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1. 发明专利

JP2009539109A Order selected overlay measurement 有权
公开(公告)号：JP2009539109A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2009513282
申请日：2007-05-31
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：アデル・マイケル・イー． , カンデル・ダニエル , セリグソン・ジョエル・エル． , レビンスキ・ブラディミル
IPC分类号： G01B11/00 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70633
摘要：【課題】半導体ターゲットのオーバレイなどの特性を測定する装置および方法の提供。
【解決手段】一般に、次数選択された画像化および／または照射が実行され、測定システムを用いてターゲットから画像を収集する。一実施において、調節可能な空間変調は本システムの画像化経路のみに提供される。他の実施において、その空間変調は本システムの照射経路および画像化経路の両方に提供される。特定の実施において、その空間変調は±ｎの回折次数を有する、隣接するグレーティングを画像化するために用いられる。隣接するグレーティングは半導体ウエハの異なる層または同一の層内であってよい。構造物間のオーバレイは通常、グレーティングの対称中心間の距離を測定することによって見出される。この実施形態の場合、ｎ（ｎはゼロではない整数）の所定の選択に対して±ｎの次数のみが選択され、グレーティングはこれらの回折次数を用いてのみ画像化される。
【選択図】図１

2. 发明专利

JP4298720B2 Surface inspection system and surface inspection method 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4298720B2
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：JP2006129701
申请日：2006-05-08
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：ビイ．ウェルズ、キース , アール．アイアイアイジョーダン、ジョン , ニコナハッド、メールダッド
IPC分类号： G01B11/30 , G01N21/956 , G01B11/02 , G01N21/88 , G01N21/94 , G01N21/95 , G01R31/28 , G01R31/308 , G06T1/00 , G06T7/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/95623 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/8825 , G01R31/2831 , G01R31/308 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optical system for detection of anomalies, such as particles or pattern defects, on a surface (40) comprising: optics (22,26,34,36) arranged to provide a beam (38) of radiation illuminating the surface at an oblique angle; at least two detectors (110a,110b,111a,111b); at least two optical elements (110a,110b,111a,111b) arranged to collect radiation scattered from the surface, each optical element arranged to direct the collected, scattered radiation to a corresponding one of the detectors, causing the detectors to provide output signals in response thereto, wherein the optical elements are located such that each of the detectors senses radiation scattered from the surface in a different direction; a device comprising a moving stage (124) that causes relative motion between the beam and the surface; and a processor (200) processing information from said detector output signals concerning radiation scattered from different parts of the surface in different directions from the detectors, and arranged to identify anomalies; said device further comprising an acousto-optic deflector (30), such that each of the moving stage and the acousto-optic deflector causes relative motion between the beam and the surface so that the beam scans a scan path covering substantially the entire surface, said path including a plurality of arrays of scan path segments (50,50',50",50"'), wherein at least some of such scan path segments have a span shorter than the dimensions of the surface (40), and so that the beam is caused to illuminate different parts of the surface and so that the detectors provide output signals in response to radiation from different parts of the surface illuminated by the beam.
摘要翻译：一种用于检测表面（40）上的异常（例如颗粒或图案缺陷）的光学系统，包括：光学器件（22,26,34,36），其布置成提供以倾斜角照射表面的辐射束（38） ; 至少两个检测器（110a，110b，111a，111b）; 布置成收集从表面散射的辐射的至少两个光学元件（110a，110b，111a，111b），每个光学元件布置成将所收集的散射辐射引导到相应的一个检测器，使得检测器提供输出信号响应于此，其中光学元件被定位成使得每个检测器感测从不同方向从表面散射的辐射; 一种装置，包括使所述梁和所述表面之间相对运动的移动台（124）; 以及处理器（200）处理来自所述检测器输出信号的信息，所述信号涉及从与所述检测器不同的方向从所述表面的不同部分散射的辐射，并且被布置为识别异常; 所述装置还包括声光偏转器（30），使得每个移动台和声光偏转器引起光束和表面之间的相对运动，使得光束扫描覆盖基本上整个表面的扫描路径，所述扫描路径所述扫描路径段包括扫描路径段（50,50'，50“，50”）的多个阵列，其中所述扫描路径段中的至少一些具有比所述表面（40）的尺寸短的跨度，并且因此使光束照射表面的不同部分，并且使得检测器响应于由光束照射的表面的不同部分的辐射而提供输出信号。

3. 发明专利

JP2009526240A Method and system for characterization of the wafer 审中-公开
公开(公告)号：JP2009526240A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：JP2008554517
申请日：2007-02-09
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：アドラー，デイビッド , カーク，マイケル・ディ , バスカー，クリス , ベヴィス，クリストファ・エフ
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/4738 , G01N21/55
摘要： Methods and systems for determining a characteristic of a wafer are provided. One method includes generating output responsive to light from the wafer using an inspection system. The output includes first output corresponding to defects on the wafer and second output that does not correspond to the defects. The method also includes determining the characteristic of the wafer using the second output. One system includes an inspection subsystem configured to illuminate the wafer and to generate output responsive to light from the wafer. The output includes first output corresponding to defects on the wafer and second output that does not correspond to the defects. The system also includes a processor configured to determine the characteristic of the wafer using the second output.

