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1. 发明申请

WO2012020747A1 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成图案的刻痕液和使用其的图案的方法
公开(公告)号：WO2012020747A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/JP2011/068109
申请日：2011-08-09
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション , 王暁偉 , 松浦裕里子 , ポロウスキーゲオルク
发明人：王　暁偉 , 松浦　裕里子 , ポロウスキー　ゲオルク
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/405
摘要：［課題］パターン倒れとメルティングとを同時に改良することができる、リソグラフィー用リンス液とそれを用いたパターン形成方法の提供。［解決手段］アルキルアミンなどの特定の含窒素化合物と水とを含むリソグラフィー用リンス液と、それを用いたパターン形成方法。リンス液は必要に応じて非イオン性界面活性剤を含むこともできる。
摘要翻译：提供能够同时改善图案塌陷和熔化的用于光刻的冲洗液，以及使用用于光刻的冲洗液形成图案的方法。 [溶液]用于光刻的漂洗液，其含有水和特定的含氮化合物如烷基胺; 以及使用该光刻用冲洗液形成图案的方法。如果需要，漂洗液还可以含有非离子表面活性剂。

2. 发明申请

WO2011158119A2 シリコンオキシナイトライド膜の形成方法およびそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板审中-公开
标题翻译：硅氧烷膜的形成方法和使用其制造的含氧化硅膜的基板
公开(公告)号：WO2011158119A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/IB2011/001839
申请日：2011-08-10
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション , シンデニナド , 長原達郎 , 高野祐輔
发明人：シンデ　ニナド , 長原　達郎 , 高野　祐輔
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0214 , B05D3/065 , C23C18/1216 , C23C18/122 , C23C18/14 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02348
摘要：本発明はエネルギーコストを抑制できるシリコンオキシナイトライド膜の製造方法とそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板を提供するものである。この方法は、基板表面にポリシラザン化合物を含む被膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成させ、前記塗膜に含まれる過剰の溶媒を除去し、溶媒除去後の塗膜を１５０℃未満の温度条件下で紫外線を照射することを含むものである。
摘要翻译：本发明提供能够降低能量成本的氮氧化硅膜制造方法，以及使用该制造方法制造的具有氮氧化硅膜的基板。该方法包括以下步骤：通过用含有聚硅氮烷化合物的成膜组合物涂覆基材的表面在基材的表面上形成涂膜; 去除涂膜中含有的过量溶剂; 在从涂膜除去溶剂之后，将涂膜在低于150℃的温度条件下暴露于紫外线。

3. 发明申请

WO2010064600A1 レジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2010064600A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/070102
申请日：2009-11-30
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション , 康文兵 , 王暁偉 , 松浦裕里子
发明人：康　文兵 , 王　暁偉 , 松浦　裕里子
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38
摘要：　本発明は、表面欠陥の発生を抑制したパターン形成方法を提供するものである。このパターン形成方法は、露光後、レジスト表面に酸性の膜を形成させてから、加熱処理を行うことを含む。ＡｒＦエキシマーレーザーなどの短波長光や液浸リソグラフィーなどの非常に微細なパターンを形成する場合に用いられる。
摘要翻译：提供了抑制表面缺陷的产生的图案形成方法。图案形成方法包括在曝光后在抗蚀剂表面上形成酸膜，然后进行热处理的步骤。在使用诸如ArF准分子激光束，浸没光刻等的短波长光束形成极细图案的情况下，采用该方法。

4. 发明申请

WO2009157333A1 シャロー・トレンチ・アイソレーション構造とその形成方法审中-公开
标题翻译：浅层隔离结构和形成浅层隔离结构的方法
公开(公告)号：WO2009157333A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2009/060849
申请日：2009-06-15
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション , 長原達郎 , 林昌伸
发明人：長原　達郎 , 林　昌伸
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/316 , H01L21/764
CPC分类号： H01L21/764 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02348 , H01L21/3125 , H01L21/76232
摘要：　本発明によれば、絶縁特性に優れたシャロー・トレンチ・アイソレーション構造とそれを形成するための簡便かつ低コストな方法が提供される。このシャロー・トレンチ・アイソレーション構造は、表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるものである。このようなアイソレーション構造は、基板表面にポリシラザン組成物を塗布し、前記塗膜の表面に紫外線を照射して、塗膜の表面近傍にあるポリシラザンの一部を硬化させ、さらに前記塗膜を焼成することにより形成させることができる。
摘要翻译：公开了具有优异绝缘性能的浅沟槽隔离结构。还公开了用于形成浅沟槽隔离结构的简单且低成本的方法。浅沟槽隔离结构具有嵌入二氧化硅膜的表面槽结构。二氧化硅膜位于基板的表面侧，空隙存在于槽的底部。隔离结构可以通过将聚硅氮烷组合物涂布在基材的表面上，将涂膜的表面暴露于紫外光以固化存在于涂膜表面附近的聚硅氮烷的一部分而形成，此外，涂膜。

