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1. 发明授权

KR101982905B1 반도체 패키지 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101982905B1
公开(公告)日：2019-05-27
申请号：KR1020150137695
申请日：2015-09-30
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 켈리,마이클 , 하이너,데이비드 , 휴모엘러,로날드 , 세인트아만드,로저
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/29 , H01L23/525

2. 发明公开

KR1020170126768A 반도체 패키지 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170126768A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160077193
申请日：2016-06-21
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 이재웅 , 김병진 , 김영석 , 최욱 , 유승재 , 이영우 , 조은나라 , 방동현
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/00 , H01L23/482
CPC分类号： B81B3/0072 , B81C1/00666 , H01L21/568 , H01L23/055 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/16152
摘要： 반도체패키지및 반도체패키지를제조하는방법이개시된다. 비-한정적인예로서, 본발명의다양한양태들은제1반도체다이, 제1반도체다이위에서상호간이격된다수의접착영역들, 및다수의접착영역들에부착된제2반도체다이를포함하는반도체패키지, 및이의제조방법을제공한다.
摘要翻译：公开了一种半导体封装和制造该半导体封装的方法。作为非限制性示例，本发明的各个方面包括一种半导体封装，其包括第一半导体管芯，附接到多个粘合区域的第二半导体管芯以及多个粘合区域，及其制造方法。

3. 发明公开

KR1020170116185A 다이 대 다이 웨이퍼 일차 본드를 구비한 반도체 디바이스 패키지를 위한 방법 审中-实审
标题翻译：用于具有管芯 - 管芯晶圆主键的半导体器件封装的方法
公开(公告)号：KR1020170116185A
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020177027284
申请日：2013-11-05
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 켈리,마이클쥐. , 휴모엘러,로날드패트릭 , 도원철
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/14 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/6838 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 다이대 다이일차본드를구비한반도체디바이스패키지를이한방법및 시스템이개시되며, 인터포저다이에전자디바이스들을포함하는하나또는이상의반도체다이를본딩할수 있다. 언더필물질이하나또는이상의반도체다이와인터포저다이의사이에적용될수 있고, 몰드물질은반도체다이를인캡슐레이션하기위해적용될수 있다. 인터포저다이는관통실리콘비아(through-silicon-vias, TSVs)를노출시키기위해박화(thinning)될수 있다. 반도체다이의본딩은반도체다이를접착층에접착하고, 반도체다이를인터포저다이에본딩하는것을포함할수 있다. 반도체다이는인터포저다이에결합하기위한마이크로범프를포함할수 있고, 본딩은마이크로범프를인터포저다이상에형성된층 내의각각의웰(well) 내에위치시키고, 마이크로범프를인터포저다이에본딩하는것을포함할수 있다. 반도체다이는매스리플로우프로세스또는열 압착프로세스를이용하여인터포저다이에본딩될수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于具有管芯到管芯主键的半导体器件封装的方法和系统，并且包括电子器件的一个或多个半导体管芯可以被接合到中介层管芯。可以在一个或多个半导体管芯和内插器管芯之间施加底部填充材料，并且可以应用模具材料来封装半导体管芯。中介层管芯可以变薄以暴露硅通孔（TSV）。半导体管芯的结合可以包括将半导体管芯结合到粘合剂层并且将半导体管芯结合到内插器管芯。半导体管芯可以包括用于结合到内插器管芯的微凸块，并且可以通过将微凸块放置在形成在内插器管芯上方的层内的相应阱中并且将微凸块结合到内插器管芯你可以包括它。可以使用质量回流工艺或热压工艺将半导体管芯结合到内插器管芯。

