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    • 5. 发明专利
    • 管用斜螺紋加工螺旋絲攻
    • 管用斜螺纹加工螺旋丝攻
    • TW201720558A
    • 2017-06-16
    • TW105136142
    • 2016-11-07
    • OSG股份有限公司OSG CORPORATION
    • 中嶋孝之NAKAJIMA, TAKAYUKI
    • B23G5/06
    • B23G5/06
    • 提供一種抑制在母螺絲產生裂痕或螺絲攻停止旋轉時之切刃的痕跡的管用斜螺紋加工螺旋絲攻。 管用斜螺紋加工螺旋絲攻10具有螺旋溝20,螺旋溝20具有3條以上、5條以下且具有30°以上、小於50°之螺旋角β,在與前述旋轉軸線直交之截面中,以前述旋轉軸線為中心之前述溝所占之角度為AG,以前述旋轉軸線為中心之前述背緣(Land)所占之角度為AL時之溝寬比AG/(AG+AL)為0.3以上、0.5以下。藉此,藉由具有30°以上、小於50°之螺旋角β的螺旋溝20的存在,可得到一種可抑制裂痕之發生,並且切刃24與背刃26之間變短而可抑制在母螺絲產生螺絲攻停止旋轉時之切刃的痕跡的管用斜螺紋加工螺旋絲攻10。
    • 提供一种抑制在母螺丝产生裂痕或螺丝攻停止旋转时之切刃的痕迹的管用斜螺纹加工螺旋丝攻。 管用斜螺纹加工螺旋丝攻10具有螺旋沟20,螺旋沟20具有3条以上、5条以下且具有30°以上、小于50°之螺旋角β,在与前述旋转轴线直交之截面中,以前述旋转轴线为中心之前述沟所占之角度为AG,以前述旋转轴线为中心之前述背缘(Land)所占之角度为AL时之沟宽比AG/(AG+AL)为0.3以上、0.5以下。借此,借由具有30°以上、小于50°之螺旋角β的螺旋沟20的存在,可得到一种可抑制裂痕之发生,并且切刃24与背刃26之间变短而可抑制在母螺丝产生螺丝攻停止旋转时之切刃的痕迹的管用斜螺纹加工螺旋丝攻10。
    • 6. 发明专利
    • 硬質被膜及硬質被膜被覆構件
    • 硬质被膜及硬质被膜被覆构件
    • TW201716609A
    • 2017-05-16
    • TW105125614
    • 2016-08-11
    • OSG股份有限公司OSG CORPORATION
    • 櫻井正俊SAKURAI, MASATOSHI王媺WANG, MEI
    • C23C14/24C23C14/06C23C14/34C23C14/48C23C14/54
    • B23B27/14B23B51/00B23C5/16C23C14/06
    • 一種用以被覆在工具母材表面之硬質被膜,其係藉由物理蒸鍍法而構成A層與奈米薄膜交替層交替層積且形成0.5~20μm之總膜厚,其中該奈米薄膜交替層係由B層及C層以奈米等級厚度交替層積而成;A層係以組成式為Al1-W-XCrW(SiC)X]N且原子比W為0.20~0.80、原子比X為0.01~0.20表示之AlCr(SiC)氮化物,而且具有50~1000nm的厚度;B層係以組成式為[Ti1-YAlY]N且原子比Y為0.30~0.85表示之TiAl氮化物,而且具有1~100nm的厚度;C層係以組成式為[Ti1-Z(SiC)Z]N且原子比Z為0.05~0.45表示之Ti(SiC)氮化物,而且具有1~100nm的厚度;奈米薄膜交替層係具有50~1000nm的厚度。
    • 一种用以被覆在工具母材表面之硬质被膜,其系借由物理蒸镀法而构成A层与奈米薄膜交替层交替层积且形成0.5~20μm之总膜厚,其中该奈米薄膜交替层系由B层及C层以奈米等级厚度交替层积而成;A层系以组成式为Al1-W-XCrW(SiC)X]N且原子比W为0.20~0.80、原子比X为0.01~0.20表示之AlCr(SiC)氮化物,而且具有50~1000nm的厚度;B层系以组成式为[Ti1-YAlY]N且原子比Y为0.30~0.85表示之TiAl氮化物,而且具有1~100nm的厚度;C层系以组成式为[Ti1-Z(SiC)Z]N且原子比Z为0.05~0.45表示之Ti(SiC)氮化物,而且具有1~100nm的厚度;奈米薄膜交替层系具有50~1000nm的厚度。
    • 8. 外观设计
    • 鹼離子淨水器之卡匣式濾心
    • 碱离子净水器之卡匣式滤心
    • TWD125790S
    • 2008-11-01
    • TW096306030
    • 2007-11-05
    • OSG股份有限公司 OSG CORPORATION CO., LTD.
