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1. 发明专利

JP2021530772A セグメント化静電容量センサ、並びに関連のシステム、方法、及びデバイス有权
公开(公告)号：JP2021530772A
公开(公告)日：2021-11-11
申请号：JP2020573318
申请日：2019-06-28
申请人：アトメルコーポレイション
发明人：デュバリィ、ジョン , ブルネット、サミュエルダニエル
IPC分类号： G06F3/044 , G06F3/041
摘要：セグメント化センサ、並びに関連のシステム、方法、及びデバイスが開示される。一実施形態では、静電容量センサは、センサ線の第1のガード、センサ線の第2のグリッド、及びセンサ線の第1のグリッドとセンサ線の第2のグリッドとの間に画定された絶縁領域と、を含む。また、セグメント化センサ、並びに関連のシステム、方法、及びデバイスと動作可能に結合し、タッチを検出するように構成されたタッチコントローラも開示される。一実施形態では、タッチコントローラのコネクタは、セグメント化センサの異なるセグメントからの検知線に動作可能に結合するように構成され、タッチコントローラは、異なるセグメントにおけるタッチを検出するように構成される。【選択図】図1A

2. 发明专利

JP2019513316A 受信信号強度表示のための自動利得制御审中-公开
公开(公告)号：JP2019513316A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2018546612
申请日：2017-03-03
申请人：アトメルコーポレイション
发明人：ブラッツヴェルナー , サゲビールミハエル , ヤンツトマス , フィッシャーマルティン , モーザーダニエル , クノップヤン
IPC分类号： H03M1/36 , H03M1/10 , H03M1/12 , H03G3/20 , H04B1/16
摘要：一部の実施では、自動利得制御(AGC)回路は、入力信号を事前分割器回路設定値に従って事前分割し、かつ事前分割信号を出力するように作動可能な事前分割器回路と、事前分割信号を事前増幅し、かつ事前増幅信号を出力するように作動可能な事前増幅器と、事後分割器回路設定値に従って事前増幅信号を事後分割するように作動可能な事後分割器回路と、事後分割信号からデジタルデータストリームを発生させるように作動可能なアナログ/デジタル変換器(ADC)と、デジタルデータストリームをサンプリングし、サンプリングされたデータストリームに基づいて事前分割器回路設定値及び事後分割器回路設定値を決定し、決定された設定値に基づいて事前分割器回路及び事後分割器回路を設定し、かつ事前分割器回路設定値及び事後分割器回路設定値に基づいて受信信号強度値を発生させるように作動可能な論理部とを含む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP5351523B2 Power surge filtering in protection against over-current and short-circuit 有权
公开(公告)号：JP5351523B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2008558540
申请日：2007-03-08
申请人：アトメル・コーポレイションAtmel Corporation , ソニー株式会社
发明人：秀幸佐藤 , グンナーガングストー， , アルネアース， , ターイェサエター，
IPC分类号： H02J7/00 , H01M10/44 , H02H7/18
CPC分类号： H02J7/0031 , H02J2007/0039
摘要： A battery pack can include one or more battery cells, current blocking transistors and a battery management system. The disclosed implementations handle over-currents drawn from the battery cells that cause unstable operation of the battery management system. The over-currents are handled without causing an undesired drop in voltage output from the battery cells. The disclosed implementations can handle over-currents even if the over-currents cause the battery management system supply voltage to drop below a minimum operating voltage level for a certain period of time. The disclosed implementations use current blocking transistors that can be configured to block current flow and ensure safe operation of the battery cells in cases where the current drawn from the battery cells would be sufficiently high for a sufficiently long period of time to cause damage to the battery cells.

