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1. 发明申请

WO2003056635A1 受光素子および回路内蔵型受光装置および光ディスク装置审中-公开
标题翻译：光接收元件和光接收装置并入电路和光盘驱动器
公开(公告)号：WO2003056635A1
公开(公告)日：2003-07-10
申请号：PCT/JP2002/012905
申请日：2002-12-10
申请人：シャープ株式会社 , 林田茂樹 , 森岡達也 , 谷善彦 , 大久保勇 , 和田秀夫
发明人：林田茂樹 , 森岡達也 , 谷善彦 , 大久保勇 , 和田秀夫
IPC分类号： H01L31/102
CPC分类号： G11B7/123 , G11B7/13 , H01L27/14 , H01L31/02161 , H01L31/103
摘要： A light receiving element comprising a P type diffusion layer (101), a P type semiconductor layer (102), an N type diffusion layer (103) becoming a light receiving part, and a light transmitting film (104), all formed on a P type silicon substrate (100). The N type diffusion layer (103) has a thickness of 0.8−1.0 μm which is larger than the absorption length of incident light having wavelength of 400 nm, and such a concentration profile that the impurity concentration is not higher than 1E19 cm −3 on the surface and has a peak in the vicinity of the surface. Since recombination of carriers generated by the incident light is prevented in the vicinity of the surface of the N type diffusion layer (103), sensitivity of the light receiving element is enhanced and response speed is enhanced by the low−resistance N type diffusion layer (103) having a large junction depth.
摘要翻译：一种受光元件，包括P型扩散层（101），P型半导体层（102），成为光接收部分的N型扩散层（103）和透光膜（104），全部形成在 P型硅基板（100）。 N型扩散层（103）的厚度为0.8-1.0μm，其比波长为400nm的入射光的吸收长度大，杂质浓度不高于1E19cm < -3 ，并且在表面附近具有峰。由于在N型扩散层（103）的表面附近防止了由入射光产生的载流子的复合，所以受光元件的灵敏度提高，并且响应速度被低电阻N型扩散层（ 103）具有大的结深度。

2. 发明申请

WO2003049203A1 受光素子、回路内蔵型受光装置および光ディスク装置审中-公开
标题翻译：光接收元件，电路内置类型的光接收装置和光盘单元
公开(公告)号：WO2003049203A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012489
申请日：2002-11-29
申请人：シャープ株式会社 , 森岡達也 , 林田茂樹 , 谷善彦 , 大久保勇 , 和田秀夫
发明人：森岡達也 , 林田茂樹 , 谷善彦 , 大久保勇 , 和田秀夫
IPC分类号： H01L31/101
CPC分类号： H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
摘要： A first P-type diffusion layer (101) and a P-type semiconductor layer (102) are provided on a silicon substrate (100), and two N-type diffusion layers (103, 103) are provided on the front surface of this P-type semiconductor layer (102) to form two light receiving units. Three-layer translucent films, a first silicon oxide film (105), a silicon nitride film (106), and a second silicon oxide film (107) are disposed on the N-type diffusion layers (103, 103) and on the P-type semiconductor layer (102) between the two diffusion layers (103, 103). Holes produced during a production process and distributed and captured in two interfaces between the three-layer translucent films can reduce a field intensity in the vicinity of the surface of the P-type semiconductor layer (102) to below a conventional level and the inversion of a conductive type to reduce a leak current between the light receiving units accordingly.
摘要翻译：在硅基板（100）上设置有第一P型扩散层（101）和P型半导体层（102），在该基板的前表面设置有两个N型扩散层（103,103） P型半导体层（102）以形成两个光接收单元。在N型扩散层（103,103）上设置三层半透膜，第一氧化硅膜（105），氮化硅膜（106）和第二氧化硅膜（107）型半导体层（102）之间。在生产过程中产生并在三层半透明膜之间的两个界面中分布和捕获的孔可以将P型半导体层（102）表面附近的场强降低到常规水平以下，导电类型，以相应地减小光接收单元之间的泄漏电流。