    • 湯川剛 YUKAWA, TAKESHI溝端雅敏 MIZOBATA, MASATOSHI
    • 【物品用途】
      可裝卸的裝設在鹼離子淨水器以去除含於水中之殘餘漂白劑、氯臭味、有機物、三鹵甲烷、溶解鉛、農藥、混濁及雜菌等而獲得淨化水所用之卡匣式濾心。
      該圓筒狀容器的下部設有去除混濁物等之中空絲膜,上部則收容有活性碳或離子交換材等過濾材,用以去除殘除漂白劑、溶解鉛及三鹵甲烷等物質。
      自來水(即原水)係由該圓筒狀容器之下端外環狀流入口進入,經中央部之水路進入中空絲膜的上部,再由中空絲膜的下部淨化原水,然後從下端中心之流出口流出以供取用。
      【創作特點】
      濾心係由一圓筒狀容器及填充在其中之濾材所構成,而該濾材則由活性碳及離子交換材組成。
      1.全體之外形;及
      2.形成於其下端面之卡合部之造形及形成於上端面之凹凸狀條紋。
    • 【物品用途】 可装卸的装设在碱离子净水器以去除含于水中之残余漂白剂、氯臭味、有机物、三卤甲烷、溶解铅、农药、混浊及杂菌等而获得净化水所用之卡匣式滤心。 该圆筒状容器的下部设有去除混浊物等之中空丝膜,上部则收容有活性碳或离子交换材等过滤材,用以去除残除漂白剂、溶解铅及三卤甲烷等物质。 自来水(即原水)系由该圆筒状容器之下端外环状流入口进入,经中央部之水路进入中空丝膜的上部,再由中空丝膜的下部净化原水,然后从下端中心之流出口流出以供取用。 【创作特点】 滤心系由一圆筒状容器及填充在其中之滤材所构成,而该滤材则由活性碳及离子交换材组成。 1.全体之外形;及 2.形成于其下端面之卡合部之造形及形成于上端面之凹凸状条纹。
    • 9. 发明专利
    • 硬質被膜及硬質被膜被覆構件
    • 硬质被膜及硬质被膜被覆构件
    • TW202014539A
    • 2020-04-16
    • TW108126770
    • 2019-07-29
    • 日商OSG股份有限公司OSG CORPORATION
    • 王媺WANG, MEI羽生博之HANYU, HIROYUKI
    • C23C14/06C23C14/48B82Y30/00B23B27/14B23B51/00B23C5/16
    • 本發明藉由使A層32與2種奈米薄膜交互層38、40分別以預定膜厚交互積層,可獲得優異之耐磨耗性、韌性、潤滑性、及耐熔接性;前述A層32係A組成(AlCrα之氮化物)、B組成(AlTiCrβ之氮化物)、及C組成(AlCr(SiC)γ之氮化物)中之1種單一組成層,前述2種奈米薄膜交互層38、40係將A組成、B組成、及C組成之奈米薄膜層(奈米薄膜A層32n、奈米薄膜B層34n、奈米薄膜C層36n)中之2者交互積層而成者。藉此,例如於對合金工具鋼、不鏽鋼、碳鋼、鑄鐵、合金鋼等各種被削材進行切削加工時,或於高速加工、乾式加工等嚴苛之加工條件下,可實現工具之長壽化。
    • 本发明借由使A层32与2种奈米薄膜交互层38、40分别以预定膜厚交互积层,可获得优异之耐磨耗性、韧性、润滑性、及耐熔接性;前述A层32系A组成(AlCrα之氮化物)、B组成(AlTiCrβ之氮化物)、及C组成(AlCr(SiC)γ之氮化物)中之1种单一组成层,前述2种奈米薄膜交互层38、40系将A组成、B组成、及C组成之奈米薄膜层(奈米薄膜A层32n、奈米薄膜B层34n、奈米薄膜C层36n)中之2者交互积层而成者。借此,例如于对合金工具钢、不锈钢、碳钢、铸铁、合金钢等各种被削材进行切削加工时,或于高速加工、干式加工等严苛之加工条件下,可实现工具之长寿化。
    • 10. 发明专利
    • 成形螺絲攻
    • 成形螺丝攻
    • TW201838748A
    • 2018-11-01
    • TW107107525
    • 2018-03-07
    • 日商OSG股份有限公司OSG CORPORATION
    • 原田一光HARADA, KAZUMITSU
    • B23G5/14B23G5/08
    • 本發明係關於一種使被加工材料之導孔塑性變形以形成內螺紋的成形螺絲攻。成形螺絲攻(1),係使被加工材料之導孔塑性變形以形成內螺紋的成形螺絲攻,且具有朝向徑向突出成螺紋狀的外螺紋部(3)。外螺紋部,係具有:至少一個突出部(5),其是具有配置於軸向之朝向徑向突出的複數個第一螺紋脊(51)、和形成於軸向上相鄰的第一螺紋脊之間的第一谷底(52);以及至少一個調整部(6),其是與至少一個突出部一起配置於外螺紋部之一導程內,從與一導程內之第一谷底對應的部分之軸心起算的距離,是比該第一谷底之谷徑更長,且比鄰接於該第一谷底的第一螺紋脊之脊徑更短。
    • 本发明系关于一种使被加工材料之导孔塑性变形以形成内螺纹的成形螺丝攻。成形螺丝攻(1),系使被加工材料之导孔塑性变形以形成内螺纹的成形螺丝攻,且具有朝向径向突出成螺纹状的外螺纹部(3)。外螺纹部,系具有:至少一个突出部(5),其是具有配置于轴向之朝向径向突出的复数个第一螺纹嵴(51)、和形成于轴向上相邻的第一螺纹嵴之间的第一谷底(52);以及至少一个调整部(6),其是与至少一个突出部一起配置于外螺纹部之一导程内,从与一导程内之第一谷底对应的部分之轴心起算的距离,是比该第一谷底之谷径更长,且比邻接于该第一谷底的第一螺纹嵴之嵴径更短。