4. 发明公开

KR1020170107596A 다이 대 다이 일차 본드를 구비한 반도체 디바이스 패키지를 위한 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于具有管芯至管芯主键的半导体器件封装的方法和系统
公开(公告)号：KR1020170107596A
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020177026182
申请日：2013-11-05
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 켈리,마이클쥐. , 휴모엘러,로날드패트릭 , 도원철
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/14 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/6838 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 다이대 다이일차본드를구비한반도체디바이스패키지를이한방법및 시스템이개시되며, 인터포저다이에전자디바이스들을포함하는하나또는이상의반도체다이를본딩할수 있다. 언더필물질이하나또는이상의반도체다이와인터포저다이의사이에적용될수 있고, 몰드물질은반도체다이를인캡슐레이션하기위해적용될수 있다. 인터포저다이는관통실리콘비아(through-silicon-vias, TSVs)를노출시키기위해박화(thinning)될수 있다. 반도체다이의본딩은반도체다이를접착층에접착하고, 반도체다이를인터포저다이에본딩하는것을포함할수 있다. 반도체다이는인터포저다이에결합하기위한마이크로범프를포함할수 있고, 본딩은마이크로범프를인터포저다이상에형성된층 내의각각의웰(well) 내에위치시키고, 마이크로범프를인터포저다이에본딩하는것을포함할수 있다. 반도체다이는매스리플로우프로세스또는열 압착프로세스를이용하여인터포저다이에본딩될수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于具有管芯到管芯主键的半导体器件封装的方法和系统，并且包括电子器件的一个或多个半导体管芯可以被接合到中介层管芯。可以在一个或多个半导体管芯和内插器管芯之间施加底部填充材料，并且可以应用模具材料来封装半导体管芯。中介层管芯可以变薄以暴露硅通孔（TSV）。半导体管芯的结合可以包括将半导体管芯结合到粘合剂层并且将半导体管芯结合到内插器管芯。半导体管芯可以包括用于结合到内插器管芯的微凸块，并且可以通过将微凸块放置在形成在内插器管芯上方的层内的相应阱中并且将微凸块结合到内插器管芯你可以包括它。可以使用质量回流工艺或热压工艺将半导体管芯结合到内插器管芯。

5. 发明公开

KR1020170081581A 반도체 패키징 방법 및 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：半导体封装方法和电子器件
公开(公告)号：KR1020170081581A
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020170060993
申请日：2017-05-17
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 보라발로글루 , 글렌린느 , 크리스토퍼제이.베리
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/12
摘要： 웨이퍼레벨칩 스케일패키지에대한가상솔더마스크를생성하기위한방법및 디바이스는반도체다이위에형성된컨택패드를포함할수 있고, 컨택패드는중앙패드, 트레이스및 중앙패드로부터외측으로연장된제1스포크셋트를포함한다. 보강대가제1스포크패턴및 중앙패드의일 영역을둘러쌀 수있다. 솔더볼이보강대를제외한중앙패드및 제1스포크패턴위에형성될수 있다. 중앙패드는원형금속디스크또는링을포함할수 있다. 하나또는그 이상의스포크를포함하는제2스포크패턴은상기보강대로부터외측으로연장될수 있다. 제2보강대는제1,2스포크패턴, 보강대, 및중앙패드를둘러쌀 수있다. 제1,2스포크패턴은다른폭을가질수 있고, 중앙패드에대하여다른각도로연장될수 있다.
摘要翻译：用于在晶片级芯片尺寸封装生成虚拟焊接掩模可以包括形成在半导体管芯上的接触垫的方法和设备，所述接触焊盘包括一第一轮辐设置从跟踪和中心垫延伸的中央垫，所述外的。钢筋可以围绕第一轮辐图案和中心垫的一个区域。除了钢筋之外，焊球可以形成在中央垫和第一轮辐图案上。中心垫可以包括圆形金属盘或环。包括一个或多个辐条的第二辐条图案可以从肋向外延伸。第二钢筋可以围绕第一和第二轮辐图案，钢筋和中心垫。第一和第二轮辐图案可以具有不同的宽度并且可以相对于中心垫以不同的角度延伸。

