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1. 发明申请

WO2013056875A1 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：的光用于制造发光器件的发光器件和方法
公开(公告)号：WO2013056875A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/066222
申请日：2012-10-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHWAMB, Philipp , SETZ, Daniel Steffen
发明人： SCHWAMB, Philipp , SETZ, Daniel Steffen
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0096 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5268 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/5278 , H01L51/5296 , H01L51/56 , H01L2251/105 , H01L2251/5323 , H01L2251/5369 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement (200) bereitgestellt, aufweisend einen Träger (202) mit mindestens einer Vertiefung (204); eine Lichtauskopplungsschicht (208) in der Vertiefung (204); und ein elektrisch aktiver Bereich (216), der über oder unter der Lichtauskopplungsschicht (208) angeordnet ist, wobei der elektrisch aktive Bereich (216) aufweist: eine erste Elektrode (218); eine zweite Elektrode (220); eine organische funktionelle Schichtenstruktur (222) zwischen der ersten Elektrode (218) und der zweiten Elektrode (220).
摘要翻译：在各种实施方案中，一种发光器件（200）被提供，其包括具有至少一个凹部（204）的载体（202）; 在凹槽中的光提取层（208）（204）; 和电有源区（216），其布置的上方或光提取层（208）的下方，其中，所述电有源区（216）包括：第一电极（218）; 第二电极（220）; 所述第一电极（218）和第二电极（220）之间的有机功能层结构（222）。

2. 发明申请

WO2013053891A1 FLEXIBLE LEITERPLATTE ZUR ELEKTRISCHEN KONTAKTIERUNG UND MECHANISCHEN BEFESTIGUNG EINER LAMPE IN EINER LEUCHTE 审中-公开
标题翻译：柔性电路板，在光电接触和机械固定LAMP
公开(公告)号：WO2013053891A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/EP2012/070263
申请日：2012-10-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , DIEKMANN, Karsten , SCHICKTANZ, Simon
发明人： DIEKMANN, Karsten , SCHICKTANZ, Simon
IPC分类号： H05K1/11 , H05K1/18 , H05K3/32 , H05K1/02
CPC分类号： F21V17/12 , F21K9/20 , F21V23/004 , F21Y2115/15 , H05K1/0271 , H05K1/028 , H05K1/115 , H05K1/116 , H05K1/118 , H05K1/181 , H05K1/189 , H05K3/323 , H05K2201/10113 , H05K2201/10409
摘要： Offenbart ist eine zumindest abschnittsweise flexibel ausgebildete Leiterplatte (1) zur elektrischen Kontaktierung einer Lampe (20) mit einer Lampen-Anschlussvorrichtung einer Leuchte, so dass eine Lampe über die Leiterplatte elektrisch mit einer Leuchte verbunden werden kann. Die Leiterplatte hat eine erste Flachseite (3), auf der zumindest eine Leiterbahn verläuft. Die erste Flachseite ist von einer elektrisch isolierenden Deckschicht (7) teilweise überzogen. Die zumindest eine Leiterbahn hat einen zur elektrischen Kontaktierung der Leiterbahn dienenden freiliegenden Kontaktabschnitt (11a, 11b). Zur Herstellung des elektrischen Kontakts zwischen Leiterplatte und Lampen-Anschlussvorrichtung kann der Kontaktabschnitt der zumindest einen Leiterbahn mittels eines mechanischen Befestigungselements (30), das aus einem elektrisch leitfähigen Material hergestellt ist, sowohl mechanisch als auch elektrisch mit einem Lampen-Anschlusselement der Lampen-Anschlussvorrichtung unmittelbar verbunden werden/sein. Ein weiterer Kontaktabschnitt der Leiterbahn kann mit einem entsprechend ausgebildeten Leiterplatten-Kontaktelement der Lampe elektrisch kontaktiert werden/sein, z.B. mittels einer ACF-Kontaktierung (22).
摘要翻译：公开了一种用于与一个灯（20）连接的光的装置，以便在电路板的灯能够被电连接到灯的灯电接触的至少部分柔性的形成印刷电路板（1）。电路板具有一第一平侧面（3），其上延伸的至少一个导体线路。电绝缘层的第1平坦面（7）部分地涂覆。所述至少一个导体轨迹具有用于导体轨道暴露的接触部分的电接触每份（11A，11B）。以产生在电路板和灯的连接装置，通过机械紧固件（30），其由导电材料制成的装置的至少一个导体轨道的接触部分之间的电接触，机械地和直接电连接到灯连接装置的灯终端是/连接。所述导体的另一接触部能够与灯的电气/是，例如适当设计的PCB接触构件接触通过ACF接触（22）的装置。

