专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP4920207B2 Data output circuit and method in a semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4920207B2
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：JP2005195099
申请日：2005-07-04
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：奉華 ▲鄭▼ , 泰珍姜
IPC分类号： G11C11/4093 , G06F1/10 , G11C5/00 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/407 , G11C11/417 , H03K5/15 , H03K17/00 , H03K17/10 , H03K17/693 , H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/096
CPC分类号： G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1066 , G11C7/1072 , G11C7/22 , G11C7/222

2. 发明专利

JP4915692B2 Internal address generating device of the semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4915692B2
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：JP2006181466
申请日：2006-06-30
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：承▲みん▼ ▲呉▼ , 龍福安
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/407
CPC分类号： G11C8/18 , G11C11/4087

3. 发明专利

JP2012048805A Nonvolatile memory device 审中-公开
标题翻译：非易失性存储器件
公开(公告)号：JP2012048805A
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：JP2011121699
申请日：2011-05-31
申请人： Hynix Semiconductor Inc , 株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人： YOON JEONG-HYEOK , KIM DONG-KEUN
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C8/12 , G11C13/0026
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a leakage current by floating a leakage current path when turning off a column switch.SOLUTION: This nonvolatile memory device includes a cell array 100 for performing a data reading or writing operation, a local column switch LYSW for selectively connecting a bit line BL of the cell array and a global bit line in accordance with a column selection signal, a global column switch GYSW for selectively connecting the global bit line and a sense amplifier SA in accordance with an enable signal EN, and a switching part 200 for selectively connecting or disconnecting a current path of the global column switch in accordance with a control signal CTR corresponding to a bank active operation.
摘要翻译：要解决的问题：为了在关闭列开关时防止泄漏电流通过浮动泄漏电流路径。解决方案：该非易失性存储器件包括用于执行数据读取或写入操作的单元阵列100，根据列选择选择性地连接单元阵列的位线BL和全局位线的本地列开关LYSW 信号，用于根据使能信号EN选择性地连接全局位线和读出放大器SA的全局列开关GYSW，以及根据控制器选择性地连接或断开全局列开关的电流路径的开关部件200 对应于银行活动操作的信号CTR。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP4889868B2 Metal wiring method of forming a semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP4889868B2
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：JP2001071618
申请日：2001-03-14
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：成奎表
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76852 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76885

5. 发明专利

JP2012019516A Column circuit and pixel binning circuit for image sensor 有权
标题翻译：图像传感器的电路和像素点阵电路
公开(公告)号：JP2012019516A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2011148103
申请日：2011-07-04
申请人： Hynix Semiconductor Inc , 株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人： YU SHI-WOOK
IPC分类号： H04N5/378 , H01L27/146 , H04N5/347
CPC分类号： H04N5/347 , H01L27/14609 , H04N5/3742
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a column circuit and a binning circuit for an image sensor that may perform a binning function regardless of a pixel structure and that can serve as an existing column read circuit and a binning circuit.SOLUTION: The present invention comprises: a first column read circuit configured to read data of a first column line and include a fist power source and a first capacitor; and a second column read circuit configured to read data of a second column line and include a second power source and a second capacitor. During a binning mode, data from two or more pixels are output through the first column line and stored in the first capacitor in a first phase, data from two or more pixels are output through the second column line and stored in the second capacitor in a second phase, and charges are shared between the first capacitor and the second capacitor in a third phase.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于图像传感器的列电路和组合电路，其可以执行组合功能而不管像素结构如何，并且可以用作现有的列读取电路和组合电路。解决方案：本发明包括：第一列读取电路，被配置为读取第一列线的数据，并且包括第一电源和第一电容器; 以及第二列读取电路，被配置为读取第二列线的数据，并且包括第二电源和第二电容器。在合并模式期间，来自两个或更多个像素的数据通过第一列线输出并以第一相存储在第一电容器中，来自两个或更多个像素的数据通过第二列线输出并存储在第二电容器中在第三相中，电荷在第一电容器和第二电容器之间共享。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP4863708B2 Non-volatile memory device having a page buffer for pre-erase verification 有权
公开(公告)号：JP4863708B2
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：JP2005364858
申请日：2005-12-19
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：柱 ▲ヨン▼ 李
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/3454

7. 发明专利

JP4857447B2 Data input buffer of the semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP4857447B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2005172759
申请日：2005-06-13
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：熙福姜 , ▲進▼弘安
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/003
CPC分类号： H03K19/018585

8. 发明专利

JP4854219B2 Multiple transmission phase mask and an exposure method using the same 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4854219B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2005165102
申请日：2005-06-06
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：ハパクチャン
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/30 , G03F1/34 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： G03F1/34

9. 发明专利

JP4851867B2 Flip-flop circuit 有权
公开(公告)号：JP4851867B2
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：JP2006182384
申请日：2006-06-30
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：兌輝權 , 敬▲ふん▼ 金
IPC分类号： H03K3/3562 , H03K3/037
CPC分类号： H03K3/356156 , H03K3/012

10. 发明专利

JP4843194B2 mtj cell method of forming the MRAM 有权
公开(公告)号：JP4843194B2
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：JP2003430969
申请日：2003-12-25
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：仁佑張 , 泳震朴 , 啓南李
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/15 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01L21/8246 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L43/12

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式