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1. 发明授权

US08266555B2 Method for manufacturing an exposure mask 失效
标题翻译：曝光掩模的制造方法
公开(公告)号：US08266555B2
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：US12494248
申请日：2009-06-29
申请人： Cheol kyun Kim
发明人： Cheol kyun Kim
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/84 , G06F2217/12 , Y02P90/265
摘要： A weak point detecting method of the present invention designs a target layout, and compensates an optical proximity effect for the target layout, thereafter, verifies the target layout in which the optical proximity effect is compensated by using an NILS of the target layout, thereby, enabling to reduce the time and cost in detecting a weak point for a full chip regardless of the size and form of a pattern.
摘要翻译：本发明的弱点检测方法设计目标布局，并补偿目标布局的光学邻近效应，此后，通过使用目标布局的NILS来验证补偿光学邻近效应的目标布局，能够减少检测全芯片的弱点的时间和成本，而不管图案的大小和形式如何。

2. 发明申请

US20100248089A1 METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION 失效
标题翻译：光学近似校正方法
公开(公告)号：US20100248089A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：US12639203
申请日：2009-12-16
申请人： Cheol Kyun KIM
发明人： Cheol Kyun KIM
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70
摘要： Provided is a method for optical proximity correction for use in manufacturing highly resolved semiconductor chips. The method includes setting a target layout; setting a peculiar area; sorting the peculiar area from the target layout; generating a marking layer; resetting a critical dimension (CD) of a peculiar pattern; compensating an optical proximity effect; and manufacturing a mask. The method provides an improved way of improving more accurately CD uniformity by performing optical proximity correction with respect to a pattern to which a bias rule is difficult to apply due to an absence of an adjacent pattern.
摘要翻译：提供一种用于制造高分辨率半导体芯片的光学邻近校正方法。该方法包括设置目标布局; 设置一个特殊区域; 从目标布局中分选特有区域; 产生标记层; 复位特殊模式的关键维度（CD）; 补偿光学邻近效应; 并制造面具。该方法提供了通过对由于不存在相邻图案而难以应用偏置规则的图案执行光学邻近校正来提高更准确地CD均匀性的改进方法。

3. 发明授权

US07803677B2 Manufacturing method of semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US07803677B2
公开(公告)日：2010-09-28
申请号：US12133751
申请日：2008-06-05
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L29/66666
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, particularly a vertical transistor, including forming a contact hole and forming a pillar using an epitaxial growth process.
摘要翻译：一种制造半导体器件，特别是垂直晶体管的方法，包括使用外延生长工艺形成接触孔和形成柱。

4. 发明申请

US20100162195A1 METHOD FOR DETECTING A WEAK POINT 失效
标题翻译：检测弱点的方法
公开(公告)号：US20100162195A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：US12494248
申请日：2009-06-29
申请人： Cheol Kyun KIM
发明人： Cheol Kyun KIM
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/84 , G06F2217/12 , Y02P90/265
摘要： A weak point detecting method of the present invention designs a target layout, and compensates an optical proximity effect for the target layout, thereafter, verifies the target layout in which the optical proximity effect is compensated by using an NILS of the target layout, thereby, enabling to reduce the time and cost in detecting a weak point for a full chip regardless of the size and form of a pattern.
摘要翻译：本发明的弱点检测方法设计目标布局，并补偿目标布局的光学邻近效应，此后，通过使用目标布局的NILS来验证补偿光学邻近效应的目标布局，能够减少检测全芯片的弱点的时间和成本，而不管图案的大小和形式如何。

5. 发明申请

US20090176340A1 Manufacturing Method Of Semiconductor Device 失效
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US20090176340A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：US12133751
申请日：2008-06-05
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L29/66666
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, particularly a vertical transistor, including forming a contact hole and forming a pillar using an epitaxial growth process.
摘要翻译：一种制造半导体器件，特别是垂直晶体管的方法，包括使用外延生长工艺形成接触孔和形成柱。

