专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI698450B 含金屬氧化纖維素奈米纖維分散液之製造方法有权
简体标题：含金属氧化纤维素奈米纤维分散液之制造方法
公开(公告)号：TWI698450B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105124611
申请日：2016-08-03
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：曾根篤 , SONE, ATSUSHI , 磯貝明 , ISOGAI, AKIRA
IPC分类号： C08B15/02 , C08L1/04

2. 发明专利

TWI698036B 有機薄膜電晶體、有機薄膜電晶體的製造方法、有機薄膜電晶體用材料、有機薄膜電晶體用組成物、有機半導體膜、化合物有权
简体标题：有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管的制造方法、有机薄膜晶体管用材料、有机薄膜晶体管用组成物、有机半导体膜、化合物
公开(公告)号：TWI698036B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105124528
申请日：2016-08-03
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：福﨑英治 , FUKUZAKI, EIJI , 津山博昭 , TSUYAMA, HIROAKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 渡邉哲也 , WATANABE, TETSUYA , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： H01L51/30 , H01L51/40

3. 发明专利

TWI687503B 有機半導體元件及其製造方法、有機半導體膜形成用組合物以及有機半導體膜的製造方法有权
简体标题：有机半导体组件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TWI687503B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105103088
申请日：2016-02-01
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：津山博昭 , TSUYAMA, HIROAKI , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： C09K11/06 , H01L51/50 , C07D495/14 , H01L51/56

4. 发明专利

TW201906789A 利用階層結構之流水壓力損失減低型吸附系統审中-公开
简体标题：利用阶层结构之流水压力损失减低型吸附系统
公开(公告)号：TW201906789A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107115543
申请日：2018-05-08
申请人：國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：石井和之 , ISHII, KAZUYUKI , 榎本恭子 , ENOMOTO, KYOKO
IPC分类号： C02F1/28 , G21F9/12 , B01J20/02
摘要：本發明係關於用以由水環境，特別是流水中將污染物質去除的利用階層結構之流水壓力損失減低型的污染物質之吸附去除系統及方法，特別係關於由被放射性銫污染之水環境(特別是流水)之放射性銫之污染去除系統及方法。具體而言，係提供一種系統，其係設置於污染水之流道，用以將污染水中之污染物質吸附去除之系統，其特徵為具備包含藉由與污染水接觸而吸附污染物質之吸附材的複數個匣體，與將匣體保持於前述流道之手段，前述匣體各自具備具有複數個通水孔之容器、被封入於容器之複數個吸附材，與防止吸附材由通水孔流出但不妨礙吸附材與水的接觸之手段，且前述吸附材，為載持有可捕捉污染物質之物質之由親水性纖維所構成的多孔質結構體。
简体摘要：本发明系关于用以由水环境，特别是流水中将污染物质去除的利用阶层结构之流水压力损失减低型的污染物质之吸附去除系统及方法，特别系关于由被放射性铯污染之水环境(特别是流水)之放射性铯之污染去除系统及方法。具体而言，系提供一种系统，其系设置于污染水之流道，用以将污染水中之污染物质吸附去除之系统，其特征为具备包含借由与污染水接触而吸附污染物质之吸附材的复数个匣体，与将匣体保持于前述流道之手段，前述匣体各自具备具有复数个通水孔之容器、被封入于容器之复数个吸附材，与防止吸附材由通水孔流出但不妨碍吸附材与水的接触之手段，且前述吸附材，为载持有可捕捉污染物质之物质之由亲水性纤维所构成的多孔质结构体。

