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1. 发明申请

WO2012080989A2 PHOTODETECTION DEVICE 审中-公开
标题翻译：光电检测设备
公开(公告)号：WO2012080989A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/IB2011055742
申请日：2011-12-16
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ESPIAU DE LAMAESTRE ROCH , LARGERON CHRISTOPHE
发明人： ESPIAU DE LAMAESTRE ROCH , LARGERON CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L31/0232
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/0232
摘要： The present invention relates to a photodetector for detecting an infrared-light emission having a given wavelength (?) comprising a multilayer with: a layer (11) of a partially absorbent semiconductor; a spacer layer (12) made of a material that is transparent to said wavelength; and a structured metallic mirror (13), the distance (g) between the top of said mirror and said spacer layer being smaller than ? and said mirror comprising a network of holes defining an array of metallic reliefs with a pitch P of between 0.5 ?/nSC and 1.5 ?/nSC, where nSC is the real part of the refractive index of the semiconductor, a relief width L of between 9P/10 and P/2 and a hole depth h of between ?/100 and ?/15.
摘要翻译：本发明涉及一种用于检测具有给定波长（λ）的红外光发射的光电检测器，该光电检测器包括具有以下部分的多层：部分吸收型半导体层（11）由对所述波长透明的材料制成的隔离层（12）和结构化金属反射镜（13）之间，所述反射镜的顶部与所述间隔层之间的距离（g）小于λ 并且所述反射镜包括孔洞网络，所述孔洞网络限定具有介于0.5λ/ nSC和1.5λ/ nSC之间的间距P的金属浮雕阵列，其中nSC是所述半导体的折射率的实部， 9P / 10和P / 2，孔深度h在λ/ 100和λ/ 15之间。

2. 发明申请

WO2012080989A3 DISPOSITIF DE PHOTODETECTION 审中-公开
公开(公告)号：WO2012080989A3
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/IB2011/055742
申请日：2011-12-16
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ESPIAU DE LAMAESTRE, Roch , LARGERON, Christophe
发明人： ESPIAU DE LAMAESTRE, Roch , LARGERON, Christophe
IPC分类号： H01L31/0232
摘要： La présente invention concerne un photodétecteur pour une radiation lumineuse infrarouge d'une longueur d'onde donnée (λ) comprenant un empilement de couches avec : - une couche (11 ) d'un matériau semi-conducteur partiellement absorbant, - une couche (12) d'espacement en un matériau transparent à ladite longueur d'onde, et - un miroir métallique structuré (13), la distance (g) entre le sommet dudit miroir et ladite couche d'espacement étant inférieure à λ et ledit miroir présentant un réseau de trous définissant un réseau de reliefs métalliques avec un pas P compris entre 0,5 λ/nSC et 1,5 λ/nSC, où nSC est la partie réelle de l'indice de réfraction du matériau semi-conducteur, une largeur L de relief comprise entre 9P/10 et P/2 et une profondeur h de trou comprise entre λ/100 et λ/15.

3. 发明申请

WO2012150474A1 SURFACE PLASMON DEVICE 审中-公开
标题翻译：表面等离子体装置
公开(公告)号：WO2012150474A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/IB2011/001492
申请日：2011-05-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , EMBORAS, Alexandros , ESPIAU DE LAMAESTRE, Roch
发明人： EMBORAS, Alexandros , ESPIAU DE LAMAESTRE, Roch
IPC分类号： G02F1/025
CPC分类号： H01L31/0224 , G02F1/025 , G02F2203/10
摘要： The electro-optical device comprises a semiconductor layer (2), a first metal layer (5) and an electrical insulator layer (3) disposed between the semiconductor layer (2) and the first metal layer (5). The electrical insulator layer (3) comprises a silicon nitride layer (4) so as to provide an interface between the first metal layer (5) and the silicon nitride layer (4). The electro- optical device is configured to carry a plasmonic wave.
摘要翻译：电光装置包括设置在半导体层（2）和第一金属层（5）之间的半导体层（2），第一金属层（5）和电绝缘体层（3）。电绝缘体层（3）包括氮化硅层（4），以在第一金属层（5）和氮化硅层（4）之间提供界面。电光器件被配置为承载等离子体波。

4. 发明申请

WO2012080989A4 PHOTODETECTION DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012080989A4
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/IB2011055742
申请日：2011-12-16
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ESPIAU DE LAMAESTRE ROCH , LARGERON CHRISTOPHE
发明人： ESPIAU DE LAMAESTRE ROCH , LARGERON CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L31/0232
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/0232
摘要： The present invention relates to a photodetector for detecting an infrared-light emission having a given wavelength (?) comprising a multilayer with: a layer (11) of a partially absorbent semiconductor; a spacer layer (12) made of a material that is transparent to said wavelength; and a structured metallic mirror (13), the distance (g) between the top of said mirror and said spacer layer being smaller than ? and said mirror comprising a network of holes defining an array of metallic reliefs with a pitch P of between 0.5 ?/nSC and 1.5 ?/nSC, where nSC is the real part of the refractive index of the semiconductor, a relief width L of between 9P/10 and P/2 and a hole depth h of between ?/100 and ?/15.

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