4. 发明专利

JP2009523228A Method and apparatus for performing simultaneous high speed acquisition of multiple images 有权
公开(公告)号：JP2009523228A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：JP2008548688
申请日：2006-12-26
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：ユンホチャン , ディビッドリーブラウン
IPC分类号： G01N21/956
CPC分类号： G01N21/95607
摘要：複数のデータチャンネルの同時高速検査および取得を行う方法および装置が提供される。本方法および装置は、半導体ウェーハおよびレチクルの検査を実現でき、単一の画像領域を２つの画像区画に変換し、１つの画像の方向を変更して、単一のセンサを用いて２つの検査対象位置の同時走査を実現できる移送構成に送り、フィードバック配列において第１の画像から収集した情報を利用して、第２の画像の取得パラメータを制御すること、を含む。本設計は、二連リニアセンサまたは遅延積分センサを提供し、このセンサは、２組の読み出し回路を利用して、センサの２つの領域から同時にデータを供給する分割読み出し構成モードで動作する。

5. 发明专利

JP2008541058A Wafer edge inspection system 有权
公开(公告)号：JP2008541058A
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：JP2008510249
申请日：2006-05-05
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：ヴェリダンドラ，ヴァムシ , ソーターマン，ロミー , ソマンチ，アヌープ , ミークス，スティーブン・ダブリュ
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , G01N21/00 , G01N21/89 , H01L21/66
CPC分类号： G01B11/306 , G01N21/211 , G01N21/47 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N21/9506 , G01N2021/556 , G01N2201/0612 , G01N2201/065
摘要：一実施形態において、ウエハー（１２２）端部を検査するシステムは、ウエハー表面（１２２）上に放射光を指向させる放射光標的アセンブリと、ウエハー表面（１２２）からの反射光を収集する反射光収集アセンブリと、ウエハー（１２０）の端部表面（１２６）の周囲で表面分析計アセンブリを回転させる手段と、ウエハー（１２０）の端部で単一または複数の欠陥を検出する手段を備えたことを特徴とする表面分析計アセンブリを備える。

6. 发明专利

JP2008511177A Fiber amplifier-based light source for semiconductor inspection 有权
公开(公告)号：JP2008511177A
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：JP2007529941
申请日：2005-08-16
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：ジョセフジェイアームストロング , ユン−ホチャン
IPC分类号： H01S3/06 , G01N21/00 , G01N21/01 , G01N21/33 , G01N21/39 , G01N21/84 , G02F1/37 , H01L21/66 , H01S3/109 , H01S3/113
CPC分类号： H01S3/2383 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G02B6/02347 , G02B6/02366 , H01S3/005 , H01S3/0057 , H01S3/06708 , H01S3/06729 , H01S3/06741 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/06791 , H01S3/094007 , H01S3/094019 , H01S3/09415 , H01S3/1118
摘要：半導体ウエハ検査システムやフォトマスク検査システムなどの検査システムに使用するレーザ照射器を提供する。照射器の利得媒体は光ファイバを備え、増幅と、ビームスプリッティングと、周波数および／または帯域幅の変換と、ピーク出力低下と、Ｑスイッチまたはモード同期となどを用いることができる。ドープファイバ、格子、飽和性吸収体、レーザダイオードを含む構成を開示して、照射を向上させる。

7. 发明专利

JP2007527545A Inspection system using a small catadioptric type objective system 审中-公开
公开(公告)号：JP2007527545A
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：JP2006518859
申请日：2004-07-06
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：ジョセフジェイアームストロング , デイビッドアールシェファー , ヨン−ホチュアン
IPC分类号： G02B17/08 , G01N21/88 , G01N21/95 , G02B20060101 , G02B5/00 , G02B17/00 , G02B21/02 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G01N21/8806 , G01N21/9501 , G02B5/001 , G02B17/0808 , G02B17/0812 , G02B17/0856 , G02B17/0892 , G02B21/02 , G03F7/70225 , G03F7/70341
摘要：小型化したカタジオプトリック型対物系を使用するシステムを開示する。このシステムでは小型化された対物系に加え各種サブシステムを用いて結像能力を増強する。サブシステムには照明、結像、自動合焦、位置決め、センサ、データ取得及びデータ分析サブシステムが含まれる。対物系が使用される光エネルギ波長は例えば約１９０ｎｍ〜赤外域であり、対物系を構成する素子の直径は１００ｎｍ未満とする。対物系はレンズ型合焦装置（１６０７）、少なくとも１個の視野レンズ（１６０５）及び配列マンジャンミラー（１６０１）を備える。視野レンズ（１６０５）の向きは、レンズ型合焦装置（１６０７）から合焦済光エネルギを受け取り中間光エネルギを供給するよう設定する。本発明においては、０．６５超で約０．９０以下の開口数にて標本に対し結像用に調整済光エネルギを与える。本発明は様々な環境にて使用できる。