5. 发明专利

TW201841923A 有機半導體及其製造方法审中-公开
简体标题：有机半导体及其制造方法
公开(公告)号：TW201841923A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107109641
申请日：2018-03-21
申请人：日商大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：池田大次 , IKEDA, DAIJI , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： C07D495/14 , C07D337/06 , C07F7/08 , C07F9/6568 , C07D517/14 , C09D5/24 , H01L29/786 , H01L51/30 , H01L51/40
摘要：本發明之有機半導體包含下述式(1)所示之應變型化合物。 (式中，Z表示選自週期表第13至16族元素之原子；環A1及A2表示具有至少1個碳-碳不飽和鍵之環；R1a、R1b及R2係相同或相異且表示氫原子或取代基；R3表示選自週期表第16族元素之原子；RA及RB係相同或相異且表示氫原子、取代基或選自週期表第16族元素之原子；m表示0至4的整數；n表示0至2的整數；p1及p2表示0以上的整數；所示之鍵結表示單鍵或雙鍵)。前述有機半導體具有較高的移動度(電移動度)，同時能夠藉由塗佈等濕式製程輕易地或效率良好地進行成形。
简体摘要：本发明之有机半导体包含下述式(1)所示之应变型化合物。 (式中，Z表示选自周期表第13至16族元素之原子；环A1及A2表示具有至少1个碳-碳不饱和键之环；R1a、R1b及R2系相同或相异且表示氢原子或取代基；R3表示选自周期表第16族元素之原子；RA及RB系相同或相异且表示氢原子、取代基或选自周期表第16族元素之原子；m表示0至4的整数；n表示0至2的整数；p1及p2表示0以上的整数；所示之键结表示单键或双键)。前述有机半导体具有较高的移动度(电移动度)，同时能够借由涂布等湿式制程轻易地或效率良好地进行成形。

6. 发明专利

TW201841922A 有機半導體及其製造方法审中-公开
简体标题：有机半导体及其制造方法
公开(公告)号：TW201841922A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107109639
申请日：2018-03-21
申请人：日商大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：池田大次 , IKEDA, DAIJI , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： C07D495/04 , H01L51/00
摘要：本發明之有機半導體，係含有下述式(A)所示之化合物。 (式中，環A1及A2表示相同或相異之具有至少1個碳-碳不飽和鍵之環；R1a及R1b表示相同或相異之氫原子或取代基；RA及RB表示相同或相異之氫原子、取代基或選自週期表第16族元素之原子；p1及p2表示相同或相異之0以上的整數；以所示之鍵表示單鍵或雙鍵) 前述有機半導體，係具有高移動率(或載子移動率)。
简体摘要：本发明之有机半导体，系含有下述式(A)所示之化合物。 (式中，环A1及A2表示相同或相异之具有至少1个碳-碳不饱和键之环；R1a及R1b表示相同或相异之氢原子或取代基；RA及RB表示相同或相异之氢原子、取代基或选自周期表第16族元素之原子；p1及p2表示相同或相异之0以上的整数；以所示之键表示单键或双键) 前述有机半导体，系具有高移动率(或载子移动率)。

7. 发明专利

TWI639000B 生物感測器有权
简体标题：生物传感器
公开(公告)号：TWI639000B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW103127222
申请日：2014-08-08
申请人：國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：坂田利弥 , SAKATA, TOSHIYA , 加治佐平 , KAJISA, TAIRA , 宮澤雄弥 , MIYAZAWA, YUYA , 上松祐太 , UEMATSU, YUTA
IPC分类号： G01N33/483 , G01N27/327

8. 发明专利

TW201831506A 放射線傷害之治療或預防劑與治療或預防方法审中-公开
简体标题：放射线伤害之治疗或预防剂与治疗或预防方法
公开(公告)号：TW201831506A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107102563
申请日：2018-01-24
申请人：日商協和醱酵麒麟有限公司 , KYOWA HAKKO KIRIN CO., LTD. , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：岡田和樹 , OKADA, KAZUKI , 森聖寿 , MORI, KIYOTOSHI , 植松智 , UEMATSU, SATOSHI , 武村直紀 , TAKEMURA, NAOKI
IPC分类号： C07K14/705 , C07K16/28 , A61N5/10 , A61B6/00 , A61K49/04 , C12N15/13 , A61K39/395 , A61P43/00
摘要：作為用以有效地治療或預防伴隨放射線曝射之放射線傷害之技術，本發明提供一種含有嗜酸性球去除劑作為有效成分的伴隨放射線曝射之放射線傷害之治療或預防劑等。根據本發明之包含嗜酸性球去除劑之治療或預防劑等，藉由抑制嗜酸性球向靶組織之移動、浸潤、及/或於該組織中之增殖，及/或阻礙該嗜酸性球之活性或功能，可抑制組織之炎症反應及纖維化等病況，而有效地治療或預防放射線傷害。又，可抑制放射線傷害而進行有效之放射線治療。
简体摘要：作为用以有效地治疗或预防伴随放射线曝射之放射线伤害之技术，本发明提供一种含有嗜酸性球去除剂作为有效成分的伴随放射线曝射之放射线伤害之治疗或预防剂等。根据本发明之包含嗜酸性球去除剂之治疗或预防剂等，借由抑制嗜酸性球向靶组织之移动、浸润、及/或于该组织中之增殖，及/或阻碍该嗜酸性球之活性或功能，可抑制组织之炎症反应及纤维化等病况，而有效地治疗或预防放射线伤害。又，可抑制放射线伤害而进行有效之放射线治疗。