3. 发明申请

WO2013053517A1 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：的光用于制造发光器件的发光器件和方法
公开(公告)号：WO2013053517A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/EP2012/066203
申请日：2012-08-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LANG, Erwin , SETZ, Daniel Steffen
发明人： LANG, Erwin , SETZ, Daniel Steffen
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5275 , H01L51/0031 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5268 , H01L51/5278 , H01L51/5281 , H01L51/5296 , H01L51/56 , H01L2251/5323 , H01L2251/5369 , H01L2251/55
摘要： Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement (100) bereitgestellt, aufweisend: einen elektrisch aktiven Bereich (106), aufweisend: eine erste Elektrode (108), eine zweite Elektrode (112), und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (110) zwischen der ersten Elektrode (108) und der zweiten Elektrode (112); eine Abdeckung (126), die über dem elektrisch aktiven Bereich (106) angeordnet ist; und eine zwischen der Abdeckung (126) und dem elektrisch aktiven Bereich (106) angeordnete Zwischenschichtstruktur (122) mit mindestens einer Schicht, wobei die mindestens eine Schicht einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung (126).
摘要翻译：用于制造发光器件在各个实施例的发光器件和方法的光，提供了一种发光器件（100），包括：电活性区（106），包括：第一电极（108），第二电极（112），和有机所述第一电极（108）和第二电极（112）之间的功能层结构（110）; 一个盖（126）设置在所述电有源区（106）; 和所述盖（126）和所述电有源区（106）之间设置在具有至少一层的中间层结构（122），所述至少一个层的折射率比所述盖（126）的折射率小。

4. 发明申请

WO2013007485A1 ORGANISCHES LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ORGANISCHEN LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：用于制备有机发光元件的有机发光器件和方法
公开(公告)号：WO2013007485A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/EP2012/061794
申请日：2012-06-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , DOBBERTIN, Thomas , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo , SETZ, Daniel, Steffen
发明人： DOBBERTIN, Thomas , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo , SETZ, Daniel, Steffen
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/53 , H01L2251/56
摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches lichtemittierendes Bauelement (200) bereitgestellt. Das organische lichtemittierende Bauelement (200) kann aufweisen eine erste transluzente Elektrode (204); eine organische lichterzeugende Schichtenstruktur (206) auf oder über der ersten Elektrode (204); eine zweite transluzente Elektrode (212) auf oder über der organischen lichterzeugenden Schichtenstruktur (206); eine optisch transluzente Schichtenstruktur (214) auf oder über der zweiten Elektrode (212) und eine Spiegel-Schichtenstruktur (216) auf oder über der optisch transluzenten Schicht (214), wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (216) eine lichtstreuende Struktur (218) auf der zu der optisch transluzenten Schichtenstruktur (214) liegenden Seite der Spiegel-Schichtenstruktur (216) aufweist.
摘要翻译：在各种实施例中，有机发光装置（200）被提供。的有机发光装置（200）可以包括第一透光性电极（204）; 上或所述第一电极（204）上方的有机光产生层结构（206）; 上或在有机发光层结构（206）上方的第二透光性电极（212）; 上或所述第二电极（212）和上或光学半透明层（214）上方的反射镜层结构（216），上述的光学半透明的层结构（214），其中，所述反射镜层结构（216）的光扩散结构（218），以要躺在镜层结构（216）的侧上的光学半透明的层结构（214）。