4. 发明专利

JP2011238240A Multi-chip touch screen 审中-公开
标题翻译：多芯片触摸屏
公开(公告)号：JP2011238240A
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：JP2011114135
申请日：2011-04-28
申请人： Atmel Corp , アトメル・コーポレイションAtmel Corporation
发明人： MARTIN JOHN SIMONS , DAN THOMAS EDWARD PICKETT , RICHARD PAUL COLLINS
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/044
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/0416 , G06F2203/04101
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique of combining on a plurality of chips a measuring device for use with a large touch screen.SOLUTION: A typical device and processing technique enables, by making possible sharing of an X or drive line in measuring devices, a plurality of measuring devices or chips to collaborate and sampling on a larger screen than what a single measuring device can perform sampling on. This technique can be implemented to achieve one or more of any desired advantageous aspects. Sharing of a drive line makes possible a screen so configured as to have a size having more measuring nodes than the total of what could be measured by individual devices or configured otherwise. Therefore, sharing of a drive line enables a screen needing a plurality of measuring devices to function with a smaller number of measuring devices.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在多个芯片上组合与大型触摸屏一起使用的测量装置的技术。解决方案：典型的设备和处理技术可以通过在测量设备中共享X或驱动线，使多个测量设备或芯片在比单个测量设备可以执行的更大的屏幕上进行协作和采样抽样。可以实现该技术以实现任何期望的有利方面中的一个或多个。共享驱动线使得可能的屏幕被配置为具有比单个设备可以测量的或者另外配置的测量节点的总体更多的测量节点的尺寸。因此，共享驱动线使得需要多个测量装置的屏幕能够使用较少数量的测量装置。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP4612918B2 Coprocessor for performing modular multiplication 失效
公开(公告)号：JP4612918B2
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：JP52005698
申请日：1997-10-22
申请人：アトメル・コーポレイション
发明人：ホブソン・ラッセル , マックギン・ピーター
IPC分类号： G09C1/00 , G06F7/72
CPC分类号： G06F7/722 , G06F7/723 , G06F7/728

6. 发明专利

JP2010533329A 2-dimensional touch panel 审中-公开
公开(公告)号：JP2010533329A
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：JP2010515593
申请日：2008-07-07
申请人：アトメル・コーポレイションAtmel Corporation
发明人：エサットイルマズ , マーティンシモンズ
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/044
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/0416
摘要：複数の同時接触を検出することができる容量タッチパネルを提供する。タッチパネルは、タッチパネル上の１つ又は複数の接触位置の座標を計算するプロセッサにキャパシタンス信号値の組を送出する。各組の処理は、（ｉ）最大キャパシタンス信号値を有する感知要素を識別する段階と、（ｉｉ）この感知要素の周囲の領域を定義する段階と、（ｉｉｉ）この処理を反復的に繰り返す段階とによって実施することができ、各続く識別段階は、以前に定義した領域にある信号を除外する。すなわち、信号処理がタッチパネル内の領域又はサブブロックの連続定義に基づく多重タッチセンサが提供される。各領域における接触位置は、次に、隣接する信号値の間で内挿を適用することによってより正確に判断することができる。これは、タッチパネルの電極パターン化によって定義されるものよりも微細なスケールでの位置分解能を可能にする。
【選択図】図３

7. 发明专利

JP2009517742A Command decoder for flash memory digital controller system based on a microcontroller 审中-公开
公开(公告)号：JP2009517742A
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：JP2008542477
申请日：2006-11-28
申请人：アトメル・コーポレイションAtmel Corporation
发明人：コーエン，ダニエル・スコット
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G06F9/30181 , G06F15/7814 , Y02D10/12 , Y02D10/13
摘要：マイクロコントローラに基づフラッシュメモリデジタルコントローラシステムくのために使用されるコマンドデコーダは、ユーザからのコマンドを解釈し、コマンドの優先順位およびコマンドモードを管理するための主要ユーザインターフェースとして機能するコマンドデコーダ等、複数のサブシステムを含む。また、コマンドデコーダは、プログラムバッファ、バースト読み込みモジュール、レジスタクロック、マイクロコントローラ等の他のサブシステムによって使用されるアドレス、データ、オペコード、および種々のフラグレジスタを含む重要な情報を格納する。さらに、コマンドデコーダは、クロック同期論理を含み、マイクロコントローラのスリープ機能を制御し、テストモードコントローラとして機能する。

