专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2004113614A Bristle planted brush 有权
公开(公告)号：JP2004113614A
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：JP2002283472
申请日：2002-09-27
申请人： Kenichi Okazaki , 岡崎健一
发明人： OKAZAKI KENICHI
IPC分类号： A46B3/16 , A46B9/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively wash the base parts of bristle bundles with water, to prevent the bristle bundles from being dried, and in addition, to make water smoothly pass without closing water passing holes formed in a manner to communicate with bristle planting holes by a flat wire while planting bristle bundles using the flat wire.
SOLUTION: For this bristle planted brush, bristle bundles 3 are planted in bristle planting holes 2 under a doubly folded state through the flat wire 4. The bristle planting hole is formed to have a depth halfway in the thickness of bristle planting base part 11 from the bristle planting surface. A tilted lateral hole 5 is formed in a manner to penetrate from the hole bottom part of the bristle planting hole to a side surface of the bristle planting base part. The flat wire is driven in while tilting to the width direction of the brush, and at the same time, the tilted lateral hole faces in the same direction as the direction of the flat wire and is formed in a manner to tilt to the distal end direction of the brush from the hole bottom part of the bristle planting hole.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

2. 发明申请

WO2011058976A1 中空ナノ粒子の製法、中空ナノ粒子及びその分散液审中-公开
标题翻译：生产中空纳米颗粒，中空纳米颗粒及其分散体的方法
公开(公告)号：WO2011058976A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/JP2010/069951
申请日：2010-11-09
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人大阪大学 , 鳥本司 , 岡崎健一 , 鈴木俊正 , 冨田庸介 , 桑畑進
发明人：鳥本　司 , 岡崎　健一 , 鈴木　俊正 , 冨田　庸介 , 桑畑　進
IPC分类号： B82B3/00 , B22F9/02 , B82B1/00
CPC分类号： B81C99/0045 , B01J13/02 , B01J31/0278 , B01J35/0013 , B01J35/08 , B01J37/12 , B22F1/0018 , B22F1/0051 , B22F9/02 , B22F2009/0844 , B81B2201/0235 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B13/322 , C01G3/02 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/34 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C04B20/0036 , Y10T428/2982
摘要：　まず、スライドガラス上にイオン液体をのせ、これを蒸着装置内に静置し、イオン液体に対向する位置にターゲット材として金属（例えばインジウム）を装着し、該金属のスパッタ蒸着を行う。スパッタ後、ナノ粒子が分散したイオン液体を回収する。このナノ粒子は中の詰まった中実ナノ粒子である。次に、こうして得られた中実ナノ粒子が分散したイオン液体を試験管に採取し、空気中で２５０℃、１時間加熱して酸化する。これにより、中実ナノ粒子のコア部分が空洞になった中空ナノ粒子が得られる。
摘要翻译：将离子液体放在载玻片上，将该载玻片放置在蒸镀装置中。作为靶的金属（例如铟）安装在金属面向离子液体的位置，金属的气相沉积通过溅射进行。在溅射之后，回收包含分散在其中的纳米颗粒的离子液体。这些纳米颗粒是固体纳米颗粒，即没有内腔的纳米颗粒。接下来，将由此得到的含有分散在其中的固体纳米颗粒的离子液体收集并引入试管中，并在空气中在250℃下加热1小时以氧化纳米颗粒。因此，将固体纳米颗粒的核心部分转化为空腔，从而获得中空纳米颗粒。

3. 发明申请

WO2009038135A1 ナノ金属粒子担持方法及びナノ金属粒子担持基板审中-公开
标题翻译：支撑金属纳米颗粒的方法和承载金属纳米颗粒的基底
公开(公告)号：WO2009038135A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/066869
申请日：2008-09-18
申请人：日鉱金属株式会社 , 国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人大阪大学 , 伊森徹 , 日角義幸 , 伊藤順一 , 鳥本司 , 岡崎健一 , 桑畑進
发明人：伊森徹 , 日角義幸 , 伊藤順一 , 鳥本司 , 岡崎健一 , 桑畑進
IPC分类号： H01B13/00 , B22F1/02 , B82B3/00 , H01L21/3205
CPC分类号： B22F1/0018 , B82Y30/00 , H01L21/288 , Y10T428/24917 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
摘要：　ナノ金属粒子を基板上に均一に担持固定化する。　基板上に一分子中に、イミダゾール基、アミノ基、ジアミノ基、メルカプト基及びビニル基等の金属捕捉能を持つ官能基を少なくとも１個有するシランカップリング剤を塗布した後に、金、白金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びコバルト等のナノ金属粒子と接触させるナノ金属粒子の担持方法であり、上記シランカップリング剤はアゾール系化合物とエポキシシラン系化合物との反応により得られてもよく、シランカップリング剤と接触するナノ金属粒子は、イオン性流体に覆われていることが好ましい方法、並びにその方法を行って得られるナノ金属粒子が担持された基板。
摘要翻译：金属纳米颗粒可以均匀地负载并固定在基材上。因此，公开了一种支撑纳米金属粒子的方法，其包括：将具有至少一个能够捕获金属的官能团的硅烷偶联剂（例如咪唑基，氨基，二氨基，巯基，和乙烯基），然后使硅烷偶联剂与金属（例如金，铂，银，铜，钯，镍，钴）的纳米颗粒接触，其中硅烷偶联剂可以可以通过唑类化合物与环氧硅烷化合物的反应来制造，其中与硅烷偶联剂接触的金属纳米颗粒优选用离子液体包覆。还公开了通过该方法制造的具有负载在其上的金属纳米粒子的基板。

