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    • 2. 发明专利
    • 作為抗有絲分裂及抗腫瘤劑之喜樹鹼 - 類紫杉酚共軛物 CAMPTOTHECIN-TAXOID CONJUGATES AS ANTIMITOTIC AND ANTITUMOR AGENTS
    • 作为抗有丝分裂及抗肿瘤剂之喜树碱 - 类紫杉酚共轭物 CAMPTOTHECIN-TAXOID CONJUGATES AS ANTIMITOTIC AND ANTITUMOR AGENTS
    • TWI234457B
    • 2005-06-21
    • TW092112170
    • 2003-05-02
    • 美國北卡羅利那大學 THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL
    • 高雄 李 KUO-HSIUNG LEE大津廣成 HIRONARI OHTSU中西由香 YUKA NAKANISHI肯尼士F. 巴斯陶 KENNETH F. BASTOW李方玉 LEE, FANG YU
    • A61KC07D
    • A61K47/55
    • 根據式I之化合物:C'-L-T(I),其中C'較佳為式II之喜樹鹼基:
      (II)其中R1選自由H、烷基、醛、羰基、烷氧基、烷基芳基、羥基烷基、鹵烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、環胺基烷基、芳基、芳氧基、C-烯糖、硝基、氰基及 O-醣基組成之群;R2、R3、R4和R5各獨立選自由H、胺基、羥基、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基胺基、胺基烷基、二(烷基)胺基、環胺基烷基、胺基烷氧基、芳基、芳氧基、C-烯糖、氰基、甲二氧基、甲醯基、硝基、鹵基、疊氮基、醯胺基、基、經胺基-氮原子鍵結至A環之20個標準胺基酸之任一個、SR8、NR8R8或O-醣基組成之群;或 R3和R4一起形成5或6員芳族或二氧六圜環;及其中R2和 R3、R3和R4或R4和R56一起;其限制條件係R1、R2、R3、 R4和R5之一為與L之共價鍵;R6為H、鹵基、烷基、烷氧基、烷基芳基、羥基烷基或鹵烷基;R7為烷基、烷基芳基、羥基烷基或芳基;R8獨立選自由H、烷基、烷基芳基、羥基烷基、胺基烷基、醯基或芳基組成之群;L為連結部份;T為類紫杉酚基,較佳為式III:
      (III)其中R11選自由H、烷基、烷氧基、胺基烷基和醯基組成之群;R12和R13獨立選自由H、烷基、芳基、烷氧基、烷基芳基、羥基烷基、鹵烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、環胺基烷基、芳氧基、硝基、氰基和鹵基組成之群;及其醫藥上可接受鹽。該等化合物除別的以外,係有用於需要此之個體中治療療症,包括細胞分化及抑制細胞有絲分裂。
    • 根据式I之化合物:C'-L-T(I),其中C'较佳为式II之喜树碱基: (II)其中R1选自由H、烷基、醛、羰基、烷氧基、烷基芳基、羟基烷基、卤烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、环胺基烷基、芳基、芳氧基、C-烯糖、硝基、氰基及 O-糖基组成之群;R2、R3、R4和R5各独立选自由H、胺基、羟基、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基胺基、胺基烷基、二(烷基)胺基、环胺基烷基、胺基烷氧基、芳基、芳氧基、C-烯糖、氰基、甲二氧基、甲酰基、硝基、卤基、叠氮基、酰胺基、基、经胺基-氮原子键结至A环之20个标准氨基酸之任一个、SR8、NR8R8或O-糖基组成之群;或 R3和R4一起形成5或6员芳族或二氧六圜环;及其中R2和 R3、R3和R4或R4和R56一起;其限制条件系R1、R2、R3、 R4和R5之一为与L之共价键;R6为H、卤基、烷基、烷氧基、烷基芳基、羟基烷基或卤烷基;R7为烷基、烷基芳基、羟基烷基或芳基;R8独立选自由H、烷基、烷基芳基、羟基烷基、胺基烷基、酰基或芳基组成之群;L为链接部份;T为类紫杉酚基,较佳为式III: (III)其中R11选自由H、烷基、烷氧基、胺基烷基和酰基组成之群;R12和R13独立选自由H、烷基、芳基、烷氧基、烷基芳基、羟基烷基、卤烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、环胺基烷基、芳氧基、硝基、氰基和卤基组成之群;及其医药上可接受盐。该等化合物除别的以外,系有用于需要此之个体中治疗疗症,包括细胞分化及抑制细胞有丝分裂。
    • 7. 发明专利
    • 作為抗有絲分裂及抗腫瘤劑之喜樹鹼 - 類紫杉酚共軛物 CAMPTOTHECIN-TAXOID CONJUGATES AS ANTIMITOTIC AND ANTITUMOR AGENTS
    • 作为抗有丝分裂及抗肿瘤剂之喜树碱 - 类紫杉酚共轭物 CAMPTOTHECIN-TAXOID CONJUGATES AS ANTIMITOTIC AND ANTITUMOR AGENTS
    • TW200400820A
    • 2004-01-16
    • TW092112170
    • 2003-05-02
    • 美國北卡羅利那大學 THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL
    • 高雄 李 KUO-HSIUNG LEE大津廣成 HIRONARI OHTSU中西由香 YUKA NAKANISHI肯尼士F 巴斯陶 KENNETH F. BASTOW李方玉 LEE, FANG YU
    • A61KC07D
    • A61K47/55