9. 发明专利

TW201805311A 含金屬氧化纖維素奈米纖維分散液及其製造方法审中-公开
简体标题：含金属氧化纤维素奈米纤维分散液及其制造方法
公开(公告)号：TW201805311A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105124611
申请日：2016-08-03
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：曾根篤 , SONE, ATSUSHI , 磯貝明 , ISOGAI, AKIRA
IPC分类号： C08B15/02 , C08L1/04
摘要：本發明提供分散性優異，且能應用於各種的用途之含金屬氧化纖維素奈米纖維的分散液。本發明之含金屬氧化纖維素奈米纖維分散液包含分散介質與以鹽的形式含有鈉以外的金屬之含金屬氧化纖維素奈米纖維，含金屬氧化纖維素奈米纖維之數平均纖維直徑為100nm以下，由鈉以外的金屬所致金屬置換率為90莫耳%以上，分散液的透光率為80%以上。
简体摘要：本发明提供分散性优异，且能应用于各种的用途之含金属氧化纤维素奈米纤维的分散液。本发明之含金属氧化纤维素奈米纤维分散液包含分散介质与以盐的形式含有钠以外的金属之含金属氧化纤维素奈米纤维，含金属氧化纤维素奈米纤维之数平均纤维直径为100nm以下，由钠以外的金属所致金属置换率为90莫耳%以上，分散液的透光率为80%以上。

10. 发明专利

TW201740587A 有機半導體膜的製造裝置审中-公开
简体标题：有机半导体膜的制造设备
公开(公告)号：TW201740587A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106102532
申请日：2017-01-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：中村誠吾 , NAKAMURA, SEIGO , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 板井雄一郎 , ITAI, YUICHIRO , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
摘要：一種有機半導體膜的製造裝置，其使用有機半導體溶液而製造有機半導體膜。製造裝置包含：塗佈構件，與形成有機半導體膜的基板的表面對向而隔開配置，於其與基板之間形成有機半導體溶液的儲液；供給部，將有機半導體溶液供給至基板與塗佈構件之間；覆蓋部，至少覆蓋有機半導體溶液的晶體生長部。覆蓋部包含附著蒸發的有機半導體溶液的溶媒，將由蒸發的所述有機半導體溶液的溶媒而形成的附著物導至有機半導體膜的未成膜區域的導板。一面藉由供給部將有機半導體溶液供給至其與基板的表面之間，一面在使塗佈構件與有機半導體溶液相接的狀態下，使塗佈構件於與基板的表面平行的第1方向上移動，將晶體生長部作為起點形成有機半導體膜。
简体摘要：一种有机半导体膜的制造设备，其使用有机半导体溶液而制造有机半导体膜。制造设备包含：涂布构件，与形成有机半导体膜的基板的表面对向而隔开配置，于其与基板之间形成有机半导体溶液的储液；供给部，将有机半导体溶液供给至基板与涂布构件之间；覆盖部，至少覆盖有机半导体溶液的晶体生长部。覆盖部包含附着蒸发的有机半导体溶液的溶媒，将由蒸发的所述有机半导体溶液的溶媒而形成的附着物导至有机半导体膜的未成膜区域的导板。一面借由供给部将有机半导体溶液供给至其与基板的表面之间，一面在使涂布构件与有机半导体溶液相接的状态下，使涂布构件于与基板的表面平行的第1方向上移动，将晶体生长部作为起点形成有机半导体膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式