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1. 发明申请

WO2013024971A2 텅스텐 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 审中-公开
标题翻译：用于钨抛光的CMP浆料组合物
公开(公告)号：WO2013024971A2
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2012/005397
申请日：2012-07-06
申请人： (주)유비프리시젼 , 박재근 , 박진형 , 임재형 , 조종영 , 최호 , 황희섭
发明人： 박재근 , 박진형 , 임재형 , 조종영 , 최호 , 황희섭
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
摘要： 본 발명은 연마제와 연마촉진체를 포함하는 텅스텐 연마용 CMP 슬러리 조성물로서, 상기 연마제는 초순수에 분산된 콜로이드 실리카를 포함하며, 상기 연마촉진제는 과산화수소수, 암모늄퍼설페이트 및 질산철을 포함하며, 상기 슬러리 조성물은 슬러리 변색 문제가 발생하지 않으며, 식각 선택비가 우수하여 CMP 공정에 적용할 수 있다.
摘要翻译：本发明
是一个钨抛光CMP浆料组合物包括研磨剂和抛光加速体，该浆料包含分散在去离子水中的胶态二氧化硅，其中该研磨促进剂是过氧化氢溶液，过硫酸铵和硝酸铁，浆料组合物不会引起浆料变色，并且具有优异的蚀刻选择性，因此可以应用于CMP工艺。

2. 发明申请

WO2011096745A3 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011096745A3
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/KR2011/000749
申请日：2011-02-01
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 결정질 상의 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 물질 연마용 슬러리는, 연마제와, 알칼리성 연마 향상제와, 표준 환원 전위가 과염소산염(Perchlorates) 보다 큰 산화제와, 초순수를 포함한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 소자 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 결정질 상의 상변화 물질막을 형성하는 단계; 연마제와, 알칼리성 연마 향상제와, 표준 환원 전위가 과염소산염(Perchlorates) 보다 큰 산화제와, 초순수를 포함하는 상변화 물질 연마용 슬러리를 이용하여 화학기계적 연마 공정으로 상기 상변화 물질막을 제거하는 단계를 포함한다.

3. 发明申请

WO2011010819A2 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 审中-公开
标题翻译：多选择性抛光浆料组合物和使用其的半导体元件生产方法
公开(公告)号：WO2011010819A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/KR2010/004468
申请日：2010-07-09
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31056 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판 상에 최상부에 실리콘막을 구비하는 소자 패턴들을 형성한다. 상기 제1 영역 상의 소자 패턴 밀도는 상기 제2 영역 상의 소자 패턴 밀도에 비해 높다. 상기 소자 패턴들 상에 제1 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 및 제2 실리콘 산화막을 차례로 형성한다. 연마제, 실리콘 질화막 패시베이션제, 및 실리콘막 패시베이션제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 실리콘막이 노출될 때까지 상기 기판을 화학기계적 연마한다. 상기 연마 슬러리 조성물은 연마제가 함유된 연마제 서스펜션 100 중량부와 첨가제 용액 40 내지120 중량부의 혼합물이되, 상기 첨가제 용액은 용매 100 중량부, 실리콘 질화막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부, 및 실리콘막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부를 함유할 수 있다.
摘要翻译：提供多选择性研磨浆料组合物和使用其的半导体元件制造方法。具有元件图案的硅膜形成在具有第一区域和第二区域的基板的最上部。第一区域上的元件图案密度高于第二区域上的元件图案密度。在元件图案的顶部依次形成第一氧化硅膜，氮化硅膜和第二氧化硅膜。通过使用包含抛光剂，氮化硅膜钝化剂和硅膜钝化剂的抛光浆料组合物，对基材进行化学机械抛光，直到暴露硅膜。抛光浆料组合物可以是100重量份的含有抛光剂的抛光剂悬浮液和40至120重量份的添加剂溶液的混合物，并且添加剂溶液可以包含100重量份的溶剂，0.01〜5重量份的氮化硅膜钝化剂和0.01〜5重量份的硅膜钝化剂。

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