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1. 发明授权

US09409763B2 MEMS device and method of making a MEMS device 有权
标题翻译： MEMS器件和制造MEMS器件的方法
公开(公告)号：US09409763B2
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：US13439729
申请日：2012-04-04
申请人： Alfons Dehe , Martin Wurzer , Christian Herzum
发明人： Alfons Dehe , Martin Wurzer , Christian Herzum
IPC分类号： H04R19/04 , B81B3/00 , H04R19/00 , H04R7/06
CPC分类号： B81B3/007 , B81B3/0018 , B81B3/0035 , B81B3/0051 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , H04R7/06 , H04R19/005 , H04R19/04
摘要： A MEMS device and a method of making a MEMS device are disclosed. In one embodiment a semiconductor device comprises a substrate, a moveable electrode and a counter electrode, wherein the moveable electrode and the counter electrode are mechanically connected to the substrate. The movable electrode is configured to stiffen an inner region of the movable membrane.
摘要翻译：公开了MEMS器件和制造MEMS器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括衬底，可移动电极和对电极，其中可移动电极和对电极机械连接到衬底。可移动电极构造成加强可移动膜的内部区域。

2. 发明申请

US20130277776A1 Packaged MEMS Device and Method of Calibrating a Packaged MEMS Device 有权
标题翻译：封装MEMS器件和校准封装的MEMS器件的方法
公开(公告)号：US20130277776A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：US13453883
申请日：2012-04-23
申请人： Christian Herzum , Martin Wurzer , Roland Helm , Michael Kropfitsch , Stefan Barzen
发明人： Christian Herzum , Martin Wurzer , Roland Helm , Michael Kropfitsch , Stefan Barzen
IPC分类号： H01L29/84 , G01H5/00
CPC分类号： H03K3/01 , B81C1/0023 , B81C99/0045 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H03G3/3005 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R29/006 , H04R2201/003
摘要： A packaged MEMS device and a method of calibrating a packaged MEMS device are disclosed. In one embodiment a packaged MEMS device comprises a carrier, a MEMS device disposed on the substrate, a signal processing device disposed on the carrier, a validation circuit disposed on the carrier; and an encapsulation disposed on the carrier, wherein the encapsulation encapsulates the MEMS device, the signal processing device and the memory element.
摘要翻译：公开了封装的MEMS器件和校准封装的MEMS器件的方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括载体，设置在衬底上的MEMS器件，设置在载体上的信号处理器件，设置在载体上的校验电路; 以及封装，其布置在所述载体上，其中所述封装封装所述MEMS器件，所述信号处理器件和所述存储器元件。

3. 发明授权

US07030457B2 Capacitor and method for producing a capacitor 有权
标题翻译：电容器及其制造方法
公开(公告)号：US07030457B2
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：US10853740
申请日：2004-05-25
申请人： Carsten Ahrens , Angelika Geiselbrechtinger , Wolfgang Hartung , Christian Herzum , Reinhard Losehand
发明人： Carsten Ahrens , Angelika Geiselbrechtinger , Wolfgang Hartung , Christian Herzum , Reinhard Losehand
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L29/66181 , H01L29/945
摘要： A capacitor includes a semiconductor substrate in which a trench is formed through which the substrate is doped. A dielectric layer covers the surface of the trench, wherein furthermore an electrically conductive material is arranged in the trench. A first contact structure for contacting the electrically conductive material in the trench in an electrically conductive manner and a second contact structure for contacting the doped semiconductor substrate in an electrically conductive manner are also formed in the capacitor. The capacitor has low series resistance of the electrodes and may be produced in a simple manner.
摘要翻译：电容器包括其中形成沟槽的半导体衬底，衬底通过该沟槽被掺杂。电介质层覆盖沟槽的表面，此外，导电材料还设置在沟槽中。用于以导电方式接触沟槽中的导电材料的第一接触结构和用于以导电方式接触掺杂半导体衬底的第二接触结构也形成在电容器中。电容器具有低的电极串联电阻，并且可以以简单的方式制造。

