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1. 发明专利

JP2014142161A Manufacturing apparatus and method of low temperature compression gas or liquid gas 有权
标题翻译：低温压缩气体或液体气体的制造装置及方法
公开(公告)号：JP2014142161A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：JP2013085114
申请日：2013-04-15
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： TOMITA SHINJI , HIROSE KENJI
IPC分类号： F25J1/00 , F25B27/00
CPC分类号： F25J3/04412 , F01K25/08 , F17C2221/033 , F17C2223/0161 , F17C2223/033 , F17C2225/0123 , F17C2225/035 , F17C2227/0316 , F17C2227/0323 , F17C2227/0393 , F17C2265/05 , F17C2270/0136 , F25J1/0012 , F25J1/0015 , F25J1/002 , F25J1/004 , F25J1/0045 , F25J1/0222 , F25J1/0224 , F25J1/0264 , F25J1/0281 , F25J1/0285 , F25J1/0292 , F25J2210/62
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a low temperature compression gas or a liquid gas which efficiently use cold of a liquefied natural gas (LNG) and reduce energy required for producing the low temperature compression gas and the liquid gas.SOLUTION: A manufacturing apparatus includes: a Rankine cycle including first compression means 1 which adiabatically compresses a heat medium, a first heat exchanger 2 which conducts constant pressure heating to the heat medium, expansion means 3 which adiabatically expands the heat medium, a second heat exchanger 4 which performs constant pressure cooling to the heat medium, and a passage which is led from the second heat exchanger 4 to the first compression means 1; and at least one second compression means 6 which is linked to the expansion means 3. A liquefied natural gas in a low temperature liquefied state is introduced into the second heat exchanger 4 to be led out after transmitting its cold to the heat medium. A transported raw material gas is introduced into the first heat exchanger 2 to be cooled by the heat medium. Then, the raw material gas is introduced to the second compression means 6 to be extracted as a low temperature compressed gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有效利用液化天然气（LNG）的冷却的低温压缩气体或液体气体的制造装置和制造方法，并且降低生产低温压缩气体和液体所需的能量气体。制造装置包括：兰金循环，包括绝热压缩热介质的第一压缩装置1，向热介质进行恒压加热的第一热交换器2，绝热膨胀热介质的膨胀装置3 对热介质进行恒压冷却的第二热交换器4以及从第二热交换器4引导到第一压缩机构1的通路; 以及与膨胀装置3连接的至少一个第二压缩装置6.将低温液化状态的液化天然气引入到第二热交换器4中，以将其冷却后传导到热介质。输送的原料气体被引入到第一热交换器2中，以被热介质冷却。然后，原料气体被引入到第二压缩装置6中，作为低温压缩气体提取。

2. 发明专利

JP2014116630A Manufacturing method and cleaning method of semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法和清洗方法
公开(公告)号：JP2014116630A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2014018193
申请日：2014-02-03
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： KAMEDA KENJI , SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make it easy to treat a cleaning gas and a nitrogen monoxide gas and improve performance of cleaning with high controllability when dry cleaning in a processing chamber is performed by addition of the nitrogen monoxide gas to the cleaning gas.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: a processing container for processing a substrate; a first cleaning gas supply system for preliminarily mixing a fluorine atom-containing gas and a nitrogen monoxide gas and supplying the mixed gas to the inside of the processing container; and a second cleaning gas system arranged separately from the first cleaning gas supply system, for supplying a fluorine atom-containing gas to the inside of the processing container.
摘要翻译：要解决的问题：为了在清洁气体中加入一氧化氮气体，在处理室中进行干洗时，易于处理清洁气体和一氧化氮气体，并且以高可控性提高清洗性能。解决方案：一种基板处理装置，包括：处理基板的处理容器; 用于预先混合含氟原子的气体和一氧化氮气体并将混合气体供给到处理容器的内部的第一清洁气体供给系统; 以及与第一清洁气体供给系统分离设置的用于向处理容器的内部供给含氟原子的气体的第二清洗气体系统。