3. 发明申请

WO2003030270A1 分割型受光素子およびそれを用いた光ディスク装置审中-公开
标题翻译：分光接收设备和包含其的光盘驱动器
公开(公告)号：WO2003030270A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/JP2002/008338
申请日：2002-08-19
申请人：シャープ株式会社 , 林田茂樹 , 森岡達也 , 谷善彦 , 種谷元隆 , 大久保勇
发明人：林田茂樹 , 森岡達也 , 谷善彦 , 種谷元隆 , 大久保勇
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： G11B7/13 , H01L31/02168 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： A plurality of n−type diffusion layers (24) are formed in the surface of a p−type semiconductor layer (23). An antireflection film comprising a silicon oxide film (27) and a silicon nitride film (28) is formed on the n−type diffusion layers (24) wherein each film thickness is set to minimize the reflectance with respect to the wavelength of the incident light. The antireflection film is not formed on a split part (25) thus preventing the surface of the split part (25) in the p−type semiconductor layer (23) from being inverted to n−type. Consequently, generation of a leak current among the n−type diffusion layers (24) through an n−type inverted region can be suppressed.
摘要翻译：在p型半导体层（23）的表面形成有多个n型扩散层（24）。在n型扩散层（24）上形成包括氧化硅膜（27）和氮化硅膜（28）的防反射膜，其中设置每个膜厚度使相对于入射光的波长的反射率最小化。防反射膜不形成在分割部分（25）上，从而防止p型半导体层（23）中的分割部分（25）的表面反转成n型。因此，可以抑制通过n型反转区域在n型扩散层（24）之间产生漏电流。

4. 发明申请

WO2003009397A1 分割型受光素子および回路内蔵型受光素子および光ディスク装置审中-公开
标题翻译：分接式光接收元件和电路内部接收光元件和光盘设备
公开(公告)号：WO2003009397A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/006707
申请日：2002-07-03
申请人：シャープ株式会社 , 森岡達也 , 林田茂樹 , 谷善彦 , 大久保勇
发明人：森岡達也 , 林田茂樹 , 谷善彦 , 大久保勇
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/103
摘要： A plurality of N−type diffusion layers (105, 108) are formed a specified distance apart on a P−type semiconductor layer (102). A P−type leak prevention layer (109) formed between at least N−type diffusion layers (105, 108) prevents leaking between the diffusion layers (105, 108). A dielectric film (115) is formed in at least a light incident area on a P−type semiconductor layer (102) including the diffusion layers (105, 108) and the leak prevention layer (109). Accordingly, provided are a split type light receiving element positively functioning as a split type light receiving element even when charge is accumulated in the dielectric film and having a uniform sensitivity throughout the entire area on a light receiving surface, and a circuit−built−in light receiving element and an optical disk using the split type light receiving element.
摘要翻译：多个N型扩散层（105,108）在P型半导体层（102）上隔开规定距离地形成。形成在至少N型扩散层（105,108）之间的P型防漏层（109）防止扩散层（105,108）之间的泄漏。在包括扩散层（105,108）和防漏层（109）的P型半导体层（102）的至少一个光入射区域中形成介电膜（115）。因此，即使在电介质膜中积累电荷并且在光接收表面上的整个区域具有均匀的灵敏度的情况下，提供了作为分割型光接收元件的分体式光接收元件，并且电路内置光接收元件和使用分离式光接收元件的光盘。

5. 发明申请

WO2003054973A1 受光素子、回路内蔵型受光装置および光ディスク装置审中-公开
标题翻译：受光素子，回路内蔵型受光装置および光ディスク装置
公开(公告)号：WO2003054973A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012906
申请日：2002-12-10
申请人：シャープ株式会社 , 林田茂樹 , 森岡達也 , 谷善彦 , 大久保勇 , 和田秀夫
发明人：林田茂樹 , 森岡達也 , 谷善彦 , 大久保勇 , 和田秀夫
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/103 , H01L31/02161
摘要： A light receiving element comprising a first P type diffusion layer (101), and a P type semiconductor layer (102) formed on a silicon substrate (100), wherein two N type diffusion layers (103, 103) are provided as light receiving parts on the surface part of the P type semiconductor layer (102) and a second P type diffusion layer (104) is provided between the two light receiving parts. An antireflection film structure (106) comprising a first silicon oxide film (107) formed by thermal oxidation and a second silicon oxide film (108) formed by CVD is provided on the P type semiconductor layer (102). Defect between the first silicon oxide film (107) and the P type semiconductor layer (102) is prevented by setting the thickness of the first silicon oxide film (107) at about 15 nm, and leak current between cathodes is prevented when a power supply voltage is applied continuously for a long time by setting the thickness of the second silicon oxide film (108) at about 100 nm.
摘要翻译：本发明涉及一种光辐射接收元件，其包括形成在硅衬底（100）上的第一P型扩散层（101）和P型半导体层（102），其中两层 N型散射（103,103）构成P型半导体层（102）表面上的光辐射接收部分，以及设置在该两部分之间的第二P型扩散层（104）接收光辐射。包括第一热氧化氧化硅膜（107）和第二化学气相沉积氧化硅膜（108）的抗反射膜结构（106）在所述层 P型半导体（102）。通过将第一氧化硅膜（107）的厚度调整到大约15μm来防止第一氧化硅膜（107）与P型半导体层（102）之间的故障形成 nm，并且通过将第二氧化硅膜（108）的厚度调节至大约100nm，当长时间连续施加电源电压时阴极之间的漏电流。

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