmesser der Schmelzensee (7) im Zentrum unterhalb der Kristallisationsphasengrenze ausreichend tief ist, ist eine zusätzliche Induktionsheizung (8, 9) vorgesehen. Diese Induktionsheizung (8, 9) ist vorzugsweise in Form einer mehrwindigen Spule ausgestaltet, deren Windungen um das Gefäß herum angeordnet sind. Es wird eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens vorgeschlagen.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和用于生产单晶与使用自坩埚的半导体材料的FZ法的材料性质的装置。根据上述方法，已知方法的典型缺点是要避免的。在直拉法，熔体和晶体是由坩埚的污染。当Pedestalverfahren提拉单晶总是具有比所使用的原料棒更小的直径。在无线电频率磁场，根据本发明，在晶种上的单晶（6）通过电感器（4），其从平坦的盘，上面的半导体材料组成的颗粒床形成的中央开口（5）拉（2）延伸的可渗透容器（1），被布置。电感器（4）具有一个额外的开口，通过该Nachchargiervorrichtung（10）的半导体材料是可再填充的。粒状半导体材料形成了一种“自坩埚”作为Schmelzensee的容器（7）。熔化湖（7）的大小可通过布置在熔化湖电感器（4）中进行控制。因此，对于Schmelzensee的大晶体直径（7）是在结晶相界，一个额外的感应加热下面的中心足够深（8,9）被提供。该感应加热（8,9）在一个更多风线圈匝，其被布置在容器周围的形式优选地被配置。它提出了一种用于执行该方法的装置。

10. 发明申请

WO2011003626A1 INDUKTION VON α-HELIX-KONFORMATIONEN IN PROTEINEN UND PEPTIDEN 审中-公开
标题翻译：在蛋白质和肽α-螺旋-构象感应
公开(公告)号：WO2011003626A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/EP2010/004213
申请日：2010-07-09
申请人： UNIVERSITÄT ZU KÖLN , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E. V. , SCHMALZ, Hans-Günther , KUHNE, Ronald , HACK, Verena , REUTER, Cédric
发明人： SCHMALZ, Hans-Günther , KUHNE, Ronald , HACK, Verena , REUTER, Cédric
IPC分类号： C07D487/18 , A61K31/407 , A61P25/28 , A61P31/00 , A61P35/00
CPC分类号： C07D487/18
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft substituierte tricyclische Diprolin-Analoga der Formel (I), Verfahren zu ihrer Herstellung, ihre Verwendung zur Induktion einer alpha-Helix- Konformation in Peptiden und/oder Proteinen, Arzneimittel enthaltend diese Verbindungen, die Verwendung dieser Verbindungen zur Herstellung von Arzneimitteln, Verfahren zur Herstellung einer Peptid-Bibliothek enthaltend diese Verbindungen und Peptid-Bibliotheken enthaltend diese Verbindungen.
摘要翻译：本发明涉及式（I），它们的制备方法，它们的用途，以诱导在含有这些化合物中，用于生产药物的用途，这些化合物的肽和/或蛋白质的药物组合物的α-螺旋构象的取代的三环Diprolin类似物用于生产含有这些化合物和含有这些化合物的肽文库的肽库的方法。

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