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1. 发明专利

TWI576946B 電漿ＣＶＤ裝置有权
简体标题：等离子ＣＶＤ设备
公开(公告)号：TWI576946B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW103134793
申请日：2014-10-06
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：米山典孝 , YONEYAMA, NORITAKA , 大澤篤史 , OSAWA, ATSUSHI , 阪本拓海 , SAKAMOTO, TAKUMI , 中島直人 , NAKASHIMA, NAOTO
IPC分类号： H01L21/677 , H05H1/46

2. 发明专利

TW201523778A 電漿ＣＶＤ裝置审中-公开
简体标题：等离子ＣＶＤ设备
公开(公告)号：TW201523778A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103134793
申请日：2014-10-06
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：米山典孝 , YONEYAMA, NORITAKA , 大澤篤史 , OSAWA, ATSUSHI , 阪本拓海 , SAKAMOTO, TAKUMI , 中島直人 , NAKASHIMA, NAOTO
IPC分类号： H01L21/677 , H05H1/46
摘要：本發明使電感耦合方式之電漿CVD裝置之產能提昇。本發明之電漿CVD裝置包括：腔室；保持搬送部，其於腔室內保持成為處理對象之基板並沿著搬送路徑相對地搬送；至少一個電感耦合型天線，其捲繞數未達一周，且與搬送路徑對向地設置於腔室內；高頻電力供給部，其對至少一個電感耦合型天線供給高頻電力；及氣體導入部，其對腔室內導入規定之氣體。而且，電漿CVD裝置於自氣體導入部對腔室內導入規定之氣體之狀態下，自高頻電力供給部對至少一個電感耦合型天線供給高頻電力而使電漿產生，並藉由保持搬送部沿著搬送路徑搬送基板。
简体摘要：本发明使电感耦合方式之等离子CVD设备之产能提升。本发明之等离子CVD设备包括：腔室；保持搬送部，其于腔室内保持成为处理对象之基板并沿着搬送路径相对地搬送；至少一个电感耦合型天线，其卷绕数未达一周，且与搬送路径对向地设置于腔室内；高频电力供给部，其对至少一个电感耦合型天线供给高频电力；及气体导入部，其对腔室内导入规定之气体。而且，等离子CVD设备于自气体导入部对腔室内导入规定之气体之状态下，自高频电力供给部对至少一个电感耦合型天线供给高频电力而使等离子产生，并借由保持搬送部沿着搬送路径搬送基板。

3. 发明专利

TW201448089A 吐出檢查裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：吐出检查设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201448089A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103109413
申请日：2014-03-14
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：古川至 , FURUKAWA, ITARU , 佐野洋 , SANO, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67023 , G06T7/0004 , G06T7/194 , G06T2207/10016 , G06T2207/30148 , H01L21/67051 , H01L21/67253
摘要：本發明之基板處理裝置之吐出檢查部係具備有光線射出部與攝像部。光線射出部係沿著預先被決定之光線存在面射出光線，對自吐出頭之複數個吐出口所吐出之處理液照射光線。攝像部係對通過來自光線射出部之面狀光之處理液進行拍攝，而取得包含有複數個亮點之檢查圖像。在吐出檢查部中，藉由判定框設定部在檢查圖像上加以設定與複數個吐出口產生對應之複數個正常吐出判定框。然後，藉由判定部，取得在各正常吐出判定框內之亮點之存否資訊，並根據該存否資訊而加以判定與各正常吐出判定框產生對應之於吐出口之吐出動作的良否。藉此，可個別且精準地判定在複數個吐出口之各者中之吐出動作的良否。
简体摘要：本发明之基板处理设备之吐出检查部系具备有光线射出部与摄像部。光线射出部系沿着预先被决定之光线存在面射出光线，对自吐出头之复数个吐出口所吐出之处理液照射光线。摄像部系对通过来自光线射出部之面状光之处理液进行拍摄，而取得包含有复数个亮点之检查图像。在吐出检查部中，借由判定框设置部在检查图像上加以设置与复数个吐出口产生对应之复数个正常吐出判定框。然后，借由判定部，取得在各正常吐出判定框内之亮点之存否信息，并根据该存否信息而加以判定与各正常吐出判定框产生对应之于吐出口之吐出动作的良否。借此，可个别且精准地判定在复数个吐出口之各者中之吐出动作的良否。

4. 发明专利

TW201446382A 石質平台、石質平台之加工方法、石質平台之製造方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：石质平台、石质平台之加工方法、石质平台之制造方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201446382A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103109885
申请日：2014-03-17
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：池田文彥 , IKEDA, FUMIHIKO
IPC分类号： B23K26/34 , B05C13/00
摘要：本發明提供一種能夠保持石質平台之平面度且防止產生鏡面化的石質平台、石質平台之加工方法、石質平台之製造方法及基板處理裝置。雷射加工機係將自雷射刻號機41所射出之雷射光，照射至石質平台，藉此對在石質平台上之基板的載置面進行加工而形成凸部者，其包括有框架51、被支持於該框架51上之雷射刻號機41、控制器42、及排氣管43。雷射刻號機41與控制器42係藉由纜線45而加以連接。又，排氣管43與控制器42係藉由連接管而加以連接。在被框架51所包圍之區域中，於雷射光對石質平台之照射區域，配設有保護罩蓋。
简体摘要：本发明提供一种能够保持石质平台之平面度且防止产生镜面化的石质平台、石质平台之加工方法、石质平台之制造方法及基板处理设备。激光加工机系将自激光刻号机41所射出之激光光，照射至石质平台，借此对在石质平台上之基板的载置面进行加工而形成凸部者，其包括有框架51、被支持于该框架51上之激光刻号机41、控制器42、及排气管43。激光刻号机41与控制器42系借由缆线45而加以连接。又，排气管43与控制器42系借由连接管而加以连接。在被框架51所包围之区域中，于激光光对石质平台之照射区域，配设有保护罩盖。

