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1. 发明专利

TWI520179B 基於ＧａＮ材料之溫度控制有权
简体标题：基于ＧａＮ材料之温度控制
公开(公告)号：TWI520179B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102122492
申请日：2013-06-25
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：古拉利亞利山德I , GURARY, ALEXANDER I. , 貝盧森麥凱利 , BELOUSOV, MIKHAIL , 達斯蓋瑞 , TAS, GURAY
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/52 , C30B29/40
CPC分类号： G01J5/0007 , G01J5/02 , G01J5/602

2. 发明专利

TW201348511A 鍵入式晶圓載台审中-公开
简体标题：键入式晶圆载台
公开(公告)号：TW201348511A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102109244
申请日：2013-03-15
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：克里斯南珊迪普 , KRISHNAN, SANDEEP , 摩伊肯 , MOY, KENG , 金馬修 , KING, MATTHEW , 克羅門霍克史提芬 , KROMMENHOEK, STEVEN
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
摘要：本發明提供一種用於化學氣相沉積反應器的結構，該結構理想上包含一反應腔室，其具有：一內側部；一安置在該反應腔室之中的轉軸；以及一晶圓載台，其係以可脫連的方式被安置在該轉軸上，以便繞著其旋轉。該轉軸理想上會有一沿著一縱向旋轉軸延伸的軸桿以及一從該軸桿處向外突出的鍵部。該晶圓載台較佳的係具有：一主體，用以定義相向的頂端表面與底部表面；以及至少一晶圓固持特徵元件，其會被配置成讓晶圓能夠被固持在其中使得該晶圓的一表面裸露在該主體的頂端表面處。該晶圓載台理想上進一步具有：一凹部，從該主體之底部表面處延伸至該主體之中；以及一鍵槽，其會沿著第一橫截軸從該凹部之周圍處向外突出。該軸桿較佳的係被扣接在該凹部之中，而該鍵部較佳的係被扣接在該鍵槽之中。
简体摘要：本发明提供一种用于化学气相沉积反应器的结构，该结构理想上包含一反应腔室，其具有：一内侧部；一安置在该反应腔室之中的转轴；以及一晶圆载台，其系以可脱连的方式被安置在该转轴上，以便绕着其旋转。该转轴理想上会有一沿着一纵向旋转轴延伸的轴杆以及一从该轴杆处向外突出的键部。该晶圆载台较佳的系具有：一主体，用以定义相向的顶端表面与底部表面；以及至少一晶圆固持特征组件，其会被配置成让晶圆能够被固持在其中使得该晶圆的一表面裸露在该主体的顶端表面处。该晶圆载台理想上进一步具有：一凹部，从该主体之底部表面处延伸至该主体之中；以及一键槽，其会沿着第一横截轴从该凹部之周围处向外突出。该轴杆较佳的系被扣接在该凹部之中，而该键部较佳的系被扣接在该键槽之中。

3. 发明专利

TW201118961A 線性沈積源 LINEAR DEPOSITION SOURCE 审中-公开
简体标题：线性沉积源 LINEAR DEPOSITION SOURCE
公开(公告)号：TW201118961A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099119643
申请日：2010-06-17
申请人：威科精密儀器公司
发明人：康瑞雀德 , 沛瑞迪史考特偉恩 , 戴史龍賈卡柏A , 布斯納漢瑞奇 , 賈霍德大衛威廉 , 派翠恩約翰
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/562 , F16L59/029
摘要：一沉積源包括一用以裝盛沉積材料之坩堝及一包括傳導通道之本體。該傳導通道之輸入被耦接至該坩堝之輸出。一加熱器加熱該坩堝，以致該坩堝將該沉積材料蒸發進入該傳導通道。一包括複數耐熱材料層之隔熱板被定位圍繞該加熱器及該本體之至少一個。複數噴嘴被耦接至該傳導通道之輸出，以致被蒸發之沉積材料係由該坩堝經過該傳導通道運送至該複數噴嘴，在此該被蒸發之沉積材料係由該複數噴嘴射出，以形成一沉積通量。
简体摘要：一沉积源包括一用以装盛沉积材料之坩埚及一包括传导信道之本体。该传导信道之输入被耦接至该坩埚之输出。一加热器加热该坩埚，以致该坩埚将该沉积材料蒸发进入该传导信道。一包括复数耐热材料层之隔热板被定位围绕该加热器及该本体之至少一个。复数喷嘴被耦接至该传导信道之输出，以致被蒸发之沉积材料系由该坩埚经过该传导信道运送至该复数喷嘴，在此该被蒸发之沉积材料系由该复数喷嘴射出，以形成一沉积通量。

