专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014179654A GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：基于GaN的化合物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014179654A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2014117745
申请日：2014-06-06
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , Postech Foundation , ポステック・ファウンデーション
发明人： LEE JONG-LAM
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/44 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical type GaN light emitting element capable of improving characteristics of a horizontal type light emitting element by a metal protection film layer and a metal support layer.SOLUTION: A thick metal protection film layer 1100 of 10 micron or more is formed on the side surface and/or the lower surface of a vertical type GaN-LED, so that an element can be protected from an external impact and chip separation can be easily performed. And also, a metal substrate is used instead of a sapphire substrate so that heat that is generated at the time of element operation can be easily released, thereby suitable for use in a high output element. Thus, an element having improved optical output characteristics can be manufactured. A metal support layer 1900 is formed so that a phenomenon such that the element is distorted at the time of chip separation or damaged by an impact can be prevented. A p-type electrode 1200 is partially formed in a network on a p-GaN 1300, so that radiation of photon formed in an active layer 1400 toward an n-GaN layer 1500 can be maximized.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过金属保护膜层和金属支撑层改善水平型发光元件的特性的垂直型GaN发光元件。解决方案：10微米的厚金属保护膜层1100或在垂直型GaN-LED的侧面和/或下表面上形成更多的元素，从而可以保护元件免受外部冲击，并且可以容易地进行芯片分离。而且，使用金属基板代替蓝宝石基板，能够容易地释放元件运转时产生的热量，适合用于高输出元件。因此，可以制造具有改善的光输出特性的元件。形成金属支撑层1900，从而可以防止在芯片分离时或元件被冲击损坏时元件变形的现象。 p型电极1200部分地形成在p-GaN 1300上的网络中，使得在有源层1400中形成的朝向n-GaN层1500形成的光子的辐射可以最大化。

3. 发明专利

JP2009534830A Forming method and a semiconductor light emitting device of the ohmic electrode 有权
公开(公告)号：JP2009534830A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2009506415
申请日：2007-04-18
申请人：ソウルオプトデバイスカンパニーリミテッド , ポステック・ファウンデーション
发明人：ランイ、ジョン
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0095 , H01L33/32
摘要： The present invention relates to a method of forming an ohmic electrode in a semiconductor light emitting element, comprising: forming a semiconductor layer having a light emitting structure on a substrate, sequentially laminating a bonding layer, a reflective layer and a protective layer on the semiconductor layer, and forming an ohmic electrode by performing a heat treatment process to form ohmic bonding between the semiconductor layer and the bonding layer and to form an oxide film on at least a portion of the protective layer; and a semiconductor light emitting element using the ohmic electrode. According to the present invention, since a reflective layer is formed of Ag, Al and an alloy thereof with excellent light reflectivity, the light availability is enhanced. Further, since contact resistance between a semiconductor layer and a bonding layer is small, it is easy to apply large current for high power.

4. 发明专利

JP2008539226A Sugar and molecular transporter, as well as a method for producing the same analogs thereof as a skeleton 有权
公开(公告)号：JP2008539226A
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：JP2008508732
申请日：2005-06-29
申请人：ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション , ポステック・ファウンデーション
发明人：ジョン、オック−ユム , チュン、スン−ケ , マイティ、カウスタブ・クマー , ユ、ソク−ホ , リ、ウ・シール
IPC分类号： C07C279/12 , A61K47/48 , C07C277/08 , C07H13/04
CPC分类号： C07H15/04 , Y02P20/55
摘要：本発明による分子輸送体化合物は、細胞膜、核膜及び血液脳関門といった生体膜に対して、有意に高い透過性を示し、従って、様々な生理活性分子の送達に有効に使用することができる。
【選択図】図１

