专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI497005B 發光裝置、燈光照明設備及照明模組有权
简体标题：发光设备、灯光照明设备及照明模块
公开(公告)号：TWI497005B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101143197
申请日：2012-11-20
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：王誌麟 , WANG, CHIH LIN
IPC分类号： F21S2/00 , F21V29/00 , F21Y101/02 , F21Y105/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , F21S6/005 , F21V9/30 , F21Y2105/10 , F21Y2105/12 , F21Y2115/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI499084B 照明裝置及高壓發光二極體裝置的製造方法有权
简体标题：照明设备及高压发光二极管设备的制造方法
公开(公告)号：TWI499084B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW102133144
申请日：2013-09-13
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：陳冠群 , CHEN, KUAN CHUN , 郭浩中 , KUO, HAO CHUNG , 林佑達 , LIN, YOU DA , 李鎭宇 , LI, ZHEN YU
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/24

3. 发明专利

TW201436293A 封裝發光二極體之方法及發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：封装发光二极管之方法及发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201436293A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103101735
申请日：2014-01-17
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：林志佳 , LIN, CHIH CHIA , 夏興國 , HSIA, HSING KUO , 陳清暉 , CHEN, CHING HUI , 譚昌琳 , TARN, JACOB C.
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L25/167 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05K1/181 , H05K2201/10106 , H05K2201/10545 , H05K2203/1316 , H05K2203/1327 , Y02P70/611 , H01L2924/00014
摘要：一種封裝發光二極體之方法，包括：提供一底材，其中，該底材具有一第一側邊及一第二側邊，以及該第二側邊係相對於該第一側邊；結合一積體電路晶粒於該底材之該第一側邊；透過一模鑄製程施加一封裝材料於該第一側邊及該第二側邊之上，其中，該積體電路晶粒係被該封裝材料所圍住，以及該封裝材料之一部分係被模鑄至位於該底材之該第二側邊上之一凹入結構之中；結合一發光二極體於該底材之該第二側邊，其中，該發光二極體係被該凹入結構之複數個側壁所周向圍繞；以及成型一透鏡於該第二側邊之上，其中，該發光二極體係被設置於該透鏡之下。
简体摘要：一种封装发光二极管之方法，包括：提供一底材，其中，该底材具有一第一侧边及一第二侧边，以及该第二侧边系相对于该第一侧边；结合一集成电路晶粒于该底材之该第一侧边；透过一模铸制程施加一封装材料于该第一侧边及该第二侧边之上，其中，该集成电路晶粒系被该封装材料所围住，以及该封装材料之一部分系被模铸至位于该底材之该第二侧边上之一凹入结构之中；结合一发光二极管于该底材之该第二侧边，其中，该发光二极管系被该凹入结构之复数个侧壁所周向围绕；以及成型一透镜于该第二侧边之上，其中，该发光二极管系被设置于该透镜之下。

4. 发明专利

TW201411877A 光學裝置以及發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：光学设备以及发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201411877A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102133140
申请日：2013-09-13
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：李鎭宇 , LI, ZHEN YU , 楊子德 , YANG, TZU TE , 林弘偉 , LIN, HON WAY , 林忠寶 , LIN, CHUNG PAO , 陳冠群 , CHEN, KUAN CHUN , 陳京玉 , CHEN, CHING YU , 林佑達 , LIN, YOU DA , 郭浩中 , KUO, HAO CHUNG
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/32
CPC分类号： H01S5/2013 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/34333
摘要：本案發明是納入一發光裝置。上述發光裝置包含：一n摻雜氮化鎵層。上述n摻雜氮化鎵(n-GaN)層是位於一基底的上方，多重量子井層是位於上述n摻雜氮化鎵層的上方，電子阻擋層是位於上述多重量子井層的上方，p摻雜氮化鎵(p-GaN)層是位於上述電子阻擋層的上方。上述發光裝置包含一電洞注入層。在某些實施例中，上述電洞注入層包含一p摻雜氮化銦鎵(p-InGaN)層，其是嵌於下列三個位置之一：在上述多重量子井層與上述電子阻擋層之間；在上述電子阻擋層與上述p摻雜氮化鎵層之間；以及在上述p摻雜氮化鎵層的內部。
简体摘要：本案发明是纳入一发光设备。上述发光设备包含：一n掺杂氮化镓层。上述n掺杂氮化镓(n-GaN)层是位于一基底的上方，多重量子井层是位于上述n掺杂氮化镓层的上方，电子阻挡层是位于上述多重量子井层的上方，p掺杂氮化镓(p-GaN)层是位于上述电子阻挡层的上方。上述发光设备包含一电洞注入层。在某些实施例中，上述电洞注入层包含一p掺杂氮化铟镓(p-InGaN)层，其是嵌于下列三个位置之一：在上述多重量子井层与上述电子阻挡层之间；在上述电子阻挡层与上述p掺杂氮化镓层之间；以及在上述p掺杂氮化镓层的内部。

