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1. 发明申请

WO2022167142A1 DOHERTY VERSTÄRKERSCHALTUNG UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER DOHERTY VERSTÄRKERSCHALTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2022167142A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/EP2021/087686
申请日：2021-12-27
申请人： RWTH AACHEN UNIVERSITY
发明人： HEIDEBRECHT, Eduard , NEGRA, Renato
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/60 , H03F3/19 , H03F3/24 , H01P5/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Doherty Verstärkerschaltung (2) für eine Sendestufe (1), mit einem primären Hochfrequenz-, HF-, Verstärkerelement (5) und einem sekundären HF-Verstärkerelement (6), das im Betrieb ausgebildet ist, eine Lastmodulation am Ausgang des primären HF-Verstärkerelements (5) zu bewirken, wobei ein dem sekundären HF-Verstärkerelement (6) nachgeschalter erster Leiterabschnitt (7) und ein dem primären HF-Verstärkerelement (5) nachgeschalteter zweiter Leiterabschnitt (8, 9) zueinander beabstandet und angeordnet sind, die Lastmodulation am Ausgang des primären HF-Verstärkerelements (5) zu ermöglichen, und jeweils eine Länge aufweisen, die bezogen auf eine Trägerwellenlänge λ kleiner als λ/4 ist.

2. 发明申请

WO2021197687A1 HALTERUNG FÜR ELEKTRISCH ANGETRIEBENE PUMPEN EINES KRAFTFAHRZEUGS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021197687A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：PCT/EP2021/052501
申请日：2021-02-03
申请人： NIDEC GPM GMBH
发明人： LUDWIG, Paul Michael
IPC分类号： F04D29/60 , F04D29/66 , F04D29/601 , F04D29/605 , F04D29/668 , F04D29/669 , F05D2260/37
摘要： Vorgesehen ist eine Halterung (I) zur Befestigung von elektrisch angetriebenen Pumpen (12) an einem Kraftfahrzeug. Die Halterung (1) umfasst ein ringförmiges Aufnahmeelement (2), welches die Pumpe (12) aufnimmt und an einem Außenumfang eines Gehäuses der Pumpe (12) fixiert ist, und einen Montageabschnitt (3), welcher mit dem ringförmigen Aufnahmeelement (2) verbunden ist und zur Befestigung der Pumpe (12) an dem Kraftfahrzeug dient. Das ringförmige Aufnahmeelement (2) ist an dem Außenumfang des Gehäuses der Pumpe (12) aufgeschrumpft und umfasst zumindest eine sich in der axialen Richtung des Aufnahmeelements erstreckende Lasche (4), in welcher zumindest eine Ausnehmung (4a) zur Aufnahme eines Konstruktionselements (6) der Pumpe (12) ausgebildet ist. In dem Montageabschnitt (3) ist zumindest ein Befestigungsloch (5) zur Aufnahme eines schwingungsdämpfenden Entkopplungselements (7; 7') vorgesehen.

3. 发明申请

WO2021175520A1 WASSERPUMPENLAGEREINHEIT MIT DICHTUNGSANORDNUNG SOWIE DAMIT AUSGERÜSTETE WASSERPUMPE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021175520A1
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：PCT/EP2021/052275
申请日：2021-02-01
申请人： NIDEC GPM GMBH
发明人： PAWELLEK, Franz , BERNER, Marcel
IPC分类号： F16C33/10 , F16C33/74 , F04D29/046 , F04D29/10
摘要： Wasserpumpenlagereinheit (1) mit Dichtungsanordnung (2) zur radialen Lagerung und Abdichtung einer Welle (3) zwischen einer nassen Seite (4) und einer trockenen Seite (5) in einem Gehäuse (6) einer Wasserpumpe, die eine Gleitlagerbuchse (11), eine trockenseitige Wellendichtung (25) und eine nassseitige Wellendichtung (24) umfasst. In der Wasserpumpeneinheit (1) ist eine Schmierstofffüllung (22) zur Schmierung eines Lagerspalts (21) sowie zur Abdichtung von Freiräumen aufgenommen. Es ist wenigstens eine Schmierstoffreservoir-Ausnehmung (12) zur Vergrösserung der Schmierstofffüllung (22) bereitgestellt; wobei die wenigstens eine Schmierstoffreservoir-Ausnehmung (12) i) zu beiden axialen Richtungen jeweils durch einen Abschnitt des Lagerspalts (21) eingegrenzt ist und/oder ii) in der Schmierstoffreservoir-Ausnehmung (12) ein Volumenkompensator (23) zur Kompensation einer temperaturabhängigen VolumenSchwankung der Schmierstofffüllung (22) bereitgestellt ist, der ein kompressibles Material umfasst.