4. 发明申请

WO2007105443A1 ナノ粒子の製造方法审中-公开
标题翻译：生产纳米材料的方法
公开(公告)号：WO2007105443A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/JP2007/053269
申请日：2007-02-22
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人大阪大学 , 鳥本司 , 岡崎健一 , 田中信夫 , 桑畑進
发明人：鳥本司 , 岡崎健一 , 田中信夫 , 桑畑進
IPC分类号： B22F9/02 , B22F1/00 , B22F9/04
CPC分类号： B82Y30/00 , B22F9/12 , B22F9/24 , B22F2009/245 , B22F2998/00 , Y10S977/788 , Y10S977/81 , B22F1/0018
摘要：　本発明は、ナノ粒子前駆体を構成する原子又は分子をイオン液体に付着させることによりナノ粒子を製造するものである。このナノ粒子の製造方法によれば、粒子表面を化学修飾しなくても液体中で凝集しにくいナノ粒子を製造することができる。また、ナノ粒子前駆体からナノ粒子を直接製造するため、煩雑な操作を必要とせずにナノ粒子を作製することができるし、副生成物もない。
摘要翻译：公开了一种生产纳米颗粒的方法，其中构成纳米颗粒前体的原子或分子粘附到离子液体上。该方法能够产生在液体中难以凝聚的纳米颗粒，而不对纳米颗粒的表面进行化学改性。此外，由于在该方法中由纳米粒子前体直接制造纳米粒子，所以可以制造纳米粒子而不需要复杂的操作而不产生副产物。

5. 发明申请

WO2010098369A1 半導体ナノ粒子及びその製法审中-公开
标题翻译：半导体纳米粒子及其制造方法
公开(公告)号：WO2010098369A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/JP2010/052917
申请日：2010-02-25
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人大阪大学 , 学校法人東京理科大学 , 鳥本司 , 岡崎健一 , 亀山達矢 , 尾崎嵩哲 , 桑畑進 , 工藤昭彦
发明人：鳥本　司 , 岡崎　健一 , 亀山　達矢 , 尾崎　嵩哲 , 桑畑　進 , 工藤　昭彦
IPC分类号： C01G3/12 , C01B19/00 , C01B19/04 , C01G19/00 , H01L31/04
CPC分类号： C01B19/002 , B82Y30/00 , C01G3/12 , C01G19/006 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , Y10S977/775
摘要：　金属イオンの全量が２．０×１０ -4 ｍｏｌおよび各イオンのモル比がＣｕ：Ｚｎ：Ｓｎ＝２：１：１となるように、酢酸銅（II）、酢酸亜鉛（II）、酢酸スズ（IV）をはかり取り、これにオレイルアミン２．０ｃｍ 3 を加えた混合液と、これとは別に、２．０×１０ -4 ｍｏｌの硫黄粉末にオレイルアミン１．０ｃｍ 3 を加えた混合液とを用意し、それぞれ６０℃で暖めて溶解させた。室温で２つの溶液を混合し、試験管内部を減圧後、窒素充填した。２４０℃で３０分加熱後、室温になるまで放置した。得られた生成物を遠心分離し、上澄み液と沈殿とを分離した。分離した上澄み液をろ過し、そのろ液にメタノールを加えて沈殿を発生させ、遠心分離を施して沈殿を回収し、その沈殿にクロロホルムを加えて沈殿を溶解させ、半導体ナノ粒子溶液とした。
摘要翻译：通过将乙酸铜（II），乙酸锌（II）和乙酸镉（IV）混合，使金属离子的总量为2.0×10 -4 mol，金属离子的摩尔比，即Cu：Zn：Sn为2:1:1，并向其中加入2.0cm 3油胺。另外，通过向2.0×10 -4 mol硫粉中加入1.0cm 3油胺来制备另一种液体混合物。将液体混合物分别加热并在60℃下熔融。将两种溶液在室温下混合，并且在减小试管中的压力后，填充氮气。在240℃加热30分钟后，混合溶液无人值守，直到混合溶液在室温下。将由此获得的产物离心分离成上清液和沉淀物。过滤分离的上清液，向所得滤液中加入甲醇，形成沉淀物。通过离心分离收集沉积物，向沉积物中加入氯仿，使沉积物溶解于其中，从而获得半导体纳米颗粒溶液。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式