5. 发明专利

JP2008118087A T-gate forming method for high electron mobility transistor and gate structure thereof 有权
标题翻译：用于高电子移动性晶体管的门极形成方法及其门结构
公开(公告)号：JP2008118087A
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：JP2007050000
申请日：2007-02-28
申请人： Postech Academy-Industry Foundation , Postech Foundation , ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション , ポステック・ファウンデーション
发明人： JEONG YOON-HA , LEE KANG-SUNG , KIM YOUNG-SOO , HONG YUN-KI , JUNG SUNG-WOO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/027 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/42316 , H01L29/66462
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a T-gate forming method for a high electron mobility transistor and a gate structure thereof. SOLUTION: The T-gate forming method for the high electron mobility transistor includes: a first step of coating a semiconductor substrate with a first, a second and a third resist, each having an electron beam sensitivity different from each other; a second step of performing a first exposure process by using an electron beam and then selectively developing the third resist; a third step of defining a gate head area 402 by selectively developing the second resist to have a developed width relatively wider than that of the selectively developed third resist; a fourth step of performing a second exposure process by using an electron beam on the semiconductor substrate having the third resist and second resist selectively developed and then selectively developing the first resist at a temperature relatively lower than in the development of the second and the third steps; and a fifth step of depositing metallic materials along the selectively developed resists and then removing them to form a T-gate having the gate head and a gate foot 404. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于高电子迁移率晶体管的T形栅形成方法及其栅极结构。解决方案：用于高电子迁移率晶体管的T形栅形成方法包括：第一步骤，用具有彼此不同的电子束灵敏度的第一，第二和第三抗蚀剂涂覆半导体衬底; 第二步骤，通过使用电子束进行第一曝光处理，然后选择性地显影第三抗蚀剂; 通过选择性地显影所述第二抗蚀剂以使显影宽度相对于所述选择性显影的第三抗蚀剂的显影宽度相对宽度来限定栅极头区域402的第三步骤; 第四步骤，通过在具有第三抗蚀剂和第二抗蚀剂的半导体衬底上使用电子束进行第二曝光处理，所述第二曝光选择性地显影，然后在比第二和第三步骤的显影中相对低的温度下选择性地显影第一光刻胶 ; 以及第五步，沿着选择性显影的抗蚀剂沉积金属材料，然后去除它们以形成具有栅极头和栅极脚404的T形栅极。（C）2008，JPO和INPIT

6. 发明专利

JP4065291B2 Low dielectric organic silicate polymer complex 有权
公开(公告)号：JP4065291B2
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：JP2005518200
申请日：2004-08-20
申请人：ポステック・ファウンデーション
发明人：オウ，ウェオンテ , リー，ビョンドゥ , リー，ムーンハー , ワン，ヨン−テク
IPC分类号： C08G65/32 , C08G81/00 , C08G77/42 , C08L83/10 , H01L21/312
CPC分类号： C08G77/42 , C08L83/10 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122

7. 发明专利

JP2007523889A Inositol-based molecular transporter and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2007523889A
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：JP2006546800
申请日：2004-08-06
申请人：ポステック・ファウンデーション
发明人：ジョン、オク−ユン , チュン、スン−ケ , マイティ、カウスタブー・クマル , ユ、ソク−ホ
IPC分类号： C07C35/16 , C07C279/14 , A61K31/7088 , A61K38/00 , A61K47/34 , A61K47/48 , C07C279/00 , C07D317/64 , C07D493/04 , C12N15/09
CPC分类号： C07C279/14
摘要：【課題】治療物質の生体膜透過輸送を効果的に向上させるイノシトール系分子輸送体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に基づくイノシトール誘導体は細胞膜、核膜、血液脳関門等のような生体膜の透過性に優れ、制限された生体膜通過性のため医薬品としての開発が困難な薬物又は診断試薬等を細胞、組織、臓器内に効果的に輸送することができる。
【選択図】図１