5. 发明申请

WO2009081773A1 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成抗反射膜的组合物和使用组合物的图案形成方法
公开(公告)号：WO2009081773A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/072681
申请日：2008-12-12
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 能谷剛 , 秋山靖 , 高野祐輔
发明人：能谷剛 , 秋山靖 , 高野祐輔
IPC分类号： G03F7/11 , C08F216/06 , C08F220/10 , C08F226/10 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/06 , C08F2220/1891 , G03F7/11
摘要：　本発明は、低い屈折率を有し、スィングカーブがなだらかであり、スィング比が小さい上面反射防止膜を形成するための組成物を提供するものである。この組成物は、親水性基を含んでなるアントラセン骨格含有化合物と溶媒とを含んでなる。この組成物はレジスト膜上に反射防止膜を形成させ、１６０～２６０ｎｍの光を用いてパターンを形成させるフォトリソグラフィーに用いられる。
摘要翻译：公开了一种用于形成具有低折射率，平滑摆动曲线和小摆动比的顶部抗反射膜的组合物。该组合物包含：含有蒽骨架并具有亲水基团的化合物; 和溶剂。该组合物能够在抗蚀剂膜上形成抗反射膜，并且可以用于光刻中以形成具有160-260nm波长的光的图案。

6. 发明申请

WO2008136499A1 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成微波炉的水溶性树脂组合物及其形成微波炉的方法
公开(公告)号：WO2008136499A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/JP2008/058341
申请日：2008-05-01
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 洪聖恩 , 高野祐輔 , カンウェンビン
发明人：洪聖恩 , 高野祐輔 , カンウェンビン
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0271 , G03F7/40 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088
摘要：　下地基板１上に設けられたレジストパターン２上に、水溶性ビニル樹脂、分子内に少なくとも２個のアミノ基を有する化合物、溶剤および必要に応じ界面活性剤などの添加剤からなる水溶性樹脂組成物を塗布して水溶性樹脂膜３を形成した後、ミキシングによりレジストパターンに隣接する前記水溶性樹脂膜を変性させることによって、レジストパターン表面に水洗で除去出来ない水不溶化層４を形成し、次いで前記水溶性樹脂膜の未変性部を水洗除去することにより、レジストパターンの分離サイズまたはホール開口サイズを実効的に露光波長の限界解像以下に微細化する。水溶性ビニル樹脂としては、窒素原子を含有するビニルモノマー、例えばアリルアミン、アクリルアミド、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾールなどの単一重合体、窒素原子を含有するビニルモノマーの２種以上からなる共重合体、または窒素原子を含有するビニルモノマーの少なくとも１種と窒素原子を含有しないビニルモノマーの少なくとも１種からなる共重合体が好ましい。
摘要翻译：一种方法，其包括将包含水溶性乙烯基树脂的水溶性树脂组合物，分子中具有至少两个氨基的化合物，溶剂和必要时在抗蚀图案上添加表面活性剂等添加剂 2）形成在基板（1）上以形成水溶性树脂膜（3），通过混合将与抗蚀剂图案相邻的水溶性树脂膜的一部分进行改性以形成水不溶性层（4）通过在抗蚀剂图案的表面上进行水洗除去，并且通过水洗除去未改性的水溶性树脂膜的部分，并且能够将抗蚀剂图案的分离尺寸和开孔尺寸有效地缩小到比曝光波长的分辨率极限。作为水溶性乙烯基树脂，优选使用丙烯酰胺，丙烯酰胺，乙烯基吡咯烷酮或乙烯基咪唑等含氮乙烯基单体的均聚物，两种以上含氮乙烯基单体的共聚物或至少一种含氮乙烯基单体和至少一种无氮乙烯基单体。

7. 发明申请

WO2008078676A1 パターン形成方法およびそれに用いる感光性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：图案形成方法及其使用的感光树脂组合物
公开(公告)号：WO2008078676A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074643
申请日：2007-12-21
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 河戸俊二 , 遠山宜亮 , 谷口克人
发明人：河戸俊二 , 遠山宜亮 , 谷口克人
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/0048
摘要：　本発明は、塗布性および形成されるパターン形状を改良することができる感光性樹脂組成物と、それを用いたパターン形成方法を提供するものである。その感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤、および混合溶媒を含んでなり、前記混合溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと２０°Cにおける蒸気圧が１５０Ｐａ以下の共溶媒とを含んでなるものである。この組成物はスリットコーティング法により塗布する場合に好ましく用いられる。
摘要翻译：公开了能够改善与其形成的涂布性和图案形状的感光性树脂组合物。还公开了使用这种感光性树脂组合物的图案形成方法。感光性树脂组合物含有碱溶性树脂，敏化剂和混合溶剂。混合溶剂含有丙二醇单甲醚乙酸酯和在20℃下蒸气压不大于150Pa的助溶剂。该组合物优选用于狭缝涂布法。