5. 发明申请

WO2013000797A1 VERKAPSELUNGSSTRUKTUR FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM VERKAPSELN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES 审中-公开
标题翻译：封装，光电组件和方法封装的光电子器件
公开(公告)号：WO2013000797A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/EP2012/061892
申请日：2012-06-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAISL, Richard , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , FISCHER, Doreen , KRUMMACHER, Benjamin , LANG, Erwin , SCHLENKER, Tilmann , SCHMID, Christian
发明人： BAISL, Richard , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , FISCHER, Doreen , KRUMMACHER, Benjamin , LANG, Erwin , SCHLENKER, Tilmann , SCHMID, Christian
IPC分类号： H01L51/52 , H05B33/04
CPC分类号： H01L51/5253 , H01L51/448 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5256
摘要： Eine Verkapselungsstruktur (300) für ein optoelektronisches Bauelement (400) weist auf: eine Dünnschichtverkapselung (301) zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht (302) und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht (303) zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.
摘要翻译：用于光电装置（400）的包装结构（300）包括：用于光电子器件的化学杂质的保护薄膜封装（301），形成在薄膜封装粘合剂层（302）和形成在粘合剂层覆盖层（303）上的凹部，以保护上的电极薄膜封装和/或免受机械损伤的光电子器件。

6. 发明申请

WO2012171790A1 ORGANISCHE LEUCHTDIODE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ORGANISCHEN LEUCHTDIODE UND MODUL MIT MINDESTENS ZWEI ORGANISCHEN LEUCHTDIODEN 审中-公开
标题翻译：有机发光二极管，用于生产有机发光与二极管模块具有至少两个有机LED
公开(公告)号：WO2012171790A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/060090
申请日：2012-05-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , TRESS, Robert , DIEKMANN, Karsten , GÖÖTZ, Britta
发明人： TRESS, Robert , DIEKMANN, Karsten , GÖÖTZ, Britta
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/52 , F21Y2105/00 , F21Y2113/00 , F21Y2115/15 , H01L25/048 , H01L27/32 , H01L51/5203 , H01L2251/5361 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine organische Leuchtdiode (1) mit den folgenden Elementen angegeben: einem Substrat (2), einer organischen Schichtenfolge (5), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, wobei die organische Schichtenfolge (5) in einem zentralen Bereich (4) des Substrats (2) angeordnet ist, einer Metallisierung (9), die in einem Randbereich (8) des Substrats (2) angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung der organischen Schichtenfolge (5) ausgebildet ist, und einer separat gefertigten metallischen Kontaktstruktur (12), die durch ein auf Ultraschalltechnik basierenden Fügevorgang mit der Metallisierung (9) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode und ein Modul mit mindestens zwei Leuchtdioden angegeben.
摘要翻译：提供了一种有机发光二极管（1）具有下列元件：基板（2），有机层序列（5），其操作，其中，所述有机层序列（5）的中央区域（4）的基板时产生的电磁辐射（2）被布置成，在边缘区域（8）的基板（2）被布置和设计成用于有机层序列电接触的金属化（9）（5），和一个单独制造的金属接触结构（12）通过与金属化（9）基于超声的技术接合过程内聚和导电连接。此外，一种制造有机发光二极管和一个模块的方法都标有至少两个发光二极管。

7. 发明申请

WO2012107261A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012107261A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/EP2012/050713
申请日：2012-01-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EIBL, Johann , ENGL, Karl , LAMFALUSI, Tamas , MAUTE, Markus
发明人： EIBL, Johann , ENGL, Karl , LAMFALUSI, Tamas , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.
摘要翻译：的光电子半导体芯片（100）的外延层（102）包括具有第一区域（116）和第二区域（118）和受保护的结构（108，106）一个掺杂外延层（104）。完全覆盖保护结构（108，106）掺杂的外延层（104）的所述第一部分（116）。掺杂的外延层（104）的外表面（119）具有在具有第一表面粗糙度的第一区域（116）和在所述第二区域（118）具有第二粗糙度。