3. 发明专利

JP2014059138A Oxygen heat exchanger 有权
标题翻译：氧气换热器
公开(公告)号：JP2014059138A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2013212892
申请日：2013-10-10
申请人： Agc Glass Europe , エージーシーグラスユーロップ , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： OLIVIER DOUXCHAMPS , ERIC BAUDELET , BERTRAND LEROUX , CONSTANTIN GABRIEL , TSIAVA REMI , BRUNO SYMOENS
IPC分类号： F23L15/00 , C03B5/235 , F23L7/00 , F28D7/16
CPC分类号： F23L15/04 , C03B5/2353 , F28D7/16 , F28F21/08 , Y02E20/344 , Y02P40/55
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat exchanger intended to heat oxygen or a gas rich in oxygen for the purpose of supplying the heated oxygen or the gas rich in oxygen to a burner of a glass melting furnace.SOLUTION: In a heat exchanger for supplying oxygen or a gas mixture containing at least 50% oxygen, a temperature of the oxygen or the gas mixture at an outlet of the heat exchanger is equal to or higher than 300°C, preferably higher than 400°C. The heated oxygen or the oxygen-rich gas is fed to one or more burners of a glass melting furnace. Heat of the combustion gases is used directly or indirectly to heat the oxygen or the oxygen-rich gas in the heat exchanger, in which output power of the heat exchanger is 20 to 300 kW, preferably 40 to 250 kW and especially preferably 80 to 170 kW.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于加热氧气或富氧气体的热交换器，用于将加热的氧气或富含氧气的气体供应到玻璃熔炉的燃烧器。解决方案：在用于供应氧气或含有至少50％氧气的气体混合物，在热交换器出口处的氧气或气体混合物的温度等于或高于300℃，优选高于400℃。将加热的氧气或富氧气体供给到玻璃熔炉的一个或多个燃烧器。燃烧气体的热量直接或间接地用于加热热交换器中的氧气或富氧气体，其中热交换器的输出功率为20至300kW，优选为40至250kW，特别优选为80至170 千瓦。

4. 发明专利

JP2014039045A Method for formation of dielectric film, novel precursor, and their use in semiconductor production 审中-公开
标题翻译：形成电介质膜，新型前驱体的方法及其在半导体生产中的应用
公开(公告)号：JP2014039045A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：JP2013186819
申请日：2013-09-09
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： BLASCO NICOLAS , DUSSARRAT CHRISTIAN , PINCHART AUDREY , LACHAUD CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02205 , C07F7/00 , C07F7/006 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45553 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31641 , H01L21/31645
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for depositing a film of metal-containing dielectric expressed by the formula (I):(ZrM)ON(where "a" and "b" satisfy 0≤a
摘要翻译：要解决的问题：提供一种沉积由式（I）表示的含金属介电膜（ZrM）ON（其中“a”和“b”满足0≤a<1且0

5. 发明专利

JP2014170786A Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing device, and program 审中-公开
标题翻译：清洁方法，制造半导体器件的方法，衬底处理器件和程序
公开(公告)号：JP2014170786A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013040613
申请日：2013-03-01
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： KAMEDA KENJI , SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a time required for removing deposit when deposit including a thin film adhered in a processing container is removed, and to reduce damages to a configuration member of a substrate processing device.SOLUTION: A cleaning method includes: a step of providing a processing container to be subjected to processing of forming a thin film on a substrate; and a step of supplying cleaning gas into the processing container after the processing to remove deposit including the thin film adhered in the processing container. At the step of removing deposit, by mixing and reacting fluorine-containing gas and nitrogen monoxide gas in a mixing part, mixture gas configured by adding fluoride nitrosyl to the fluorine-containing gas is generated as cleaning gas. After heat generating energy generated by the reaction is removed, the mixture gas is supplied from the mixing part into the processing container.
摘要翻译：要解决的问题：为了减少在包含附着在处理容器中的薄膜的沉积物被去除时去除沉积所需的时间，并且减少对基板处理装置的构造构件的损害。解决方案：一种清洁方法包括：步骤提供要在基板上形成薄膜的处理的处理容器; 以及在除去包括附着在处理容器中的薄膜的沉积物的处理之后，将清洁气体供应到处理容器中的步骤。在去除沉积物的步骤中，通过在混合部分中混合和反应含氟气体和一氧化氮气体，产生通过将氟化亚硝酰基添加到含氟气体中构成的混合气体作为清洁气体。在除去由反应产生的发热能量之后，将混合气体从混合部分供给到处理容器中。

