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1. 发明申请

WO2003023086A3 VERWENDUNG EINER LÖSUNG ZUM AUFRAUEN DER OBERFLÄCHE VON KUNSTSTOFFEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2003023086A3
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/DE2002/003264
申请日：2002-09-04
申请人： SIEMENS DEMATIC AG , ROTHACHER, Peter , BOONE, Luc
发明人： ROTHACHER, Peter , BOONE, Luc
IPC分类号： C23C18/22
摘要： Verwendung einer Lösung zum Aufrauen der Oberfläche von Kunststoffen, insbesondere von LCP-Substraten zur Verbesserung der Haftung von Metallisierungen. Die Lösung enthält zumindest folgende Komponenten: - H2O, - ein Alkalihydroxid, und - 0,5mol/l bis 8 mol/l eines Carbonsäure-Derivats oder eines Salzes des Carbonsäure-Derivats. Bevorzugt weist die Lösung NaOH in einer Konzentration von 100 g/l bis 300 g/l oder KOH in einer Konzentration von 180 g/l bis 400 g/l auf. Das Carbonsäure-Derivat oder das Salz des Carbonsäure-Derivats kann ferner zumindest ein Stickstoffatom und/oder ein Schwefelatom aufweisen. Durch eine gleichmäßige Aufrauung mit geringen Rauhigkeiten können Metallisierungen mit hoher Haftfestigkeit aufgebracht werden, die mit Feinheiten unter 200 μm und herab bis zu 25 μm strukturiert werden können.

2. 发明申请

WO2003023086A2 VERWENDUNG EINER LÖSUNG ZUM AUFRAUEN DER OBERFLÄCHE VON KUNSTSTOFFEN 审中-公开
标题翻译：使用for塑料表面粗糙化溶剂
公开(公告)号：WO2003023086A2
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/DE2002/003264
申请日：2002-09-04
申请人： SIEMENS DEMATIC AG , ROTHACHER, Peter , BOONE, Luc
发明人： ROTHACHER, Peter , BOONE, Luc
IPC分类号： C23C18/00
CPC分类号： C23C18/22
摘要： Verwendung einer Lösung zum Aufrauen der Oberfläche von Kunststoffen, insbesondere von LCP-Substraten zur Verbesserung der Haftung von Metallisierungen. Die Lösung enthält zumindest folgende Komponenten: - H2O, - ein Alkalihydroxid, und - 0,5mol/l bis 8 mol/l eines Carbonsäure-Derivats oder eines Salzes des Carbonsäure-Derivats. Bevorzugt weist die Lösung NaOH in einer Konzentration von 100 g/l bis 300 g/l oder KOH in einer Konzentration von 180 g/l bis 400 g/l auf. Das Carbonsäure-Derivat oder das Salz des Carbonsäure-Derivats kann ferner zumindest ein Stickstoffatom und/oder ein Schwefelatom aufweisen. Durch eine gleichmäßige Aufrauung mit geringen Rauhigkeiten können Metallisierungen mit hoher Haftfestigkeit aufgebracht werden, die mit Feinheiten unter 200 μm und herab bis zu 25 μm strukturiert werden können.
摘要翻译：使用溶液的粗糙化的塑料的表面上，特别是LCP基板的用于改善金属化的粘合。所述溶液包含至少以下组件： - H 2 O， - 碱金属氢氧化物，和 - 0.5摩尔/升〜8摩尔/升的羧酸衍生物或羧酸衍生物的盐。优选地，溶液包含NaOH在180克/升〜400克/升的浓度100克/升的浓度至300g / l或KOH。羧酸衍生物或羧酸衍生物的盐可进一步包含至少一个氮原子和/或硫原子。通过均匀粗糙化的小的凹凸可以金属化与可与下面200微米细点被图案化并减少高达25微米高的粘合强度来施加。

3. 发明申请

WO1995029573A1 METHOD OF FORMING METALLIC CONDUCTIVE PATTERNS ON INSULATING SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：方法形成金属导体图案的电绝缘材料
公开(公告)号：WO1995029573A1
公开(公告)日：1995-11-02
申请号：PCT/EP1995001514
申请日：1995-04-21
申请人： SIEMENS S.A. , BOONE, Luc , DE STEUR, Hubert , DUMOULIN, Ann , MATTELIN, Antoon , VAN PUYMBROECK, Josef , HEERMANN, Marcel , SCHÖNBERGER, Eduard
发明人： SIEMENS S.A.
IPC分类号： H05K03/40
CPC分类号： H05K3/243 , H05K1/0284 , H05K3/0032 , H05K3/061 , H05K3/181 , H05K3/28 , H05K2201/0112 , H05K2203/0505 , H05K2203/0571 , H05K2203/0597 , H05K2203/107 , H05K2203/135
摘要： The proposed method of forming conductive patterns with solderable or bondable connection regions on insulating substrates involves the following steps: a) application of a metallic coating (M1, M2) to the substrate (U); b) application of an organic galvanically-resistant and etch-resistant protective layer (S) to the metallic coating (M1, M2) in an electrolytic dip bath; c) removal of the protective layer (S) in future connection regions with the aid of laser beam; d) galvanic deposition of an etch-resistant solderable or bondable end surface (E) layer onto the regions of the metallic coating (M1, M2) exposed during step c); e) removal of the protective layer (S) at least in the regions directly adjacent to the future conductive pattern, using a laser beam; f) etching of the regions of metallic coating (M1, M2) exposed during step e) down to the surface of the substrate (U). Only one organic protective layer (S) is thus necessary; this serves as both galvanic resist and etching resist and can if necessary also be applied as a soldering mask. Electrophoretic enamel, which can be structured several times with a laser beam, is used to form the protective layer (S).
摘要翻译：与可焊接和/或粘合的连接区域的导体图案的上电绝缘，包括以下步骤的衬底的形成：a）将金属化（M1，M2）提供给衬底（U）; b）将一个有机的，电镀和耐蚀刻保护层（S），以在电解金属化（M1，M2）; c）中删除在使用激光辐射随后连接区域的保护层（S）; D）电沉积暴露于金属化（M1，M2）的在工艺步骤c）中的区域的，可焊接和/或粘合的耐蚀刻端面（E）; E）在该区域中去除至少所述保护层（S）直接邻接使用激光辐射将来导体图案; F）蚀刻所述方法在步骤e）（M1，M2）的金属化的区域暴露于该衬底（U）的表面上。因此，存在仅单个有机保护使用（S），其作为抗镀层和抗蚀剂和如可任选地用作焊料掩模层。为了形成被使用的保护层（S）电沉积涂料，其可以由多个激光辐射的方式来构造。

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