4. 发明申请

WO2021069128A1 DAMPFLECKAGEN-KOMPAKTDICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021069128A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：PCT/EP2020/072132
申请日：2020-08-06
申请人： NIDEC GPM GMBH
发明人： PAWELLEK, Franz , BERNER, Marcel
IPC分类号： F16J15/00 , F16J15/16 , F16J15/3232 , F16J15/324 , F16J15/40
摘要： Es wird eine Wellendichtung (1) vorgeschlagen, die dazu eingerichtet ist, eine Welle (2) zwischen einer Kühlmittelseite (8) und einer trockenen Seite (9) in einer Wasserpumpe abzudichten. Die Wellendichtung (1) zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass ein kompressibler Volumenkompensator (7) zur Kompensation einer temperaturabhängigen Volumenschwankung bereitgestellt ist, der in Wechselwirkung mit dem Volumen eines Sperrfluids (6) stehend angeordnet ist.

5. 发明申请

WO2020164776A1 ELEKTRISCHE SCHRAUBENSPINDEL-KÜHLMITTELPUMPE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020164776A1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：PCT/EP2019/084161
申请日：2019-12-09
申请人： NIDEC GPM GMBH
发明人： DÖHLER, Daniel , PAWELLEK, Franz
IPC分类号： F04C2/16 , F04C15/00 , F04C29/04
摘要： Es wird eine elektrische Schraubenspindel-Kühlmittelpumpe vorgeschlagen, die sich zum Fördern eines Kühlmittelkreislaufs oder anderer korrosiver, flüssiger Medien eignet. Die elektrische Schraubenspindel-Kühlmittelpumpe weist ein Spindelgehäuse (1) mit einer Spindelkammer (10) und ein axial benachbartes Motorgehäuse (3) auf. Kennzeichnend ist, dass das Motorgehäuse (3) eine Motorkammer (30) umfasst, in der ein trockenlaufender Elektromotor (4) zu dem Förderstrom abgegrenzt angeordnet ist; und das Motorgehäuse (3) einen von dem Förderstrom durchflossenen Wärmeübergangsabschnitt (31) aufweist, der zwischen der Motorkammer (30) und einer Bauteilgrenze des Motorgehäuses (3) zu dem Spindelgehäuse (1) angeordnet ist.

6. 发明申请

WO2020127041A1 SILICON CARBIDE POWER DEVICE WITH MOS STRUCTURE AND STRESSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2020127041A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/EP2019/085340
申请日：2019-12-16
申请人： ABB POWER GRIDS SWITZERLAND AG
发明人： BELLINI, Marco , KNOLL, Lars , KRANZ, Lukas
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要： A silicon carbide power device (100) with a MOS structure is provided, in which a stress is introduced in a channel region (115, 125) by two stressors (410, 420) to push energy levels of traps present at the an interface between a gate insulation layer (131) and the channel region (115, 125) into the conduction band so that the traps do not negatively affect the device characteristics.

7. 发明申请

WO2020114660A1 HYBRID SHORT CIRCUIT FAILURE MODE PREFORM FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020114660A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/EP2019/078249
申请日：2019-10-17
申请人： ABB SCHWEIZ AG
发明人： COTTET, Didier , KICIN, Slavo
IPC分类号： H01L23/62 , H01L25/07
摘要： A power semiconductor module comprises a base plate (1); a semiconductor chip (2) disposed on and in contact with a top surface of the base plate (1), a preform (3) disposed on and in contact with a top surface of the semiconductor chip (2); and a pressing element (4) in contact with and applying a pressure onto a top surface of the preform (3). The preform (3) comprises a first electrically conductive layer (6) and a second electrically conductive layer (5). The first electrically conductive layer (6) has at least one protrusion (7) protruding towards the top surface of the semiconductor chip (2) and defining a recess (9) in the first electrically conductive layer (6) of the preform (3), wherein the recess (9) may annularly surround the protrusion (7). The at least one protrusion (7) is made from the same material as the first electrically conducting layer (6) and integrally formed with it or the first electrically conducting layer (6) and the at least one protrusion (7) are made from different materials. At least a portion of the second electrically conductive layer (5) is positioned in the recess (9) and on the top surface of the semiconductor chip (2). The material of the at least one protrusion (7) has a higher melting point than the material of the second electrically conductive layer (5). The power semiconductor module is configured so that in an event of semiconductor chip failure with heat dissipation, the protrusion (7) of the first electrically conductive layer (6) penetrates through residual material (8) of the semiconductor chip (2) upon pressure applied by the pressing element (4) towards the base plate (1) so as to establish a contact between the protrusion (7) of the first electrically conductive layer (6) and the base plate (1) and form a short circuit bridging the defective semiconductor chip (2) in a short circuit failure mode. The bottom surface of the preform (3) may be formed by a bottom surface of the second electrically conductive layer (5) alone or by a bottom surface of the second electrically conductive layer (5) and a bottom surface of the protrusion (7).