8. 发明申请

WO2012034765A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法生产电子部件和电子元件的
公开(公告)号：WO2012034765A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/062969
申请日：2011-07-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BECKER, Dirk , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo
发明人： BECKER, Dirk , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/56 , C23C14/024 , C23C14/14 , H01L51/0021 , H01L51/5203 , H01L51/5215 , H01L51/5234
摘要： Ein Verfahren (100) zum Herstellen eines elektronischen Bauelements (240) kann aufweisen ein Aufbringen (102) einer Elektroden-Aufwachsschicht (226) auf oder über einer Schichtenstruktur mittels eines Atomlagendeposition- Verfahrens; und ein Aufbringen (104) einer Elektrode (232) auf der Elektroden-Aufwachsschicht (226).
摘要翻译：一种用于制造电子设备（240）可以包括施加方法（100）（102）上或通过一个方法Atomlagendeposition-的层结构上方的电极生长层（226）; 以及沉积（104）中的电极生长层（226）上的电极（232）。

9. 发明申请

WO2011160977A1 VERFAHREN ZUM ABTRENNEN EINER SUBSTRATSCHEIBE 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR A片光盘的分离
公开(公告)号：WO2011160977A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/059792
申请日：2011-06-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WAGNER, Ralph
发明人： WAGNER, Ralph
IPC分类号： C30B29/40 , C30B33/00 , C30B33/08 , B23K26/40 , B23K26/06
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K2203/50 , C30B29/40 , C30B33/06 , C30B33/08 , H01L21/2007 , H01L21/268 , H01L21/30608 , H01L21/30617 , H01L29/20
摘要： In einem Verfahren zum Abtrennen einer Halbleiterschicht aus einem Halbleitereinkristall (100) wird ein Halbleitereinkristall (100) mit einheitlicher Kristallstruktur bereitgestellt. Durch Bestrahlen mittels eines Lasers (106) wird die Kristallstruktur innerhalb einer Trennebene (104) in dem Halbleitereinkristall (100) lokal in einen veränderten Gefügezustand modifiziert. Durch selektives Ätzen wird die modifizierte Trennebene (104) entfernt.
摘要翻译：在用于分离半导体单晶的半导体层的方法（100）是半导体单晶（100）被提供有均匀的结晶结构。分离（104）的平面内的晶体结构是由激光器（106）局部地修改成在半导体单晶（100）通过辐射改变的结构状态。修改后的分型面（104）通过选择性蚀刻除去。

10. 发明申请

WO2011134727A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2011134727A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/EP2011/054680
申请日：2011-03-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , LINKOV, Alexander , SABATHIL, Matthias
发明人： ILLEK, Stefan , LINKOV, Alexander , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/54 , G02B6/00 , H01L33/60
CPC分类号： G02B6/0023 , G02B6/0073 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (1) weist einen Träger (2) und mindestens einen Halbleiterchip (3) auf. Der Halbleiterchip (3) ist auf dem Träger (2) angeordnet und zum Emittieren einer Primärstrahlung (6) eingerichtet. Den Halbleiterchip (3) umschließt zumindest teilweise ein zumindest teilweise transparentes Medium (7) mit einer Höhe (8) über dem Träger (2) und einer Breite (9) entlang des Trägers (2). In das Medium (7) sind Partikel (10, 11) eingebracht, die mit der Primärstrahlung (6) wechselwirken. Das Medium (7) weist ein Verhältnis der Höhe (8) zu der Breite (9) von größer als 1 auf.
摘要翻译：光电子器件（1）包括支撑件（2）和至少一个半导体芯片（3）。半导体芯片（3）被布置在所述载体（2）和（6），其适于用于发射初级辐射上。半导体芯片（3）包围至少部分（7）具有一高度的至少部分透明的介质（8）上方的支撑件（2）和宽度（9）沿所述载体（2）。在介质（7），颗粒（10，11）插入时，与所述初级辐射（6）相互作用。介质（7）具有的高度（8）的比例与宽度（9）大于第一

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