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1. 发明申请

WO2007148490A1 シリコンウエーハの製造方法およびこれにより製造されたシリコンウエーハ审中-公开
标题翻译：硅溶胶制造方法和硅制造方法制造
公开(公告)号：WO2007148490A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/060103
申请日：2007-05-17
申请人：信越半導体株式会社 , 江原幸治
发明人：江原幸治
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/26 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/268 , H01L21/76229
摘要：　表層に無欠陥領域を有するシリコンウエーハの製造方法であって、少なくとも、被処理シリコンウエーハの表面から所定深さの表層領域のみを１１００°C以上の温度で０．０１ｍｓｅｃ以上１ｓｅｃ以下の熱処理を行って表層を無欠陥化するシリコンウエーハの製造方法。これにより、表面から一定の深さまで結晶欠陥の発生がないＤＺ層を均一に形成し、かつウエーハ内部には急峻なプロファイルを有する酸素析出物を高精度に確保・制御することのできるシリコンウエーハの製造方法が提供される。　
摘要翻译：提供了一种在表面层上制造具有无缺陷区域的硅晶片的方法。在待处理的硅晶片中，在1100℃以上，但不超过1秒的温度下，至少仅进行从表面到规定深度的表面层区域的热处理，表层无缺陷。因此，从表面到一定深度的DZ层均匀地形成。在晶片内部，可以高度精确地确保和控制具有陡峭轮廓的氧沉淀。

2. 发明申请

WO2012114659A1 シリコン基板の製造方法及びシリコン基板审中-公开
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：WO2012114659A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：PCT/JP2012/000696
申请日：2012-02-02
申请人：信越半導体株式会社 , 岡鉄也 , 江原幸治 , 高橋修治
发明人：岡　鉄也 , 江原　幸治 , 高橋　修治
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/02027 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T428/24355
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の温度で１～６０秒保持して急速熱処理を施した後、６００～８００℃の範囲の温度まで降温速度５～１５０℃／ｓｅｃで一段目の降温工程を行い、その後、冷却時間Ｘ秒と降温速度Ｙ℃／ｓｅｃが、Ｘ＜１００の場合はＹ≦０．１５Ｘ－４．５を、Ｘ≧１００の場合はＹ≦１０を満たすように二段目の降温工程を行うシリコン基板の製造方法である。これによって、表層にＲＩＥ欠陥がなく、かつライフタイムが十分長いシリコン基板の製造方法及びシリコン基板が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种制造硅衬底的方法，其中快速热处理被应用于通过使用快速加热和冷却装置从由Czochraski方法生长的硅单晶锭切出的硅衬底，并保持温度高于1300℃且不高于硅熔点1〜60秒，然后对硅基板施加第一阶段降温处理，以将温度降低至600℃至 800℃，以5℃〜150℃/秒的温度降低率，然后对硅基板施加第二阶段降温处理，使得X秒的冷却时间和Y°的温度降低率如果X <100，Y = 10，则X = 100时，C /秒满足Y = 0.15X-4.5。因此，可以提供一种制造在表面层中没有RIE缺陷并具有足够长寿命的硅衬底的方法，以及通过该方法制造的硅衬底。

3. 发明申请

WO2012023233A1 ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びにシリコンウエーハ並びに熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理方法，生产硅波的方法，硅波和热处理装置
公开(公告)号：WO2012023233A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/JP2011/004047
申请日：2011-07-15
申请人：信越半導体株式会社 , 江原幸治 , 岡鉄也 , 高橋修治
发明人：江原　幸治 , 岡　鉄也 , 高橋　修治
IPC分类号： H01L21/26 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： H05B1/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/67115
摘要：　本発明は、ウエーハの主表面（第一主表面）を支持部材で支持した状態で加熱源で加熱することで急速昇降温を伴う所定温度での熱処理を行うウエーハの熱処理方法において、前記支持部材で支持した前記第一主表面の温度が、前記ウエーハの前記第一主表面とは反対側の主表面（第二主表面）の温度より１～２５℃高くなるように前記加熱源を制御しながら熱処理を行うことを特徴とするウエーハの熱処理方法である。これにより、シリコンウエーハを熱処理する際に、ウエーハ支持位置から発生するスリップ転位を確実に抑制することができるウエーハの熱処理方法が提供される。
摘要翻译：本发明涉及一种用于晶片的热处理方法，其中通过用热源加热晶片来执行在预定温度下的热处理，同时用支撑件支撑晶片的主表面（第一主表面）所述热处理伴随着快速加热和冷却。晶片的热处理方法的特征在于，进行热处理，同时控制加热源，使由支撑部件支撑的第一主表面的温度比1-25℃高晶片的另一主表面（第二主表面），所述第二主表面位于第一主表面的相反侧。因此，提供了一种用于晶片的热处理方法，其中当硅晶片经受热处理时，可以可靠地抑制从支撑硅晶片的位置产生的滑移位错。