8. 发明专利

JP2007517230A Irradiation apparatus and method 有权
公开(公告)号：JP2007517230A
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：JP2006547310
申请日：2004-12-17
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：ストコフスキー・スタンレー・イー． , チャオ・グオヘング , バエス−イラバニ・メヘディ
IPC分类号： G01N21/84 , G01B11/30 , G01N21/956 , G02B6/00 , G02B6/04 , G02B6/32 , G02B27/48
CPC分类号： G02B27/48 , G02B6/0001 , G02B6/04
摘要：【課題】例えば欠陥を探しての試料の検査のあいだ、試料を照射する方法および装置を提供する。
【解決手段】ある局面において、照射装置は、それぞれ第１端および第２端を有する光ファイバの束を含む。照射装置は、１つ以上の入射ビームを、光ファイバの１つ以上の対応する第１端に選択的に伝達することによって、選択された１つ以上の入射ビームがファイバの１つ以上の対応する第２端から出力されるようにする照射セレクタをさらに含む。照射装置は、ファイバの対応する１つ以上の第２端から出力された選択された１つ以上の入射ビームを受け取り、選択された１つ以上の入射ビームを試料に向けて導くレンズ構成も含む。レンズ構成およびファイバは、ファイバの第２端において試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される。ある局面において、入射ビームはレーザビームである。本発明の具体的な応用例において、試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される。
【選択図】図１

9. 发明专利

JP2006525523A Single tool defect classification solutions 有权
公开(公告)号：JP2006525523A
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：JP2006514224
申请日：2004-04-29
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：トス・ガボール・ディー． , ベイカー・デイビッド・アール．
IPC分类号： G01N23/225 , G01N21/95 , G01N21/956 , G06T7/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , G01N21/9501 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L2924/014
摘要：【課題】ウェーハ単位でインラインで効率的に欠陥を分析するための装置および技術を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態は、単一のセットアッププロシージャにおいて検査および欠陥分析プロセスの全体をセットアップする簡単なインタフェース（１５８、５００）を提供する。ある実施形態において、試料（１００）上の欠陥を分析する装置が開示される。この装置は、潜在的な欠陥（１０２）を探して試料を検査する検査ステーション、およびそのような潜在的な欠陥（１０４）の分類を決定するために、前記潜在的な欠陥の試料を分析するレビューステーションを含む。

10. 发明专利

JP2005537505A Optical compensation in a high numerical aperture photomask inspection system of the photomask for inspection through the thick pellicle 审中-公开
公开(公告)号：JP2005537505A
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：JP2004531865
申请日：2003-08-27
申请人：ケーエルエー−テンカーテクノロジィースコーポレイション
发明人：クヴァンメ・デーモン・エフ． , ロンコーン・ロナルド・エル．
IPC分类号： G02B13/00 , G01N21/956 , G03F1/08
CPC分类号： G01N21/956 , G01N2021/95676
摘要：【課題】厚いペリクルを通したフォトマスク検査用の高開口数のフォトマスク検査システムにおける光学補償【解決手段】再構成可能な光学部品を有する対物レンズシステムが提供される。再構成可能な光学部品は、ペリクルを通さないまたは薄膜状のペリクルを通した検査表面の検査を可能にし、更に、同じシステムを使用して、厚いペリクルを通した検査表面の検査も可能にする。対物レンズシステムは、第１の光学素子群と第２の光学素子群とを備える。第１の光学素子群は、高開口数およびビーム収縮を可能にする。第２の光学素子群は、二つの動作モードで動作することによって、一方のモードでは薄膜状のペリクルを通した検査またはペリクルを通さない検査を、もう一方のモードでは厚いペリクルを通した検査を可能にする。このシステムは、また、ペリクルの存在、ペリクルの不在、またはペリクルの厚みに起因して生じる光学収差を補正するために使用される挿入可能な収差補正板の使用を通じて強化することができる。

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