5. 发明专利

TW201411875A 在基底成長ＩＩＩ－Ｖ族化合物層的方法及具有該ＩＩＩ－Ｖ族化合物層的半導體裝置與照明裝置审中-公开
简体标题：在基底成长ＩＩＩ－Ｖ族化合物层的方法及具有该ＩＩＩ－Ｖ族化合物层的半导体设备与照明设备
公开(公告)号：TW201411875A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102133138
申请日：2013-09-13
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：李鎭宇 , LI, ZHEN YU , 林忠寶 , LIN, CHUNG PAO , 夏興國 , HSIA, HSING KUO , 郭浩中 , KUO, HAO CHUNG , 徐慧君 , SHU, CINDY HUICHUN , 黃信傑 , HUANG, HSIN CHIEH
IPC分类号： H01L33/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L21/02035 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/34333
摘要：本發明是揭露一種半導體裝置。此半導體裝置包含一基底，此基底具有一前側以及與前側反向的一背側。此基底包含複數個開口部，上述開口部從此基底的背側形成。上述開口部在此基底的背側上共同定義從平面圖看來的一圖形。在某些實施例中，此基底是一矽基底或一碳化矽基底。此基底之垂直對準於上述開口部的部分的垂直尺寸是在約100μm~約300μm的範圍內變化。一III-V族化合物層是形成於此矽基底的前側的上方。此III-V族化合物層是下列元件之一的一構件：一發光二極體、一雷射二極體以及一高電子遷移率電晶體。
简体摘要：本发明是揭露一种半导体设备。此半导体设备包含一基底，此基底具有一前侧以及与前侧反向的一背侧。此基底包含复数个开口部，上述开口部从此基底的背侧形成。上述开口部在此基底的背侧上共同定义从平面图看来的一图形。在某些实施例中，此基底是一硅基底或一碳化硅基底。此基底之垂直对准于上述开口部的部分的垂直尺寸是在约100μm~约300μm的范围内变化。一III-V族化合物层是形成于此硅基底的前侧的上方。此III-V族化合物层是下列组件之一的一构件：一发光二极管、一激光二极管以及一高电子迁移率晶体管。

6. 发明专利

TW201336108A 裝置與半導體元件及其形成方法审中-公开
简体标题：设备与半导体组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201336108A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102105123
申请日：2013-02-08
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：李鎭宇 , LI, ZHEN YU , 夏興國 , HSIA, HSING KUO , 郭浩中 , KUO, HAO CHUNG
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要：本發明提供半導體元件的形成方法，包括清潔矽晶圓。接著磊晶成長第一緩衝層於矽晶圓上。第一緩衝層包括氮化鋁材料。接著磊晶成長第二緩衝層於第一緩衝層上。第二緩衝層包括多個氮化鋁鎵(AlxGa1-xN，0＜x＜1)子層。每一子層各自具有其x值，且每一子層的x值為子層於第二緩衝層中位置的函數。磊晶成長第一氮化鎵層於第二緩衝層上。磊晶成長第三緩衝層於第一氮化鎵層上。磊晶成長第二氮化鎵層於第三緩衝層上。
简体摘要：本发明提供半导体组件的形成方法，包括清洁硅晶圆。接着磊晶成长第一缓冲层于硅晶圆上。第一缓冲层包括氮化铝材料。接着磊晶成长第二缓冲层于第一缓冲层上。第二缓冲层包括多个氮化铝镓(AlxGa1-xN，0＜x＜1)子层。每一子层各自具有其x值，且每一子层的x值为子层于第二缓冲层中位置的函数。磊晶成长第一氮化镓层于第二缓冲层上。磊晶成长第三缓冲层于第一氮化镓层上。磊晶成长第二氮化镓层于第三缓冲层上。

7. 发明专利

TW201541664A 照明裝置审中-公开
简体标题：照明设备
公开(公告)号：TW201541664A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104124484
申请日：2013-09-13
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：陳冠群 , CHEN, KUAN CHUN , 郭浩中 , KUO, HAO CHUNG , 林佑達 , LIN, YOU DA , 李鎭宇 , LI, ZHEN YU
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/24
摘要：本揭示包含照明裝置，此照明裝置包含多邊形晶粒，此多邊形晶粒包含複數個發光二極體，每個發光二極體包含複數個磊晶層，這些磊晶層含有p型層、n型層以及多重量子井設置於p型層與n型層之間，每個發光二極體包含p型電極和n型電極分別電性耦接至p型層和n型層，多邊形晶粒也包含底座，每個發光二極體耦接至此底座，p型電極和n型電極位於底座與磊晶層之間，底座含有複數個導電部件將這些發光二極體的至少一部份發光二極體以串聯方式電性耦接。
简体摘要：本揭示包含照明设备，此照明设备包含多边形晶粒，此多边形晶粒包含复数个发光二极管，每个发光二极管包含复数个磊晶层，这些磊晶层含有p型层、n型层以及多重量子井设置于p型层与n型层之间，每个发光二极管包含p型电极和n型电极分别电性耦接至p型层和n型层，多边形晶粒也包含底座，每个发光二极管耦接至此底座，p型电极和n型电极位于底座与磊晶层之间，底座含有复数个导电部件将这些发光二极管的至少一部份发光二极管以串联方式电性耦接。

