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    • 3. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR MESSUNG DES SCHICHTWIDERSTANDS VON MINDESTENS ZWEISCHICHTIGEN ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN ÜBER TRENNGRÄBEN
    • 用于测量至少两点电子元件上涂层电阻的方法
    • WO2008053032A1
    • 2008-05-08
    • PCT/EP2007/061799
    • 2007-11-01
    • SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBHMEEDER, AlexanderSPRENGER, SvenDITTMAR, BenjaminSAATCI, Gürol
    • MEEDER, AlexanderSPRENGER, SvenDITTMAR, BenjaminSAATCI, Gürol
    • G01R31/26H01L31/032H01L31/18
    • H01L31/0322H01L31/208H02S50/10Y02E10/541Y02P70/521
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung des Schichtwiderstands von mindestens zweischichtigen elektronischen Bauelementen über Trenngräben in mindestens einer Schicht. Das Verfahren ist insbesondere geeignet für die Prozesskontrolle von Dünnschicht-Solarzellen, beispielsweise Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzellen, aber auch von anderen Bauelementen mit metallischen oder halbleitenden Schichten auf einem Substrat, die durch Trenngräben in einzelne nebeneinander liegende Abschnitte geteilt sind. Vorgeschlagen wird, dass nach dem Aufbringen mindestens einer weiteren Schicht auf die Schicht, in die die Trenngräben eingebracht wurden, ausgehend von einem Kontaktpunkt nacheinander die Widerstände (R) über mindestens einen Trenngraben (P1) und über mindestens jeweils einen weiteren Trenngraben hinweg zu diesem Kontaktpunkt gemessen und aus den gemessenen Werten der Gesamt-Schichtwiderstand (R/P1) über die Anzahl der Trenngräben gemittelt wird. Mit dem Verfahren kann zum Beispiel der Herstellungsprozess der eingangs genannten Bauelemente so überwacht werden, dass Fertigungsmängel bereits während des Herstellungsprozesses erkannt werden können.
    • 本发明涉及一种通过在至少一个层中分离颗粒来测量至少两层电子部件的薄层电阻的方法。 该方法特别适用于导航用R,d导航用途nnschicht太阳能电池的过程控制,例如黄铜矿-d导航用途nnschicht太阳能电池,而且也从与在衬底上的金属或半导电层的其它成分,通过TrenngrÄ贲成单独的相邻部分 被分开。 被引入本,从其它电阻后接触的一个点开始的熊NDE(R)在至少一个划界沟槽(P1)和OVER至少那之后,其中Trenngr&AUML提出的层上应用的至少一个另外的层 在每种情况下,在该接触点处测量另外的分离槽,并且使用测量值来将总的薄层电阻(R / P1)平均分离值的数量。 利用该方法,例如,可以监视上述部件的制造过程,从而在制造过程中已经可以检测到制造缺陷
    • 5. 发明申请
    • METHOD FOR MEASURING THE SHEET RESISTANCE OF AT LEAST TWO-LAYERED ELECTRONIC COMPONENTS VIA ISOLATION TRENCHES
    • 法电阻测量该层的至少两个层分离沟槽的电子器件
    • WO2008053032A8
    • 2008-09-18
    • PCT/EP2007061799
    • 2007-11-01
    • SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBHMEEDER ALEXANDERSPRENGER SVENDITTMAR BENJAMINSAATCI GUEROL
    • MEEDER ALEXANDERSPRENGER SVENDITTMAR BENJAMINSAATCI GUEROL
    • G01R31/26H01L31/032H01L31/18
    • H01L31/0322H01L31/208H02S50/10Y02E10/541Y02P70/521
    • The invention relates to a method for measuring the sheet resistance of at least two-layered electronic components via isolation trenches in at least one layer. The method is suitable in particular for the process control of thin-film solar cells, for example chalcopyrite thin-film solar cells, but also of other components with metallic or semiconducting layers on a substrate which are divided into individual sections lying next to one another by isolation trenches. It is proposed that after at least one further layer has been applied to the layer into which the isolation trenches were introduced, proceeding from a contact point, the resistances (R) are successively measured over at least one isolation trench (P1) and over at least respectively one further isolation trench to said contact point and from the measured values the total sheet resistance (R/P1) is averaged over the number of isolation trenches. The method can be used for example to monitor the production process of the components mentioned at the outset such that manufacturing deficiencies can be identified as early as during the production process.
    • 本发明涉及一种用于在至少一个层通过隔离沟槽测量至少两个层的电子元件的薄层电阻的方法。 该方法特别适合用于薄膜太阳能电池的过程控制,例如黄铜矿薄膜太阳能电池,而且还从在基板上用金属或半导体层的其它组分,其通过分离沟槽成单独的相邻部分分开。 所以建议在其中隔离沟槽是在序列中引入,通过至少一个划界沟槽(P1)和在至少在每种情况下的时间进一步分离槽到该接触点的开始从一个接触点(R)的电阻器的至少一个另外的层的层上的应用程序之后 测量并从隔离沟槽的数量的总的薄层电阻(R / P1)的测量值进行平均。 利用该方法,例如,可以监视上述组件的制造过程中,使得制造缺陷可以在制造过程中已经被检测到。