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    • 4. 发明申请
    • METHOD FOR FABRICATING CONDUCTING PLATES FOR A HIGH-Q MIM CAPACITOR
    • 用于制造高Q MIM电容器的导电板的方法
    • WO2008045672A2
    • 2008-04-17
    • PCT/US2007079292
    • 2007-09-24
    • ATMEL CORPOLADEJI ISAIAH OCUTHBERTSON ALAN
    • OLADEJI ISAIAH OCUTHBERTSON ALAN
    • H01G4/008H01L21/64
    • H01L27/0805H01L21/76838H01L28/75
    • A method of forming one or more capacitors on or in a substrate (301) and a capacitor structure resulting therefrom is disclosed. The method includes forming a trench in the substrate (301), lining the trench with a first copper-barrier layer (303), and substantially filling the trench with a first copper layer (305A). The first copper layer (305A) is substantially chemically isolated from the substrate (301) by the first copper- barrier layer (303). A second copper-barrier layer (313A) is formed over the first copper layer (305A) and a first dielectric layer (307A) is formed over the second copper-barrier layer (313A). The dielectric layer (307A) is substantially chemically isolated from the first copper layer (305A) by the second copper-barrier layer (313A). A third copper-barrier layer (317A) is formed over the dielectric layer (307A) and a second copper layer (319A) is formed over the third copper-barrier layer (317A). The second copper layer (319A) is formed in a non-damascene process.
    • 公开了一种在衬底(301)上或其中形成一个或多个电容器的方法以及由此得到的电容器结构。 该方法包括在衬底(301)中形成沟槽,用第一铜阻挡层(303)为沟槽加衬里,并用第一铜层(305A)基本上填充沟槽。 第一铜层(305A)通过第一铜阻挡层(303)与衬底(301)基本化学隔离。 在第一铜层(305A)上形成第二铜阻挡层(313A),在第二铜阻挡层(313A)上形成第一介电层(307A)。 介电层(307A)通过第二铜阻挡层(313A)与第一铜层(305A)基本化学隔离。 在电介质层(307A)上形成第三铜阻挡层(317A),在第三铜阻挡层(317A)上形成第二铜层(319A)。 第二铜层(319A)以非镶嵌工艺形成。