4. 发明专利

TW201108304A 連續進給式化學氣相沉積系統 CONTINUOUS FEED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM 审中-公开
简体标题：连续进给式化学气相沉积系统 CONTINUOUS FEED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
公开(公告)号：TW201108304A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099118053
申请日：2010-06-04
申请人：威科精密儀器公司
发明人：阿莫艾瑞克A , 昆恩威廉E , 史佛拉索派爾洛
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4582 , C30B25/025 , C30B35/00
摘要：一種連續進給式化學氣相沈積系統,其包括於化學氣相沈積加工之過程中,用以將一晶圓傳送經過一沈積室之晶圓傳送機構。該沈積室界定出一用於該晶圓傳送機構於傳送該晶圓時容許該晶圓通過之通路。該沈積室包括若干處理室,該等處理室是被阻障層所隔離,用以維持在每一個該等若干處理室內的個別不同製程化學作用。每一個該等若干處理室包括一進氣口和一排氣口,以及若干化學氣相沈積氣體來源。至少二個該等若干化學氣相沈積氣體來源被連接至每一個該等若干處理室之該進氣口。
简体摘要：一种连续进给式化学气相沉积系统,其包括于化学气相沉积加工之过程中,用以将一晶圆发送经过一沉积室之晶圆发送机构。该沉积室界定出一用于该晶圆发送机构于发送该晶圆时容许该晶圆通过之通路。该沉积室包括若干处理室,该等处理室是被阻障层所隔离,用以维持在每一个该等若干处理室内的个别不同制程化学作用。每一个该等若干处理室包括一进气口和一排气口,以及若干化学气相沉积气体来源。至少二个该等若干化学气相沉积气体来源被连接至每一个该等若干处理室之该进气口。

5. 发明专利

TWI553151B 鍵入式晶圓載台有权
简体标题：键入式晶圆载台
公开(公告)号：TWI553151B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW102109244
申请日：2013-03-15
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：克里斯南珊迪普 , KRISHNAN, SANDEEP , 摩伊肯 , MOY, KENG , 金馬修 , KING, MATTHEW , 克羅門霍克史提芬 , KROMMENHOEK, STEVEN
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792

6. 发明专利

TW201539546A 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具审中-公开
简体标题：用于化学气相沉积系统之具有复合半径容置腔的晶圆载具
公开(公告)号：TW201539546A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104102501
申请日：2015-01-26
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：克里斯南山迪普 , KRISHNAN, SANDEEP , 厄本盧卡斯 , URBAN, LUKAS
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/458 , C30B25/12 , Y10T29/49
摘要：一種用於化學氣相沉積(CVD)系統之晶圓載具，包括複數個晶圓容置腔，每一個晶圓容置腔具有周壁面，周壁面環繞底表面並且界定晶圓容置腔之周邊。每一個晶圓容置腔具有周邊，該周邊之形狀為由至少一具有圍繞第一弧中心的第一曲率半徑之第一弧、及圍繞第二弧中心的第二曲率半徑之第二弧所界定。該第二弧不同於該第一弧的曲率半徑及/或弧中心。
简体摘要：一种用于化学气相沉积(CVD)系统之晶圆载具，包括复数个晶圆容置腔，每一个晶圆容置腔具有周壁面，周壁面环绕底表面并且界定晶圆容置腔之周边。每一个晶圆容置腔具有周边，该周边之形状为由至少一具有围绕第一弧中心的第一曲率半径之第一弧、及围绕第二弧中心的第二曲率半径之第二弧所界定。该第二弧不同于该第一弧的曲率半径及/或弧中心。

7. 实用新型

TWM509419U 在化學氣相沉積系統內具有供改善加熱一致性之設計的晶圓舟盒有权
简体标题：在化学气相沉积系统内具有供改善加热一致性之设计的晶圆舟盒
公开(公告)号：TWM509419U
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW103204332
申请日：2014-03-14
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：克里斯南山迪普 , KRISHNAN, SANDEEP , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 蒙哥馬利傑佛瑞S , MONTGOMERY, JEFFERY S. , 麥格南約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 厄本盧卡斯 , URBAN, LUKAS
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C30B25/12 , B23P19/04 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T29/49826

