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    • 3. 发明申请
    • HOCHTEMPERATURSENSOR MIT CHIPDRÄHTEN AUS CHROMOXID BILDENDER EISENLEGIERUNG
    • 随着芯片WIRES氧化铬VISUAL铁合金高温传感器
    • WO2010118813A1
    • 2010-10-21
    • PCT/EP2010/001818
    • 2010-03-24
    • HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBHBACHMANN, Mario
    • BACHMANN, Mario
    • G01K7/18
    • G01K7/18
    • Zur Herstellung eines Hochtemperatursensors mit Leiterbahnstruktur(3) auf einem Substrat (1), die an Kontaktfeldern (Pads 4, 5) endet, werden an den Kontaktfeldern (4, 5, 7, 8) Anschlussdrähte (10, 11) auf Basis von Unedelmetallen durch Kontaktschweißen befestigt. Danach wird im Bereich der Kontaktfelder (4, 5) eine Glas- oder Glaskeramikpaste eingebrannt, die die Kontaktfelder (4, 5, 7, 8) und die Enden der Leiterbahn(en) und Anschlussdrähte abdeckt. Erfindungsgemäß differieren die Wärmeausdehnungskoeffizienten bis 1000°C des keramischen Substrats (1) und der Anschlussdrähte (10, 11) weniger als 7 x 10 -4 /K, insbesondere weniger als 5 x 10 -4 /K, und die Anschlussdrähte (10, 11) weisen eine unter den Bedingungen des Kontaktschweißens elektrisch leitende Oxidhaut auf. Insbesondere liegt der Widerstand des Anschlussdrahtes (10, 11) bei 200°C unter 90 μΩcm, insbesondere unter 80 μΩcm. Eine Chromoxid, insbesondere Chrom-Mangan-Spinell bildende Eisenlegierung hat sich als Basismaterial des Anschlussdrahtes bewährt. Diese Hochtemperatursensoren oder Schichtwiderstände funktionieren bei Temperaturen zwischen 800°C und 900°C.
    • 用于在衬底上制造具有导体轨道结构(3)的高温度传感器(1),它们是到接触焊盘(焊盘4,5)终止于接触焊盘(4,5,7,8)的基础上的非贵金属的连接线(10,11) 通过接触焊接附接。 此后,在一个玻璃或玻璃陶瓷膏,所述接触焊盘(4,5,7,8)覆盖燃烧的接触垫(5 4),和导体轨迹(S)的端部的区域和引线。 根据本发明的热膨胀系数不同到1000℃的陶瓷基板(1)和所述连接线(10,11)小于7×10 -4 / K,特别是小于5×10 -4 / K,和引线(10,11 )有一个接触焊接氧化皮的条件下,导电的。 具体地,导线的电阻的位置(10,11)在200℃下90μOcm,特别是低于80μOcm。 甲铬,特别是铬 - 锰尖晶石形成铁类合金已被证明是引线的基体材料。 这种高温传感器或膜电阻器在800℃和900℃之间的温度下操作