8. 发明申请

WO2020104117A1 POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND SHADOW-MASK FREE METHOD FOR PRODUCING SUCH DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020104117A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/EP2019/078235
申请日：2019-10-17
申请人： ABB SCHWEIZ AG
发明人： PAPADOPOULOS, Charalampos , BOKSTEEN, Boni Kofi , ANDENNA, Maxi , CORVASCE, Chiara , KUNKEL, Gerhard
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/32 , H01L29/06
摘要： A power semiconductor device comprises a wafer (2) having an active region (AR) and a termination region (TR) laterally surrounding the active region; floating field rings in the termination region; a lifetime control region comprising defects reducing a carrier lifetime; and a protecting layer (6) on the wafer. The protecting layer covers the termination region and comprises a thin portion (61) and a thick portion (62) laterally surrounding the thin portion. The thick portion covers the floating field rings. The lifetime control region (5) extends in a lateral direction throughout the active region and in the termination region throughout a portion which is covered by the thin portion and not in a portion which is covered by the thick portion. According to a fabrication method the lifetime control region is formed by irradiating the wafer (2) with ions using the protecting layer (6) as an irradiation mask.

9. 发明申请

WO2020064397A1 WÄLZLAGER MIT DICHTUNGSANORDNUNG UND WASSERPUMPE MIT DEMSELBEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020064397A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/EP2019/074683
申请日：2019-09-16
申请人： NIDEC GPM GMBH
发明人： LUDWIG, Paul , PAWELLEK, Franz
IPC分类号： F16C33/66 , F04D29/047 , F04D29/06 , F16C19/08 , F16C19/18 , F16C33/58 , F16C33/78 , F16C33/80 , F16N7/22
摘要： Es wird ein Wälzlager (1) mit einer Dichtungsanordnung (2), vorzugsweise als Kompaktlager und Abdichtung für Wasserpumpen, mit zwei axial benachbarten W älzkörperreihen (14, 15) zwischen einem Außenring (10) und einem W ellenlagerabschnitt (31), sowie einer nassseitigen W ellendichtung (24) und einer trockenseitigen Wellendichtung (25) vorgeschlagen. Ein Schmierstoffdepot (20) mit einem zumindest bereichsweise porösen Substrat (21) ist umlaufend in einem radialen Kontakt zu dem Wellenabschnitt (31) und dem Außenring (10) angeordnet; wobei das Schmierstoffdepot (20) in Poren des Substrats (21) einen wasserunlöslichen Schmierstoff enthält, und ein Volumen des Schmierstoffdepots (20) und ein Volumen einer Schmierstofffüllung (22) mit dem Schmierstoff ein Gesamtvolumen von Freiräumen zwischen der nassseitigen Wellendichtung (24) und der trockenseitigen Wellendichtung (25) einnehmen.

10. 发明申请

WO2019170631A1 HIGH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED FIELD PLATE AND MESA TERMINATION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：WO2019170631A1
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：PCT/EP2019/055376
申请日：2019-03-05
申请人： ABB SCHWEIZ AG
发明人： KNOLL, Lars , MIHAILA, Andrei , KRANZ, Lukas
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/861 , H01L29/24
摘要： A power semiconductor device comprises: a wide-bandgap semiconductor layer (1) extending in a lateral direction and comprising an active region (AR) and a termination region (TR) surrounding the active region (AR); a first recess (9) recessed from the first main side (2) in the termination region (TR) and surrounding the active region (AR); a field plate (5) on the first main side (2) of the wide-bandgap semiconductor layer (1) and exposing a first portion of the wide-bandgap semiconductor layer (1) in the termination region (TR); and a sidewall (9e) of the first recess adjacent to the active region (AR) being laterally aligned with a circumferential edge (5e) of the field plate (5).

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