8. 发明专利

JP2006513244A New phosphoramidite compound 有权
公开(公告)号：JP2006513244A
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：JP2004566323
申请日：2003-04-28
申请人：ポステック・ファウンデーション
发明人：キム、ス・ジョン , キム、ビャン・ヒャン , バン、ユン−キュン
IPC分类号： C07F9/22 , C07F9/24 , C07H21/00
CPC分类号： C07F9/242 , C07F9/2408 , C07F9/2416 , C07F9/2429 , C07H21/00 , C07J51/00
摘要：【課題】ＤＮＡ変形体の合成に有用なフォスフォアミダイト(phosphoramidite)化合物の提供。
【解決手段】多様な官能基を含む本発明の新規フォスフォアミダイト化合物は、高効率の診断試薬及びナノ構造のオリゴデオキシリボヌクレオチドの開発に用いられる、多様なオリゴデオキシリボヌクレオチドを合成する新規ビルブロックに有用である。

9. 发明专利

JP2004522201A Plastic photonic crystal fiber, and a method of manufacturing the same for the terahertz-wave transmission 有权
公开(公告)号：JP2004522201A
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：JP2003504133
申请日：2001-06-18
申请人：ポステック・ファウンデーション
发明人：ハン、ヘー・ウク
IPC分类号： G02B6/00 , G02B6/02 , G02B6/032 , G02B6/20
CPC分类号： G02B6/02328 , G02B6/02 , G02B6/02033 , G02B6/02333 , G02B6/02347 , G02B6/02352 , G02B6/02385
摘要：本発明は、テラヘルツ波伝送のためのプラスチック・フォトニック結晶ファイバ及びその製造方法に係る。特に、本発明は、製造が容易で且つテラヘルツ波の導波路として使用されるように低い伝送損失を有するプラスチック・フォトニック結晶ファイバ（ＰＰＣＦ）に係る。このプラスチック・フォトニック結晶ファイバは、長手方向の軸を有する結晶欠陥部と、この結晶欠陥部を取り囲むフォトニック結晶部を備えている。前記フォトニック結晶部は、長手方向の軸を有する複数のプラスチック要素からなるアレイを備え、当該プラスチック要素は、所定の格子定数を有する二次元フォトニック結晶構造を構成している。更に、本発明のプラスチック・フォトニック結晶は、光通信（４００〜８００ｎｍ）用のプラスチック・フォトニック結晶ファイバを引き抜くのためのプリフォームとして用いることができる。

10. 发明专利

JP2012124523A Gan-based compound semiconductor light-emitting element, and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：基于GAN的化合物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2012124523A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：JP2012035499
申请日：2012-02-21
申请人： Postech Foundation , Seoul Opto Devices Co Ltd , ソウルオプトデバイスカンパニーリミテッド , ポステック・ファウンデーション
发明人： LEE JONG-LAM
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical type GaN light-emitting element capable of improving characteristic of a horizontal type light-emitting element by a metal protection film layer and a metal support layer, related to a GaN-based compound semiconductor light-emitting element and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A thick metal protection film layer of 10 micron or more is formed on the side surface and/or the lower surface of a vertical type GaN-LED, so that an element can be protected from external impact and chip separation can be easily performed. And also, a metal substrate is used instead of a sapphire substrate so that heat that is generated at the time of element operation can be easily released, thereby suitable for use in a high output element. Thus, an element having improved optical output characteristic can be manufactured. A metal support layer is formed so that phenomenon such that the element is distorted at the time of chip separation or damaged by impact can be prevented. A p-type electrode is partially formed in network on a p-GaN, so that radiation of photon formed in an active layer toward an n-GaN layer can be maximized.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过金属保护膜层和金属支撑层改善水平型发光元件的特性的垂直型GaN发光元件，涉及GaN基化合物半导体发光元件及其制造方法。解决方案：在垂直型GaN-LED的侧表面和/或下表面上形成10微米或更厚的厚金属保护膜层，从而可以保护元件免受外部冲击和芯片分离容易执行。而且，使用金属基板代替蓝宝石基板，能够容易地释放元件运转时产生的热量，适合用于高输出元件。因此，可以制造具有改善的光学输出特性的元件。形成金属支撑层，从而可以防止在芯片分离时元件变形或受冲击损坏的现象。 p型电极部分地形成在p-GaN上的网络中，使得在有源层中形成的朝向n-GaN层形成的光子的辐射可以最大化。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式