    • 根據式I之化合物:C’-L-T(I),其中C’較佳為式II之喜樹鹼基:092112170p01.bmp其中R1選自由H、烷基、醛、羰基、烷氧基、烷基芳基、羥基烷基、鹵烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、環胺基烷基、芳基、芳氧基、C-烯糖、硝基、氰基及O-醣基組成之群;R2、R3、R4和R5各獨立選自由H、胺基、羥基、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基胺基、胺基烷基、二(烷基)胺基、環胺基烷基、胺基烷氧基、芳基、芳氧基、C-烯糖、氰基、甲二氧基、甲醯基、硝基、鹵基、疊氮基、醯胺基、基、經胺基-氮原子鍵結至A環之20個標準胺基酸之任一個、SR8、NR8R8或O-醣基組成之群;或R3和R4一起形成5或6員芳族或二氧六圜環;及其中R2和R3、R3和R4或R4和R5在一起;其限制條件係R1、R2、R3、R4和R5之一為與L之共價鍵;R6為H、鹵基、烷基、烷氧基、烷基芳基、羥基烷基或鹵烷基;R7為烷基、烷基芳基、羥基烷基或芳基;R8獨立選自由H、烷基、烷基芳基、羥基烷基、胺基烷基、醯基或芳基組成之群;L為連結部份;T為類紫杉酚基,較佳為式lII:092112170p02.bmp其中R11選自由H、烷基、烷氧基、胺基烷基和醯基組成之群;R12和R13獨立選自由H、烷基、芳基、烷氧基、烷基芳基、羥基烷基、鹵烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、環胺基烷基、芳氧基、硝基、氰基和鹵基組成之群;及其醫藥上可接受鹽。該等化合物除別的以外,係有用於需要此之個體中治療癌症,包括細胞分化及抑制細胞有絲分裂。
    • 根据式I之化合物:C’-L-T(I),其中C’较佳为式II之喜树碱基:092112170p01.bmp其中R1选自由H、烷基、醛、羰基、烷氧基、烷基芳基、羟基烷基、卤烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、环胺基烷基、芳基、芳氧基、C-烯糖、硝基、氰基及O-糖基组成之群;R2、R3、R4和R5各独立选自由H、胺基、羟基、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基胺基、胺基烷基、二(烷基)胺基、环胺基烷基、胺基烷氧基、芳基、芳氧基、C-烯糖、氰基、甲二氧基、甲酰基、硝基、卤基、叠氮基、酰胺基、基、经胺基-氮原子键结至A环之20个标准氨基酸之任一个、SR8、NR8R8或O-糖基组成之群;或R3和R4一起形成5或6员芳族或二氧六圜环;及其中R2和R3、R3和R4或R4和R5在一起;其限制条件系R1、R2、R3、R4和R5之一为与L之共价键;R6为H、卤基、烷基、烷氧基、烷基芳基、羟基烷基或卤烷基;R7为烷基、烷基芳基、羟基烷基或芳基;R8独立选自由H、烷基、烷基芳基、羟基烷基、胺基烷基、酰基或芳基组成之群;L为链接部份;T为类紫杉酚基,较佳为式lII:092112170p02.bmp其中R11选自由H、烷基、烷氧基、胺基烷基和酰基组成之群;R12和R13独立选自由H、烷基、芳基、烷氧基、烷基芳基、羟基烷基、卤烷基、胺基烷基、二烷基胺基、二烷基胺基烷基、环胺基烷基、芳氧基、硝基、氰基和卤基组成之群;及其医药上可接受盐。该等化合物除别的以外,系有用于需要此之个体中治疗癌症,包括细胞分化及抑制细胞有丝分裂。
    • 10. 发明专利
    • 具有二氧化碳顯影系統之正色調微影蝕刻法 POSITIVE TONE LITHOGRAPHY WITH CARBON DIOXIDE DEVELOPMENT SYSTEMS
    • 具有二氧化碳显影系统之正色调微影蚀刻法 POSITIVE TONE LITHOGRAPHY WITH CARBON DIOXIDE DEVELOPMENT SYSTEMS
    • TW200428155A
    • 2004-12-16
    • TW092129608
    • 2003-10-24
    • 美國北卡羅利那大學 THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL
    • 喬瑟夫M 迪斯蒙 JOSEPH M. DESIMONE
    • G03F
    • G03F7/0392G03F7/0046G03F7/32
    • 一種在一微電子基板中形成一抗蝕影像(resist image)的方法,該方法包含以下步驟:(a)提供一其上具有一聚合物塗層之基板,其中該聚合物在一低於或等於一特定pH值(例如7.0、6、5或4)之水中係不溶者;接著(b)將該塗層成影像(imagewise)的曝露在輻射下,形成已曝光及未曝光之塗層部分,同時該等已曝光之塗層部分在具有一低於或等於該特定pH值7.0之pH值的水中係可溶的;且接著(c)將該塗層與包含二氧化碳及水之顯影組合物接觸,該水具有一低於或等於7.0之特定pH值(且較佳為約2或3或4、5或6之pH值;意即,低於或等於6、5或4之特定pH值),使得與該等未曝光之塗層部分相比,該等已曝光之塗層部分較優先自該基板移除,以在其上形成一影像。
    • 一种在一微电子基板中形成一抗蚀影像(resist image)的方法,该方法包含以下步骤:(a)提供一其上具有一聚合物涂层之基板,其中该聚合物在一低于或等于一特定pH值(例如7.0、6、5或4)之水中系不溶者;接着(b)将该涂层成影像(imagewise)的曝露在辐射下,形成已曝光及未曝光之涂层部分,同时该等已曝光之涂层部分在具有一低于或等于该特定pH值7.0之pH值的水中系可溶的;且接着(c)将该涂层与包含二氧化碳及水之显影组合物接触,该水具有一低于或等于7.0之特定pH值(且较佳为约2或3或4、5或6之pH值;意即,低于或等于6、5或4之特定pH值),使得与该等未曝光之涂层部分相比,该等已曝光之涂层部分较优先自该基板移除,以在其上形成一影像。