6. 发明公开

KR1020170067632A 금속 본드를 위한 임시적 인터페이스 그래디언트 본딩 审中-实审
标题翻译：金属键的临时界面梯度键合
公开(公告)号：KR1020170067632A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020160022106
申请日：2016-02-24
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 글렌린
IPC分类号： H01L21/447 , H01L21/18 , H01L21/02 , H01L23/00 , H01L21/324
CPC分类号： H01L24/81 , H01L23/49517 , H01L23/4952 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05666 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11422 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11822 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13624 , H01L2224/13647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/8102 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/0103 , H01L2924/01016 , H01L2924/01005
摘要： 전기디바이스를위한금속대 금속본딩을수행하는방법과장치및 이에의해생산된전기디바이스. 예를들어제약없이, 본개시의다양한양태는구리필러상에얇은금속층을증착하고, 그리고나서다른구리구성과구리필러를합착하는것을포함한다. 얇은금속층의원자들은예를들어, 구리와치환고용체또는금속간화합물을형성할수 있다. 농도기울기는얇은금속층에의해도입되며, Cu-Cu 인터페이스에서확산이즉시시작된다. 얇은금속필름및 구리는예를들어, 인터페이스가사라지거나거의사라질때까지확산할수 있다.
摘要翻译：用于执行电气装置的金属对金属接合的方法和设备以及由此制造的电气装置。例如但不限于，本公开的各个方面包括在铜填料上沉积薄金属层，然后将铜填料与另一铜组合物共价键合。薄金属层的原子可以形成例如铜固溶体或金属间化合物。浓度梯度由薄金属层引入，并且在Cu-Cu界面处立即开始扩散。例如，薄金属膜和铜可以扩散，直到界面消失或几乎消失。

7. 发明公开

KR1020170057122A 인캡슐레이션된 반도체 패키지 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：封装的半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170057122A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160113842
申请日：2016-09-05
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 바로그루,보라 , 즈벵거,커티스 , 휴몰러,론
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/28 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/7806 , H01L21/784 , H01L21/82 , H01L23/29 , H01L23/3185 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2924/181 , H01L2924/183 , H01L2924/18301
摘要： 인캡슐레이션된반도체패키지들및 그제조방법이개시된다. 비-한정적인예로서, 반도체패키지는웨이퍼를부분적으로절단하는단계, 부분적으로절단된웨이퍼를몰딩하는단계, 그리고몰딩되고부분적으로절단된웨이퍼를완전히절단하는단계에의해제조될수 있다.
摘要翻译：公开了封装的半导体封装及其制造方法。作为非限制性示例，可以通过部分地切割晶片，模制部分切割的晶片，以及完全切割模制且部分切割的晶片来制造半导体封装。

8. 发明公开

KR1020150135127A 카파 필라 측벽 보호 구조 无效
标题翻译：铜制支架保护
公开(公告)号：KR1020150135127A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020150070876
申请日：2015-05-21
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 린네,글렌 , 젠다,딘 , 베리,크리스토퍼제이. , 란조네,로버트 , 반코드,루도비코
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L23/04
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/05567 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1182 , H01L2224/11831 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13021 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/1369 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83192 , H01L2924/15311 , H01L2924/3651 , H01L2224/32225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要： 카파필라보호를위한방법들은반도체다이위의컨택트위에측벽을포함하는메탈포스트를형성함을포함할수 있다. 메탈캡이메탈포스트위에형성될수 있고메탈포스트의폭보다넓을수 있다. 솔더범프가메탈캡 위에형성될수 있고, 그리고컨포멀패시베이션층이적어도메탈포스트의측벽위에형성될수 있다. 메탈캡은단면에있어원형모양또는직사각모양일수 있다. 메탈포스트및 메탈캡은카파를포함할수 있다. 메탈캡은카파층및 니켈층을포함할수 있다. 시드메탈층이하나이상의티타늄, 텅스텐, 및카파를포함할수 있다. 컨포멀패시베이션층이비젖음성폴리머를포함할수 있다. 컨포멀패시베이션층의수평부분들이플라즈마식각과같은비등방성식각을이용하여제거될수 있다.
摘要翻译：铜柱保护的方法可以包括在半导体管芯上形成具有在触点上方的侧壁的金属柱。可以在金属柱上形成金属盖，并且可以比金属柱的宽度更宽。可以在金属盖上形成焊料凸块，并且可以至少在金属柱的侧壁上形成共形钝化层。金属盖可以是圆形或矩形的横截面。金属柱和金属盖可以包括铜。金属帽可以包括铜层和镍层。种子金属层可以包括钛，钨和铜中的一种或多种。保形钝化层可以包含不可润湿的聚合物。可以使用诸如等离子体蚀刻的各向异性蚀刻来去除保形钝化层的水平部分。