6. 发明专利

JP2014152060A Manufacturing apparatus and manufacturing method of disilanes 审中-公开
标题翻译：制造设备和制造方法
公开(公告)号：JP2014152060A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2013021668
申请日：2013-02-06
申请人： L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： TOMITA SHINJI , HIROSE KENJI
IPC分类号： C01B33/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of silane compounds capable of realizing a high energy efficiency and of transporting the silane compounds continuously and stably by using means entailing no likelihood of contaminations by external impurities without using special transport means or transport members.SOLUTION: The provided apparatus includes: a reactor 1 into which lower-order silanes are introduced; a cooling unit 2 in which a reaction product is cooled; a purification column 3 in which the reaction product is separated/purified into lower-order silanes and higher-order silanes; a higher-order silane lead-out unit 4 into which the purified higher-order silanes are led out; a cold trap 5 in which the lower-order silanes led out of the purification column 3 are cooled and vapor/liquid-separated; a liquid head unit 6 in which a liquid head is formed by the separated liquid component; a circulatory flow channel 7 through which the liquid component is introduced into the reactor 1 by the liquid head; a control valve 8 configured on the circulatory flow channel 7; and a control unit 9 for controlling the control valve 8 by computing the braking magnitude thereof. The circulatory flow rate of the lower-order silanes transported via the circulatory flow channel 7 is adjusted by the control valve 8.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现高能量效率的硅烷化合物的制造装置和制造方法，并且通过使用不会由外部杂质污染的手段连续稳定地输送硅烷化合物而不使用特殊的输送装置或运输成员。解决方案：提供的装置包括：反应器1，其中引入低级硅烷; 冷却单元2，其中反应产物被冷却; 将反应产物分离/纯化成低级硅烷和高级硅烷的纯化塔3; 纯化的高级硅烷被引出的高级硅烷引出单元4; 将从净化塔3引出的低级硅烷冷却并蒸气/液体分离的冷阱5; 液体头单元6，其中液体头由分离的液体组分形成; 液体组分通过液体头引入反应器1的循环流动通道7; 构造在循环流路7上的控制阀8; 以及控制单元9，用于通过计算其制动量来控制控制阀8。通过循环流路7输送的低级硅烷的循环流量由控制阀8调节。

7. 发明专利

JP2014060228A Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing apparatus and program 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，用于处理衬底的方法，衬底处理装置和程序
公开(公告)号：JP2014060228A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：JP2012203679
申请日：2012-09-14
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： HIROSE YOSHIRO , MIZUNO KANEKAZU , YANAGIDA KAZUTAKA , HIGASHINO KEIKO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02255 , C23C16/24 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67011
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film, such as a silicon film, containing a predetermined element in a low temperature region.SOLUTION: A thin film formed with a predetermined element, is formed on a substrate by performing a cycle of steps a predetermined number of times, the cycle including: a step of supplying a first raw material including predetermined elements and halogen group to a substrate; and a step of supplying a second raw material including predetermined element and amino group, having two or less ligands which includes amino group in its composition formula and in which its number of is less than that of ligand including halogen group in a composition formula of the first raw material.
摘要翻译：要解决的问题：在低温区域中形成含有预定元素的硅膜等薄膜。解决方案：通过执行步骤a的循环在基板上形成具有预定元素的薄膜所述循环包括：向基板供给包含预定元素和卤素基团的第一原料的步骤; 以及提供包含预定元素和氨基的第二原料的步骤，其具有两个或更少的配体，其配体在其组成式中包括氨基，并且其数量小于组成式中的包含卤素基团的配体数第一原料。