8. 发明专利

JP2009503847A Electric field reduction dmos using a self-aligned trench isolation 审中-公开
公开(公告)号：JP2009503847A
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：JP2008523905
申请日：2006-07-10
申请人：アトメル・コーポレイションAtmel Corporation
发明人：グラフ，ミハエル , デュデク，フォルカー , ミラー，ゲイル・ダブリュ，ジュニア
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7824 , H01L21/823481 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7835
摘要：電子デバイスの製造方法および結果として生じる電子デバイスを提供する。方法は、シリコン・オン・インシュレータ基板（２０１、２０３、２０５）の最上の側にゲート酸化物（２１７）を形成するステップと、ゲート酸化物（２１７）の上に第１のポリシリコン層（２１９）を形成するステップと、第１のポリシリコン層（２１９）の上に第１の二酸化シリコン層（２２１）を形成するステップとを備える。そして第１の二酸化シリコン層（２２１）の上に第１の窒化シリコン層（２２３）を形成し、続いて第２の二酸化シリコン層を形成する。先の誘電体層のすべてを貫通してＳＯＩ基板（２０１、２０３、２０５）内へ浅いトレンチをエッチングする。エッチングされたトレンチを他の誘電体層（たとえば二酸化シリコン）（２３９）で充填し、平坦化する。先の誘電体層の各々を除去し、誘電体層の最上側壁区域を、後で適用されるポリシリコンゲート区域との接触のために露出させておく。側壁区域の形成によりフィールド酸化物の全厚みが保証され、それによって、電界が低減され、かつゲート領域とドリフト領域との間のキャパシタンスが低減されたデバイスが生成される。

9. 发明专利

JP2008541166A Reduction methods and hardware for its randomized modular polynomial 有权
公开(公告)号：JP2008541166A
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：JP2008511127
申请日：2006-04-12
申请人：アトメル・コーポレイションAtmel Corporation
发明人：デュパキ，バンサン , ドゥゲ，ミシェル
IPC分类号： G09C1/00
CPC分类号： G06F7/726 , G06F7/724 , G06F2207/7233
摘要：暗号学的に安全で、コンピュータハードウェアによって実施されるバイナリの有限フィールドの多項式モジュラーリダクション方法は、多項式残余の計算に用いられる多項式の商ｑ′（ｘ）を概算（３２）し、ランダム化（３６）する。このおおよその多項式の商ｑ（ｘ）に注入されるランダム化エラーＥ（ｘ）は、数ビット、たとえば２分の１ワードより小さいビットに制限される。計算された（３８）多項式の残余ｒ′（ｘ）は、法Ｍ（ｘ）による最終的な厳密なバイナリフィールドリダクションによって求められ得る剰余ｒ（ｘ）のほんの小さなランダムな倍数と合同である。計算ユニット（１０）および演算シーケンサ（１６）に加えて、計算ハードウェアは、ランダムな多項式エラーを発生する乱数または疑似乱数発生器（２０）も含む。このように、このモジュラーリダクション方法は、タイミング攻撃およびべき乗解析攻撃のようなハードウェア暗号解析攻撃に抵抗する。

10. 发明专利

JP2008538160A Nonvolatile memory transistor having a nanotube floating gate 审中-公开
公开(公告)号：JP2008538160A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：JP2008504033
申请日：2006-02-08
申请人：アトメル・コーポレイションAtmel Corporation
发明人：ロジェク，ボフミル
IPC分类号： H01L21/8247 , C01B31/02 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42332 , H01L51/0048 , H01L51/0052
摘要：不揮発性メモリトランジスタ（５１）は、チャネルを規定する離間したソース領域（３７）およびドレイン領域（３９）を有する半導体基板（１１）と、チャネル上のトンネル酸化物層（１３）と、トンネル酸化物上のカーボンナノチューブ導電層（３１）とを有する。パターニングの際、メサ（３５）がフローティングゲートとしてナノチューブの所望の位置を保持して形成される。メサはソースおよびドレイン電極の自己整合注入に利用される。ナノチューブは多孔質の、無作為に配置されたマット状の層として堆積されており、ナノチューブがトンネル酸化物上に直接存在するよう、支持層のエッチング除去を可能にする。ナノチューブは絶縁物（５５）によって保護され、導電性のコントロールゲート（５７）がナノチューブ・フローティングゲート層上に設けられる。

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