8. 发明专利

TW201441418A 在化學氣相沉積系統內具有供改善加熱一致性之設計的晶圓舟盒审中-公开
简体标题：在化学气相沉积系统内具有供改善加热一致性之设计的晶圆舟盒
公开(公告)号：TW201441418A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103109201
申请日：2014-03-14
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：克里斯南山迪普 , KRISHNAN, SANDEEP , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 蒙哥馬利傑佛瑞S , MONTGOMERY, JEFFERY S. , 麥格南約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 厄本盧卡斯 , URBAN, LUKAS
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C30B25/12 , B23P19/04 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T29/49826
摘要：本發明提供一種晶圓舟盒及其製造方法，可於一系統內藉由化學氣相沉積的方式形成多層磊晶層於一片或多片晶圓上。該晶圓舟盒包括多個晶圓留置區，凹陷於其主體內。一熱絕緣墊片至少部分地設在該至少一晶圓留置區內，且於其周圍壁面與該晶圓之間保持間隔。該墊片之材料的熱傳導率係小於該晶圓舟盒的熱傳導率，因此藉由該墊片可以限制該晶圓舟盒主體之多個部分將熱傳導至該晶圓。該晶圓舟盒還包括與該墊片配合之一墊片固定結構，該墊片固定結構包括一表面，可防止該墊片在相對於該中心軸做旋轉時產生離心位移。
简体摘要：本发明提供一种晶圆舟盒及其制造方法，可于一系统内借由化学气相沉积的方式形成多层磊晶层于一片或多片晶圆上。该晶圆舟盒包括多个晶圆留置区，凹陷于其主体内。一热绝缘垫片至少部分地设在该至少一晶圆留置区内，且于其周围壁面与该晶圆之间保持间隔。该垫片之材料的热传导率系小于该晶圆舟盒的热传导率，因此借由该垫片可以限制该晶圆舟盒主体之多个部分将热传导至该晶圆。该晶圆舟盒还包括与该垫片配合之一垫片固定结构，该垫片固定结构包括一表面，可防止该垫片在相对于该中心轴做旋转时产生离心位移。

9. 发明专利

TW201411125A 改善聲學轉換的裝置及方法审中-公开
简体标题：改善声学转换的设备及方法
公开(公告)号：TW201411125A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102131583
申请日：2013-09-02
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS, INC.
发明人：洛格雷蒙C , LOGUE, RAYMOND C. , 西羅塔唐N , SIROTA, DON N. , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 費瑞拉瑪利亞D , FERREIRA, MARIA D. , 華金斯歐文C , WATKINS, OWAN C. , 張巍 , ZHANG, WEI
IPC分类号： G01N29/12
CPC分类号： G01N29/00 , G01N29/036 , G01N29/222 , G01N29/2437 , G01N29/28 , G01N2291/022 , G10K11/02
摘要：一種具有包含低穿透性之保護阻障的最終匹配部之聲學轉換器。保護阻障係接觸測試介質。於一實施例中，保護阻障包含一或多個低穿透性層，例如設置於低阻抗層(例如聚亞醯氨)上之金屬箔片或金屬塗層，使得低阻抗層及保護阻障構成聲學轉換器之最終匹配部。於其他實施例中，保護阻障包含氟聚合物。亦揭露一種用以決定聲學轉換器之各種層的厚度之用於改善效能的方法。
简体摘要：一种具有包含低穿透性之保护阻障的最终匹配部之声学转换器。保护阻障系接触测试介质。于一实施例中，保护阻障包含一或多个低穿透性层，例如设置于低阻抗层(例如聚亚酰氨)上之金属箔片或金属涂层，使得低阻抗层及保护阻障构成声学转换器之最终匹配部。于其他实施例中，保护阻障包含氟聚合物。亦揭露一种用以决定声学转换器之各种层的厚度之用于改善性能的方法。

10. 发明专利

TWI426143B 線性沉積源失效
简体标题：线性沉积源
公开(公告)号：TWI426143B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW098142831
申请日：2009-12-15
申请人：威科精密儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：康瑞雀徳 , CONROY, CHAD , 沛瑞迪史考特偉恩 , PRIDDY, SCOTT WAYNE , 戴史龍賈卡柏A , DAHLSTROM, JACOB A. , 布斯納漢瑞奇 , BRESNAHAN, RICH , 賈霍德大衛威廉 , GOTTHOLD, DAVID WILLIAM , 派翠恩約翰 , PATRIN, JOHN
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/562 , Y02E10/541 , Y02P70/521

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