专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013008543A1 高耐圧半導体装置审中-公开
标题翻译：高压半导体器件
公开(公告)号：WO2013008543A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2012/063685
申请日：2012-05-28
申请人：富士電機株式会社 , 曹大為 , 北村睦美 , 田村隆博 , 大西泰彦
发明人：曹　大為 , 北村　睦美 , 田村　隆博 , 大西　泰彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/7811
摘要：　ｎ型領域とｐ型領域とが半導体基板の主面に平行な方向に繰り返し交互に配置された並列ｐｎ層内の半導体領域の繰り返し回数が偶数である。耐圧構造部の第２並列ｐｎ層（微細ＳＪセル（１２Ｅ））のｎドリフト領域（１２ｃ）とｐ仕切り領域（１２ｄ）との繰り返しピッチは、素子活性部の第１並列ｐｎ層（メインＳＪセル（１２））内のｎドリフト領域（１２ａ）とｐ仕切り領域（１２ｂ）との繰り返しピッチの２／３である。矩形状の平面形状を有する半導体基板の四隅のコーナー部のメインＳＪセル（１２）と微細ＳＪセル（１２Ｅ）との境界では、メインＳＪセル（１２）の２ピッチセルの端部と微細ＳＪセル（１２Ｅ）の３ピッチの端部とが対向する。これにより、プロセスバラツキによる影響を低減し、微細ＳＪセル（１２Ｅ）のｎドリフト領域（１２ｃ）とｐ仕切り領域（１２ｄ）との相互拡散を低減させることができる。
摘要翻译：在与半导体基板的主表面平行的方向上以重复交替的方式设置n型区域和p型区域的并置pn层内的半导体区域的重复次数是偶数。高电压结构部分的第二并置pn层（微SJ单元（12E））的n个漂移区域（12c）和p个分割区域（12d）的重复间距是n个漂移区域（12a）的重复间距的2/3 ）和元素活性部分的第一并列pn层（主SJ单元（12））内的p个分割区域（12b）。在具有矩形平面形状的半导体衬底的四个角部中的主SJ单元（12）和微SJ单元（12E）的边界处，主SJ单元（12）和端部的两个单元的端部微SJ单元（12E）的三个间距单元的部分是相反的。因此减小了工艺变化的影响，可以减小微SJ单元（12E）的n个漂移区（12c）和p分区（12d）之间的相互扩散。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式