8. 发明专利

JP2013140946A Manufacturing method for semiconductor device, substrate processing method, substrate processing device, and program 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法，衬底处理方法，衬底处理器件和程序
公开(公告)号：JP2013140946A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2012233852
申请日：2012-10-23
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気 , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
发明人： HIROSE YOSHIRO , SANO ATSUSHI , YANAGIDA KAZUTAKA , HIGASHINO KEIKO
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/36 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/36 , C23C16/45553 , H01L21/02167 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase carbon concentration in a carbonitride film by improving productivity when the carbonitride film is deposited.SOLUTION: A manufacturing method for a semiconductor device includes a step of forming a film containing a prescribed element, nitrogen, and carbon on a substrate by alternately performing the following steps a prescribed number of times: supplying a material gas containing the prescribed element and a halogen element to the substrate; and supplying a reaction gas which is composed of three elements of carbon, nitrogen, and hydrogen to the substrate and in which the number of carbon atoms is greater than the number of nitrogen atoms in a composition formula.
摘要翻译：要解决的问题：通过提高碳氮化物膜沉积时的生产率来提高碳氮化物膜中的碳浓度。解决方案：一种半导体器件的制造方法包括在一个或多个氮化硅膜上形成含有规定元素，氮和碳的膜的步骤通过交替执行以下步骤规定次数：将含有规定元素和卤素元素的原料气体供给到基板; 并将由碳，氮和氢的三种元素组成的反应气体供给到基体中，其中碳原子数大于组成式中的氮原子数。

9. 发明专利

JP2011233570A Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：JP2011233570A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：JP2010099984
申请日：2010-04-23
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude , レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , 株式会社日立国際電気
发明人： KAMEDA KENJI , SONOBE ATSUSHI , TADAKI YUDAI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4405 , H01L21/02271
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate handling for dry cleaning when cleaning gas is added with nitrogen monoxide gas to perform dry cleaning in a processing chamber, and enhance cleaning performance with high controllability.SOLUTION: A substrate processing apparatus has a processing container 201 for processing a substrate, a first cleaning gas supply system 232h for mixing gas containing fluorine atoms and nitrogen monoxide gas in advance and supplying the mixed gas into the processing container, and a second cleaning gas supply system 232e which is provided separately from the first cleaning gas supply system and supplies gas containing fluorine atoms into the processing container. The first cleaning gas and the second cleaning gas are mixed in the processing container 201 to perform dry cleaning.
摘要翻译：要解决的问题：为了便于处理清洁时，在清洁气体中加入一氧化氮气体以在处理室中进行干洗，并且以高可控性提高清洗性能。解决方案：基板处理装置具有用于处理基板的处理容器201，用于混合含有氟原子的气体和一氧化氮气体的第一清洗气体供给系统232h，并将混合气体供给到处理容器中，第二清洗气体供给系统232e，其与第一清洗气体供给系统分开设置，将含有氟原子的气体供给到处理容器内。第一清洗气体和第二清洗气体在处理容器201中混合，进行干洗。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2015007286A 安定した先駆物質供給のための泡供給システム有权
标题翻译：用于稳定前置电源的爆破供电系统
公开(公告)号：JP2015007286A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014148227
申请日：2014-07-18
申请人：レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード , L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
发明人： SAKATA YOICHI , YANAGIDA KAZUTAKA , NAKAGAWA TOSHIYUKI , NAKAMOTO NAOYUKI
IPC分类号： C23C16/448 , B05B1/20
CPC分类号： H01L21/02 , C23C16/4482 , C23C16/52 , Y10T137/0318
摘要：【課題】半導体プロセスにおける、材料堆積プロセスで使用する液体先駆物質を気化するための装置および方法の提供。【解決手段】第1の端部504および第2の端部503を有するガス導管508と、このガス導管の上記第2の端部に接続され、上記ガス導管の上記第2の端部へ流体を流通可能に接続された1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管502を有するノズル構造501と、上記ガス導管の周りで且つ上記ノズル構造から離間した関係で配置され、上記液体先駆物質内に浸せたプレート506と、を有し、上記1つあるいはそれ以上の孔の開いた導管および上記プレートは、両方とも、上記ガス導管の軸から放射状に延びている、液体先駆物質の蒸気を供給するための泡立てシステム500。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体工艺中蒸发用于材料沉积工艺的液体前体的装置和方法。解决方案：用于供应液体前体的蒸汽的鼓泡系统500具有：气体流动管道508 具有第一端504和第二端503; 连接到气体流动管道的第二端的喷嘴结构501，并且具有与气体流动管道的第二端流体连接的一个或多个穿孔导管502; 以及设置在气体流动管道周围并与喷嘴结构隔开的关系并且浸没在液体前体中的板506。一个或多个穿孔导管和板从气流导管的轴线径向延伸。

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