8. 发明专利

TW201436635A 發光二極體裝置、電子裝置，以及電子電路审中-公开
简体标题：发光二极管设备、电子设备，以及电子电路
公开(公告)号：TW201436635A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103101736
申请日：2014-01-17
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：張銘順 , CHANG, MING SHUN , 邱科智 , CHIU, KO CHIH
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0812 , Y02B20/345
摘要：一種發光二極體裝置，包括：一整流器，從一交流電壓源接收能量；一電容器，耦接至該整流器；複數發光二極體；一電流限制器，其中該電流限制器係用於限制通過該等發光二極體之一電流；以及一電流控制器，其中該電流控制器係用於控制該電容器之至少一充電電流；其中於一第一操作週期期間，該發光二極體裝置具有一第一電流路徑，而於一第二操作週期期間，該發光二極體裝置具有一第二電流路徑；以及其中於該第一操作週期期間，該電容器進行充電，而於該第二操作週期期間，該電容器進行放電。
简体摘要：一种发光二极管设备，包括：一整流器，从一交流电压源接收能量；一电容器，耦接至该整流器；复数发光二极管；一电流限制器，其中该电流限制器系用于限制通过该等发光二极管之一电流；以及一电流控制器，其中该电流控制器系用于控制该电容器之至少一充电电流；其中于一第一操作周期期间，该发光二极管设备具有一第一电流路径，而于一第二操作周期期间，该发光二极管设备具有一第二电流路径；以及其中于该第一操作周期期间，该电容器进行充电，而于该第二操作周期期间，该电容器进行放电。

9. 发明专利

TW201414003A 發光二極體之封裝及製作方法、照明裝置审中-公开
简体标题：发光二极管之封装及制作方法、照明设备
公开(公告)号：TW201414003A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102130174
申请日：2013-08-23
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：曾志翔 , TSENG, CHI XIANG , 李孝文 , LEE, HSIAO WEN , 吳民聖 , WU, MIN SHENG , 林天敏 , LIN, TIEN MING
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/504 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L2933/0041
摘要：本發明揭示一種發光二極體之封裝方法，其包括提供複數發光二極體於接著膠帶上，其中接著膠帶設置於基板上。在一些實施例中，基板可為玻璃基板、矽基板、陶瓷基板、及氮化鎵基板。於上述發光二極體上塗佈磷光層，隨後固化磷光層。在固化磷光層之後，移除膠帶及基板。隨後將替代性膠帶貼附至上述發光二極體。在移除基板之後，對上述發光二極體實施切割製程。所移除之基板隨後可在未來其它發光二極體封裝製程中再利用。
简体摘要：本发明揭示一种发光二极管之封装方法，其包括提供复数发光二极管于接着胶带上，其中接着胶带设置于基板上。在一些实施例中，基板可为玻璃基板、硅基板、陶瓷基板、及氮化镓基板。于上述发光二极管上涂布磷光层，随后固化磷光层。在固化磷光层之后，移除胶带及基板。随后将替代性胶带贴附至上述发光二极管。在移除基板之后，对上述发光二极管实施切割制程。所移除之基板随后可在未来其它发光二极管封装制程中再利用。

10. 发明专利

TW201413171A 照明裝置及其製造方法、發光照明模組审中-公开
简体标题：照明设备及其制造方法、发光照明模块
公开(公告)号：TW201413171A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134955
申请日：2013-09-27
申请人：台積固態照明股份有限公司 , TSMC SOLID STATE LIGHTING LTD.
发明人：李孝文 , LEE, HSIAO WEN , 曾志翔 , TSENG, CHI XIANG , 湯友聖 , TANG, YU SHENG , 朱榮堂 , CHU, JUNG TANG
IPC分类号： F21V7/22 , F21V9/10 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L33/50 , F21K9/00 , F21K9/90 , F21S6/00 , F21V29/74 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/56 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種照明裝置，此照明裝置包括一平板或一基板，例如一印刷電路板基板。照明裝置包括複數發光二極體晶粒設置於基板上，發光二極體晶粒彼此分隔，每個發光二極體晶粒分別以對應之螢光塗層保形地塗佈於周圍。發光二極體晶粒及照明裝置由於至少部分之螢光塗層而可在關閉狀態時呈現實質白色外觀。照明裝置亦包括位於基板上之一封膠結構，此封膠結構可為將發光晶粒封裝於其中之一擴散覆罩，擴散膠體則填充於封膠結構與發光二極體之間。
简体摘要：本发明系关于一种照明设备，此照明设备包括一平板或一基板，例如一印刷电路板基板。照明设备包括复数发光二极管晶粒设置于基板上，发光二极管晶粒彼此分隔，每个发光二极管晶粒分别以对应之萤光涂层保形地涂布于周围。发光二极管晶粒及照明设备由于至少部分之萤光涂层而可在关闭状态时呈现实质白色外观。照明设备亦包括位于基板上之一封胶结构，此封胶结构可为将发光晶粒封装于其中之一扩散覆罩，扩散胶体则填充于封胶结构与发光二极管之间。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式