4. 发明申请

WO2007083476A1 シリコン単結晶ウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产硅单晶水的方法
公开(公告)号：WO2007083476A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2006/325489
申请日：2006-12-21
申请人：信越半導体株式会社 , 江原幸治
发明人：江原幸治
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：　本発明は、ＣＺ法によりシリコン単結晶インゴットを引き上げ、該インゴットから切り出したウエーハに急速熱処理を行うシリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、予め、引き上げ速度を変えて引き上げた前記インゴットから切り出したウエーハに、熱処理温度を変えて急速熱処理を行い、酸化膜耐圧測定を行って、引き上げ速度および熱処理温度と酸化膜耐圧測定の結果との関係を求め、該関係に基づき、急速熱処理後に径方向の全面がＮ領域になるように、引き上げ速度および熱処理温度の条件を決定して、インゴットの引き上げおよび急速熱処理を行ってシリコン単結晶ウエーハを製造するシリコン単結晶ウエーハの製造方法を提供する。これにより、ウエーハ表層にＤＺ層を確保し、ウエーハのバルク領域に酸素析出物を形成することのできるシリコンウエーハを効率良く確実に製造することができる製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种制造硅单晶晶片的方法，包括通过CZ工艺拉起硅单晶锭并使从晶锭上取下的晶片进行快速热处理。在生产过程中，以预先以不同的上拉速度拉起的坯锭脱落的晶片在不同的热处理温度下进行快速热处理。进行氧化膜介电强度测量，以确定上拉速度和热处理温度之间的关系以及氧化膜介电强度测量的结果。基于这种关系，确定上拉速度和热处理温度的条件，使得在快速热处理之后，使径向的整个区域达到N区域。在确定的条件下，进行锭的拉拔和快速热处理以制造硅单晶晶片。上述结构可以实现能够有效且可靠地制造能够确保晶片表面层中的DZ层并且可以在晶片的本体区域中形成氧沉淀的硅晶片的生产工艺。

5. 发明申请

WO2012008087A1 シリコン基板の製造方法及びシリコン基板审中-公开
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：WO2012008087A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/003188
申请日：2011-06-07
申请人：信越半導体株式会社 , 岡鉄也 , 江原幸治 , 高橋修治
发明人：岡　鉄也 , 江原　幸治 , 高橋　修治
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/26 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L29/0684
摘要：　本発明は、シリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、窒化膜形成雰囲気ガス、希ガス及び酸化性ガスのうちの少なくとも一種類のガスを含む第１の雰囲気で、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の第１の温度で１－６０秒保持して急速熱処理を施す第１熱処理工程と、該第１熱処理工程に続いて、前記シリコン基板内部の空孔起因の欠陥の発生を抑制する第２の温度及び第２の雰囲気に制御し、前記シリコン基板に前記制御した第２の温度及び第２の雰囲気で急速熱処理を施す第２熱処理工程とを具備するシリコン基板の製造方法である。これによって、デバイス作製領域となる表面から少なくとも１μｍの深さに、酸素析出物、ＣＯＰ、ＯＳＦ等のＲＩＥ法により検出される欠陥（ＲＩＥ欠陥）が存在せず、かつ、ライフタイムが５００μｓｅｃ以上のシリコン基板の製造方法及び当該方法により製造されたシリコン基板が提供される。
摘要翻译：本发明是一种硅基板的制造方法，其特征在于，具备：通过使用快速加热和快速冷却装置，对硅基板进行快速热处理的第一热处理工序，以及保持硅基板在高于1300℃且不高于硅的熔点的第一温度中，并且在包含氮化物成膜气氛，惰性气体和/或氧化气体的第一气氛中，持续1-60秒; 以及第二热处理工序，在第一热处理工序之后，为了将温度和气氛控制为第二温度和第二气氛，其中抑制了由于硅衬底内的空位导致的缺陷的产生，并实施快速热处理在受控的第二温度和第二气氛中到硅衬底。由此提供了制造硅衬底的方法，以及通过RIE法检测的缺陷（RIE缺陷）如氧沉淀物，COP或OSF的方法制造的硅衬底，其不存在于距表面至少1μm的深度，其为要制造器件的范围，并且其中的寿命将为500μsec以上。

6. 发明申请

WO2007083477A1 シリコン単結晶ウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶硅水晶的方法
公开(公告)号：WO2007083477A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2006/325490
申请日：2006-12-21
申请人：信越半導体株式会社 , 江原幸治
发明人：江原幸治
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを引き上げ、該シリコン単結晶インゴットから切り出した径方向の全面がＮ領域のウエーハに急速熱処理を行うシリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、前記急速熱処理の後に、熱処理温度が８００～１１００°C、熱処理時間が２時間以下の範囲内で、少なくとも、前記急速熱処理により注入された点欠陥である空孔が拡散する距離が、８００°Cで３０分の熱処理により拡散する距離よりも長くなるように、前記熱処理温度および前記熱処理時間を調整して熱処理を行うことにより、空孔型欠陥を消滅させるシリコン単結晶ウエーハの製造方法を提供する。これにより、ウエーハ表層領域に十分な厚さのＤＺ層を確保すると同時に、デバイス工程の熱処理のより早い段階でゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物がバルク領域内に十分な量を確保できるシリコンウエーハを安価に製造することのできる製造方法が提供される。　
摘要翻译：提供一种制造硅单晶晶片的方法。在该方法中，通过Czochralski法拉伸硅单晶锭，并且对从硅单晶锭切出的直径方向的整个平面为N区域的晶片进行快速热处理。在快速热处理之后，通过调整热处理温度和热处理时间来进行热处理，使得至少一个孔，即通过快速热处理注入的缺陷点扩散的距离至少等于在800-1100℃的热处理温度和2小时以下的热处理时间的范围内，800℃下进行30分钟热处理。因此，消除了孔型缺陷。在硅晶片中，在晶片表面层区域中确保了具有足够厚度的DZ层，同时，在器件工艺的热处理中，在较早阶段中充分的氧沉淀作为吸除位置起作用在大部分地区得到保证。通过该方法，可以以低成本制造这种硅晶片。

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