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1. 发明申请

WO2009088198A2 발광 다이오드 코팅 방법 审中-公开
标题翻译：发光二极管涂层方法
公开(公告)号：WO2009088198A2
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/KR2009/000038
申请日：2009-01-06
申请人： 서울대학교산학협력단 , 권성훈 , 윤의준 , 박욱
发明人： 권성훈 , 윤의준 , 박욱
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 간략히 LED라 함) 코팅 방법에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 LED에 형광체, 몰딩 등을 코팅하는데 사용될 수 있는 LED 코팅 방법에 관한 발명이다. 본 발명 일측면은 (a) 기판, 상기 기판 위에 배열된 복수의 LED를 준비하는 단계; (b) 상기 기판 및 상기 복수의 LED 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 (c) 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출함으로써, 상기 복수의 LED의 표면에 제1 코팅-상기 제1 코팅은 경화된 상기 포토레지스트임-을 형성하는 단계를 구비하는 LED 코팅 방법을 제공하는 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种发光二极管（以下简称为LED）涂覆方法，更具体地说，涉及一种可用于涂覆磷光体的LED涂覆方法，本发明涉及。根据本发明的一个方面，提供了一种制造发光器件的方法，包括以下步骤：（a）准备衬底;布置在衬底上的多个LED; （b）在衬底和多个LED上施加光刻胶; 并且（c）选择性地将光致抗蚀剂暴露于光下，由此在多个LED的表面上形成第一涂层，其中第一涂层是固化的光致抗蚀剂。

2. 发明申请

WO2012161451A2 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 审中-公开
标题翻译：半导体薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2012161451A2
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/KR2012/003782
申请日：2012-05-15
申请人： 서울대학교산학협력단 , 윤의준 , 하신우
发明人： 윤의준 , 하신우
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , H01L33/0079
摘要： 본 발명에서는 기판과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이에 의한 응력 발생과 그로 인한 기판 휘어짐 현상을 조절하기 위해서, 희생층을 기판 위에 형성하고 다양한 방법으로 패터닝한 후, 그 위에 무기물 박막을 형성하고 나서 선택적으로 희생층을 제거하여, 기판 위에 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)을 형성하는 반도체 박막 형성 방법 및 이러한 방법으로 형성된 반도체 박막 구조를 제안한다.
摘要翻译：公开了使用该方法形成半导体薄膜和半导体薄膜结构的方法。为了防止由基板和氮化物半导体之间的晶格常数和热膨胀系数差引起的应力以及由此导致的基板翘曲，该方法包括：在基板上形成牺牲层并通过各种方法图案化该层; 并在其上形成无机薄膜，并且选择性地除去牺牲层以便在衬底上形成空腔，所述空腔由衬底和无机薄膜限定。

3. 发明申请

WO2010027230A2 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 审中-公开
标题翻译：氮化物薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2010027230A2
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/KR2009/005055
申请日：2009-09-07
申请人： 서울대학교 산학협력단 , 윤의준 , 차국헌 , 김종학 , 오세원 , 우희제
发明人： 윤의준 , 차국헌 , 김종학 , 오세원 , 우희제
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 본 발명은 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이 에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고 자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 도포한 다음 그 위에 질화 물 박막을 성장시킨 박막 구조 및 그 형성 방법을 제안한다. 본 발명에 따르면, 중 공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질 의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 기판의 열팽창 계수가 질화물 박막에 비하여 더 큰 경우 에는 질화물 박막 안의 중공 구조물 압축에 따라 질화물 박막의 전체 응력이 감소 되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
摘要翻译：氮化物薄膜结构及其形成方法技术领域本发明涉及一种氮化物薄膜结构及其形成方法。如果在氮化物以外的衬底上形成氮化物膜，则由于衬底和氮化物膜之间的晶格常数差异而导致大量缺陷。此外，由于衬底和氮化物薄膜之间的热膨胀系数的差异，存在衬底翘曲的问题。在本发明中解决这些问题和字符时，空载空心粒子，被施加到所述中空结构在下面的衬底上提出了一种薄膜结构，并且其中一个在其上生长的水氮化物薄膜的方法。根据本发明的光发射的，如一个薄膜结构根据本发明按照在ELO（外延横向过生长）的折射率可以得到，其效果能够形成高品质的氮化物薄膜，以及由球结构和LED调节薄膜结构用器件制造时，光提取效率会提高。此外，当基板比所述氮化物薄膜更大的热膨胀系数降低了氮化物薄膜的总应力按照在氮化物薄膜它具有防止基板的翘曲的效果压缩的中空结构。

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