4. 发明授权

US09210516B2 Packaged MEMS device and method of calibrating a packaged MEMS device 有权
标题翻译：封装的MEMS器件和校准封装的MEMS器件的方法
公开(公告)号：US09210516B2
公开(公告)日：2015-12-08
申请号：US13453883
申请日：2012-04-23
申请人： Christian Herzum , Martin Wurzer , Roland Helm , Michael Kropfitsch , Stefan Barzen
发明人： Christian Herzum , Martin Wurzer , Roland Helm , Michael Kropfitsch , Stefan Barzen
IPC分类号： H01L29/84 , H04R19/04 , B81C1/00 , B81C99/00 , H04R29/00
CPC分类号： H03K3/01 , B81C1/0023 , B81C99/0045 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H03G3/3005 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R29/006 , H04R2201/003
摘要： A packaged MEMS device and a method of calibrating a packaged MEMS device are disclosed. In one embodiment a packaged MEMS device comprises a carrier, a MEMS device disposed on the substrate, a signal processing device disposed on the carrier, a validation circuit disposed on the carrier; and an encapsulation disposed on the carrier, wherein the encapsulation encapsulates the MEMS device, the signal processing device and the memory element.
摘要翻译：公开了封装的MEMS器件和校准封装的MEMS器件的方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括载体，设置在衬底上的MEMS器件，设置在载体上的信号处理器件，设置在载体上的校验电路; 以及封装，其布置在所述载体上，其中所述封装封装所述MEMS器件，所述信号处理器件和所述存储器元件。

5. 发明授权

US07696591B2 Overvoltage protection apparatus and an associated protection circuit 有权
标题翻译：过压保护装置及相关保护电路
公开(公告)号：US07696591B2
公开(公告)日：2010-04-13
申请号：US11828282
申请日：2007-07-25
申请人： Michael Schrenk , Christian Herzum
发明人： Michael Schrenk , Christian Herzum
IPC分类号： H01L27/095
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/861
摘要： The invention relates to an overvoltage protection apparatus having a semiconductor substrate, a first doping region in order to provide a protection diode, and a second doping region in order to provide a protection resistance, with the second doping region being immediately adjacent to the first doping region.
摘要翻译：本发明涉及一种具有半导体衬底的过电压保护装置，为了提供保护二极管的第一掺杂区域和第二掺杂区域以提供保护电阻，第二掺杂区域紧邻第一掺杂地区。

6. 发明授权

US07262118B2 Method for generating a structure on a substrate 有权
标题翻译：在基板上产生结构的方法
公开(公告)号：US07262118B2
公开(公告)日：2007-08-28
申请号：US11062883
申请日：2005-02-22
申请人： Christian Herzum
发明人： Christian Herzum
IPC分类号： H01L21/425
CPC分类号： H01L21/2815
摘要： The invention relates to a method for generating very short gate structures. In a method for generating a structure on a substrate in accordance with one embodiment of the invention, first of all a layer sequence of a first oxide layer, a first nitride layer and a second oxide layer is disposed onto the substrate. Subsequently, a portion of the second oxide layer and a portion of the first nitride layer is removed in order to expose a portion of the first oxide layer. Then, a part of the first nitride layer above the first oxide layer and below the second oxide layer is removed in order to expose the area of the structure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生非常短的门结构的方法。在根据本发明的一个实施例的用于在衬底上产生结构的方法中，首先将第一氧化物层，第一氮化物层和第二氧化物层的层序列设置在衬底上。随后，去除第二氧化物层的一部分和第一氮化物层的一部分，以暴露第一氧化物层的一部分。然后，除去第一氧化物层之上和第二氧化物层之下的第一氮化物层的一部分以暴露结构的区域。