9. 发明公开

KR1020150092252A 반도체 패키징을 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：半导体封装方法与系统
公开(公告)号：KR1020150092252A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020157017678
申请日：2013-12-10
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 쥐웽거,커티스마이클 , 김윤주 , 던랩,브렛트
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L24/19 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： 반도체 패키징을 위한 방법들 및 시스템들이 개시되고 그리고 반도체 웨이퍼를 서포트 구조물에 본딩하고, 웨이퍼를 개별 다이로 분리하고, 다이를 서포트 구조물로부터 분리하고, 그리고 다이의 적어도 한 서브세트를 제2서포트 구조물에 부착함을 포함한다. 몰드 재료는 다이 사이의 빈 공간에 압축 몰딩 공정을 이용하여 위치될 수 있고, 이에 따라 몰드된 어레이를 생성하며, 이는 다이 및 몰드 재료 위에 재배선들을 증착하기 이전에 떼어내질 수 있다. 도전성 볼들이 몰드된 패키지들로 분리되기 이전에 재배선들 위에 위치될 수 있다. 몰드된 어레이는 제2서포트 구조물로부터 제거된 이후 가열된 진공 척 위에서의 포스트 몰드 경화를 이용하여 평탄화될 수 있다. 재배선들은 폴리머 층들을 이용하여 전기적으로 분리될 수 있다. 도전성 볼들은 적어도 20옹스트롬 두께의 표면 산화층을 갖는 구리 재배선들 위에 위치될 수 있다.

10. 发明公开

KR1020150092015A 박형 샌드위치 임베디드 패키지 无效
标题翻译：一个薄的嵌入式包装
公开(公告)号：KR1020150092015A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020150016693
申请日：2015-02-03
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 크리스토퍼제이.베리 , 로버트란존 , 로저디.에스티.아만드
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83192 , H01L2224/92225 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331 , H01L23/043 , H01L23/12 , H01L23/488 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 박형 샌드위치 임베디드 패키지를 위한 방법들 및 시스템들이 개시되고, 서브스트레이트의 제1면에 반도체 다이를 본딩하고, 서브스트레이트의 제1면 및 반도체 다이 상에 접착층을 디스펜싱하고, 그리고 디스펜싱된 접착층을 이용하여 서브스트레이트 및 반도체 다이에 인터포저를 본딩함을 포함할 수 있다. 접착층은 인터포저 및 서브스트레이트 사이의 체적을 채우거나, 또는 인터포저와 서브스트레이트 사이를 제외한 인터포저와 반도체 다이 사이의 체적을 채울 수 있다. 캐비티 구조가 인터포저 및/또는 서브스트레이트 상에 형성될 수 있고, 인터포저가 서브스트레이트 및 다이에 본딩될 때, 다이가 캐비티 구조에 의해 형성된 캐비티 내에 위치될 수 있다. 캐비티 구조는 솔더 레지스트를 포함할 수 있다. 컨택들이 인터포저를 서브스트레이트에 전기적으로 연결하기 위해 저체적 패드 마감 금속들을 이용한 캐비티 구조 상에 형성될 수 있다.
摘要翻译：公开了用于薄夹层嵌入式封装的方法和系统。所述方法包括以下步骤：将半导体管芯接合在衬底的第一表面上; 在所述基板的第一表面和所述半导体管芯上分配接触层; 以及通过使用分配的接触层将插入件接合到所述基板的第一表面和所述半导体管芯。接触层填充介入器和衬底之间的体积，或者填充插入件和半导体管芯之间的体积，除了插入件和衬底之间的距离。空腔结构可以被插入到插入件和/或基板上，并且模具可以放置在由空腔结构形成的空腔中。空腔结构可以包括阻焊剂。可以使用低体积焊盘整理金属在空腔结构上形成触点，以将插入件电连接到基板。

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