6. 发明申请

US20090111273A1 Method for Manufacturing Semiconductor Device 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：US20090111273A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：US12116367
申请日：2008-05-07
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/0334 , H01L21/0337
摘要： The invention defines a pillar pattern or an island pattern by forming a contact hole and filling the contact hole with a hard mask material by using a spacer formation process, so that the mask pattern formation process margin for island (e.g., pillar) pattern formation is increased. Accordingly, the yield and reliability of the formation process of a semiconductor device are improved.
摘要翻译：本发明通过使用间隔物形成工艺形成接触孔并用硬掩模材料填充接触孔来限定柱状图案或岛状图案，使得岛（例如，柱）图案形成的掩模图案形成处理余量为增加。因此，提高了半导体器件的形成过程的产量和可靠性。

7. 发明授权

US08440570B2 Method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US08440570B2
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：US12116367
申请日：2008-05-07
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/0334 , H01L21/0337
摘要： The invention defines a pillar pattern or an island pattern by forming a contact hole and filling the contact hole with a hard mask material by using a spacer formation process, so that the mask pattern formation process margin for island (e.g., pillar) pattern formation is increased. Accordingly, the yield and reliability of the formation process of a semiconductor device are improved.
摘要翻译：本发明通过使用间隔物形成工艺形成接触孔并用硬掩模材料填充接触孔来限定柱状图案或岛状图案，使得岛（例如，柱）图案形成的掩模图案形成处理余量为增加。因此，提高了半导体器件的形成过程的产量和可靠性。

8. 发明授权

US08114557B2 Method for optical proximity correction 失效
标题翻译：光学邻近校正方法
公开(公告)号：US08114557B2
公开(公告)日：2012-02-14
申请号：US12639203
申请日：2009-12-16
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： G03F1/00 , G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70
摘要： Provided is a method for optical proximity correction for use in manufacturing highly resolved semiconductor chips. The method includes setting a target layout; setting a peculiar area; sorting the peculiar area from the target layout; generating a marking layer; resetting a critical dimension (CD) of a peculiar pattern; compensating an optical proximity effect; and manufacturing a mask. The method provides an improved way of improving more accurately CD uniformity by performing optical proximity correction with respect to a pattern to which a bias rule is difficult to apply due to an absence of an adjacent pattern.
摘要翻译：提供一种用于制造高分辨率半导体芯片的光学邻近校正方法。该方法包括设置目标布局; 设置一个特殊区域; 从目标布局中分选特有区域; 产生标记层; 复位特殊模式的关键维度（CD）; 补偿光学邻近效应; 并制造面具。该方法提供了通过对由于不存在相邻图案而难以应用偏置规则的图案执行光学邻近校正来提高更准确地CD均匀性的改进方法。

9. 发明授权

US08042068B2 Method for processing optical proximity correction 有权
标题翻译：光学邻近校正的处理方法
公开(公告)号：US08042068B2
公开(公告)日：2011-10-18
申请号：US12261257
申请日：2008-10-30
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70
摘要： A method for processing optical proximity correction includes preparing a chemical mechanical polishing (CMP) map; extracting calibration data depending on a focus degree with the CMP map; and correcting optical proximity with the calibration data.
摘要翻译：一种用于处理光学邻近校正的方法包括制备化学机械抛光（CMP）图; 根据CMP图的焦点度提取校准数据; 并用校准数据校正光学接近度。

10. 发明授权

US06210842B1 Method for fabricating stencil mask 有权
标题翻译：丝网掩模的制造方法
公开(公告)号：US06210842B1
公开(公告)日：2001-04-03
申请号：US09398027
申请日：1999-09-17
申请人： Cheol Kyun Kim
发明人： Cheol Kyun Kim
IPC分类号： G03F900
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/20
摘要： Disclosed herein is a method of fabricating a stencil mask to be used in an E-beam lithographic process. The method comprises, after forming a silicon nitride film over the entire surface of a wafer, a step of dividing the silicon nitride film into at least two sub-portions to form silicon nitride film patterns. A stress applied to the silicon nitride film is thus reduced.
摘要翻译：本文公开了一种制造用于电子束光刻工艺中的模板掩模的方法。该方法包括在晶片的整个表面上形成氮化硅膜之后，将氮化硅膜分成至少两个子部分以形成氮化硅膜图案的步骤。施加到氮化硅膜的应力因此降低。

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