7. 发明授权

US08723277B2 Tunable MEMS device and method of making a tunable MEMS device 有权
标题翻译：可调谐MEMS器件和制造可调MEMS器件的方法
公开(公告)号：US08723277B2
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：US13408928
申请日：2012-02-29
申请人： Alfons Dehe , Martin Wurzer , Christian Herzum , Wolfgang Klein , Stefan Barzen
发明人： Alfons Dehe , Martin Wurzer , Christian Herzum , Wolfgang Klein , Stefan Barzen
IPC分类号： H01L29/84
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/0257 , H04R1/04 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/006
摘要： A tunable MEMS device and a method of manufacturing a tunable MEMS device are disclosed. In accordance with an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises a substrate, a moveable electrode and a counter electrode. The moveable electrode or the counter electrode comprises a first region and a second region, wherein the first region is isolated from the second region, wherein the first region is configured to be tuned, wherein the second region is configured to provide a sensing signal or control a system, and wherein the moveable electrode and the counter electrode are mechanically connected to the substrate.
摘要翻译：公开了一种可调谐MEMS器件和制造可调谐MEMS器件的方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括衬底，可移动电极和对电极。可移动电极或对电极包括第一区域和第二区域，其中第一区域与第二区域隔离，其中第一区域被配置为被调谐，其中第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，并且其中可移动电极和对电极机械地连接到基板。

8. 发明申请

US20090015975A1 Overvoltage Protection Apparatus and an Associated Protection Circuit 有权
标题翻译：过电压保护装置及相关保护电路
公开(公告)号：US20090015975A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：US11828282
申请日：2007-07-25
申请人： Michael Schrenk , Christian Herzum
发明人： Michael Schrenk , Christian Herzum
IPC分类号： H02H3/20
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/861
摘要： The invention relates to an overvoltage protection apparatus having a semiconductor substrate, a first doping region in order to provide a protection diode, and a second doping region in order to provide a protection resistance, with the second doping region being immediately adjacent to the first doping region.
摘要翻译：本发明涉及一种具有半导体衬底的过电压保护装置，为了提供保护二极管的第一掺杂区域和第二掺杂区域以提供保护电阻，第二掺杂区域紧邻第一掺杂地区。

9. 发明申请

US20050196968A1 Method for generating a structure on a substrate 有权
标题翻译：在基板上产生结构的方法
公开(公告)号：US20050196968A1
公开(公告)日：2005-09-08
申请号：US11062883
申请日：2005-02-22
申请人： Christian Herzum
发明人： Christian Herzum
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/2815
摘要： The invention relates to a method for generating very short gate structures. In a method for generating a structure on a substrate in accordance with one embodiment of the invention, first of all a layer sequence of a first oxide layer, a first nitride layer and a second oxide layer is disposed onto the substrate. Subsequently, a portion of the second oxide layer and a portion of the first nitride layer is removed in order to expose a portion of the first oxide layer. Then, a part of the first nitride layer above the first oxide layer and below the second oxide layer is removed in order to expose the area of the structure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生非常短的门结构的方法。在根据本发明的一个实施例的用于在衬底上产生结构的方法中，首先将第一氧化物层，第一氮化物层和第二氧化物层的层序列设置在衬底上。随后，去除第二氧化物层的一部分和第一氮化物层的一部分，以暴露第一氧化物层的一部分。然后，除去第一氧化物层之上和第二氧化物层之下的第一氮化物层的一部分以暴露结构的区域。

10. 发明申请

US20130221453A1 Tunable MEMS Device and Method of Making a Tunable MEMS Device 有权
标题翻译：可调谐MEMS器件和制造可调谐MEMS器件的方法
公开(公告)号：US20130221453A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：US13408928
申请日：2012-02-29
申请人： Alfons Dehe , Martin Wurzer , Christian Herzum , Wolfgang Klein , Stefan Barzen
发明人： Alfons Dehe , Martin Wurzer , Christian Herzum , Wolfgang Klein , Stefan Barzen
IPC分类号： H01L29/84
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/0257 , H04R1/04 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/006
摘要： A tunable MEMS device and a method of manufacturing a tunable MEMS device are disclosed. In accordance with an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises a substrate, a moveable electrode and a counter electrode. The moveable electrode or the counter electrode comprises a first region and a second region, wherein the first region is isolated from the second region, wherein the first region is configured to be tuned, wherein the second region is configured to provide a sensing signal or control a system, and wherein the moveable electrode and the counter electrode are mechanically connected to the substrate.
摘要翻译：公开了一种可调谐MEMS器件和制造可调谐MEMS器件的方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括衬底，可移动电极和对电极。可移动电极或对电极包括第一区域和第二区域，其中第一区域与第二区域隔离，其中第一区域被配置为被调谐，其中第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，并且其中可移动电极和对电极机械地连接到基板。

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