8. 发明申请

WO2007083654A1 シリカ質膜の製造法およびそれにより製造されたシリカ質膜付き基板审中-公开
标题翻译：生产硅胶薄膜和生产硅胶薄膜的工艺
公开(公告)号：WO2007083654A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2007/050577
申请日：2007-01-17
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 石川智規 , 中熊映乃
发明人：石川智規 , 中熊映乃
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76227 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02337 , H01L21/3125 , H01L21/316
摘要：　本発明は、シリカ質膜の膜質が場所や溝の内外を問わず均一であり、溝の内部にボイドやクラックがないシリカ質膜の製造法の提供を目的とする。このようなシリカ質膜付き基板は、凹凸を有するシリコン基板の表面上に、水素含有率の高い絶縁膜を形成させてから、前記基板にポリシラザン化合物を含んでなる組成物を塗布し、加熱処理してポリシラザン化合物を二酸化シリコン膜に転化させることにより製造することができる。
摘要翻译：不分局部或凹槽内部或外部，制造质量均匀的硅质膜的方法，其中在凹槽内部不存在空隙或裂纹。可以通过在不均匀的硅衬底的表面上首先形成具有高氢含量的绝缘膜，随后用含有聚硅氮烷化合物的组合物涂覆基板，然后加热涂层产物，从而将聚硅氮烷化合物成二氧化硅膜。

9. 发明申请

WO2006016672A1 フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法审中-公开
标题翻译：具有小平面带移位的硅胶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2006016672A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014819
申请日：2005-08-12
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 清水泰雄 , 一山昌章 , 名倉映乃
发明人：清水泰雄 , 一山昌章 , 名倉映乃
IPC分类号： C09D183/16 , H01L21/316 , H01L29/78 , B32B9/00 , H01L21/762 , B32B18/00 , C01B33/12 , H01B3/46
CPC分类号： C08G77/62 , C08K5/56 , C09D183/16 , H01L21/02126 , H01L21/02145 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/3125 , H01L21/316 , H01L21/3162 , C08L2666/52
摘要：　絶縁特性に優れたシリカ質膜の製造法とそれに用いられるコーティング組成物を提供する。　本発明によるコーティング組成物は、数平均分子量が１００～５０，０００の、パーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンと、ケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下のアルミニウム化合物とを含んでなり、それを基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成することによりシリカ質膜を製造する。
摘要翻译：公开了一种具有优异的绝缘特性的硅质膜的制造方法和用于其的涂料组合物。具体公开了一种包含数均分子量为100-50,000的全氢聚硅氮烷或改性的全氢聚硅氮烷的涂料组合物和铝原子与硅原子的摩尔比不小于10ppb且不大于100ppm的铝化合物。通过将这样的涂料组合物涂布在基材上并在包含水蒸汽，氧气或它们的混合气体的气氛中焙烧涂覆的基材来制备硅质膜。

10. 发明申请

WO2005056686A1 放射線硬化型導電性組成物审中-公开
标题翻译：辐射固化导电组合物
公开(公告)号：WO2005056686A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/JP2004/018160
申请日：2004-12-06
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 原田隆正
发明人：原田隆正
IPC分类号： C08L101/12
CPC分类号： H01B1/124 , H01B1/122
摘要：　ポリチオフェン、ポリアニリンあるいはそれらの誘導体などの有機導電性ポリマー、水溶性または水性エマルジョン形成性化合物、水溶性または水性エマルジョン形成性のエポキシまたはオキセタン化合物、光カチオン重合感光剤及び／またはラジカル重合感光剤、必要に応じ水溶性または水分散性樹脂水、水または水可溶な有機溶剤を含有する放射線硬化型導電性組成物。
摘要翻译：公开了一种辐射固化导电组合物，其包含有机导电聚合物如聚噻吩，聚苯胺或其衍生物; 水溶性或水性乳液形成化合物; 水溶性或水性乳液形成环氧或氧乙烷化合物; 阳离子光聚合光敏剂和/或自由基聚合光敏剂; 如果需要，可以使用水溶性或水分散性树脂水，水或水溶性有机溶剂。

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