5. 发明专利

TWI462215B 基板處理裝置、轉換方法、及轉移方法有权
简体标题：基板处理设备、转换方法、及转移方法
公开(公告)号：TWI462215B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099130903
申请日：2010-09-13
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：高木善則 , TAKAGI, YOSHINORI , 十雅夫 , TSUJI, MASAO
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/06

6. 发明专利

TWI462213B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI462213B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW097125936
申请日：2008-07-09
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：光吉一郎 , MITSUYOSHI, ICHIRO
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/07 , B65G49/06 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67766 , H01L21/67772 , H01L21/67778

7. 发明专利

TW201444010A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201444010A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102145530
申请日：2013-12-11
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：宮城雅宏 , MIYAGI, MASAHIRO , 新居健一郎 , ARAI, KENICHIRO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6715 , H01L21/02057 , H01L21/6704 , H01L21/67051
摘要：在基板處理裝置10中，隨著液溫上昇而比電阻逐漸減小之去靜電液之溫度，係藉由溫度調整部61而被加以調整，而使去靜電液的比電阻形成大於被利用於在單片式處理裝置1中之處理之處理液(SPM液)的比電阻。去靜電液係貯存在去靜電液貯存部71。然後，將保持於卡匣73之複數個基板9浸漬於去靜電液貯存部71內之去靜電液中，使基板9之兩側之主表面以遍及全表面之方式與去靜電液產生接觸。藉此，基板9係以比較緩慢之方式被加以除去靜電。並且，於去靜電處理及藉由基板乾燥部75所進行之乾燥處理結束之後，於單片式處理裝置1中將SPM液供給至基板9之上表面91上，加以進行SPM處理。藉此，於SPM處理之時，可防止大量之電荷自基板9朝向SPM液以急遽之方式產生移動，進而可防止基板9之損傷。
简体摘要：在基板处理设备10中，随着液温上升而比电阻逐渐减小之去静电液之温度，系借由温度调整部61而被加以调整，而使去静电液的比电阻形成大于被利用于在单片式处理设备1中之处理之处理液(SPM液)的比电阻。去静电液系贮存在去静电液贮存部71。然后，将保持于卡匣73之复数个基板9浸渍于去静电液贮存部71内之去静电液中，使基板9之两侧之主表面以遍及全表面之方式与去静电液产生接触。借此，基板9系以比较缓慢之方式被加以除去静电。并且，于去静电处理及借由基板干燥部75所进行之干燥处理结束之后，於单片式处理设备1中将SPM液供给至基板9之上表面91上，加以进行SPM处理。借此，于SPM处理之时，可防止大量之电荷自基板9朝向SPM液以急遽之方式产生移动，进而可防止基板9之损伤。

8. 发明专利

TW201442104A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201442104A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103104698
申请日：2014-02-13
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：日野出大輝 , HINODE, TAIKI , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 藤原直樹 , FUJIWARA, NAOKI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/04 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109
摘要：本發明之基板處理裝置包含有：磷酸供給裝置，其對由旋轉夾頭所保持之基板之上表面供給磷酸水溶液；加熱器，其在磷酸水溶液被保持於基板上之狀態下，朝向基板之上表面之一部分而加以散發熱；加熱器移動裝置，其藉由使加熱器產生移動，而使藉由加熱器所加熱之加熱位置在基板之上表面內進行移動；水噴嘴，其於磷酸水溶液保持於基板上之狀態下，朝向基板之上表面之一部分而吐出水；及水噴嘴移動裝置，其藉由使水噴嘴產生移動，而使水之著液位置在基板之上表面內進行移動。
简体摘要：本发明之基板处理设备包含有：磷酸供给设备，其对由旋转夹头所保持之基板之上表面供给磷酸水溶液；加热器，其在磷酸水溶液被保持于基板上之状态下，朝向基板之上表面之一部分而加以散发热；加热器移动设备，其借由使加热器产生移动，而使借由加热器所加热之加热位置在基板之上表面内进行移动；水喷嘴，其于磷酸水溶液保持于基板上之状态下，朝向基板之上表面之一部分而吐出水；及水喷嘴移动设备，其借由使水喷嘴产生移动，而使水之着液位置在基板之上表面内进行移动。

9. 发明专利

TW201438075A 處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱审中-公开
简体标题：处理设备和其排气切换设备及排气切换单元和切换阀箱
公开(公告)号：TW201438075A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102142449
申请日：2013-11-21
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD. , 開滋SCT股份有限公司 , KITZ SCT CORPORATION
发明人：森岡利仁 , MORIOKA, TOSHIHITO , 樋口英明 , HIGUCHI, HIDEAKI , 岩渕俊昭 , IWABUCHI, TOSHIAKI , 小嶋努 , KOJIMA, TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/302
CPC分类号： B08B3/04 , G03F7/30 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/67155 , H01L21/6719 , Y10T137/877
摘要：本發明之目的在於用一個切換閥來開閉1系統之排氣管線，可以取得排氣量與大氣側釋放閥之導入量的平衡，縮小切換閥動作時之壓力變動，並且在使用複數種的處理流體進行2切換或3切換的情況時，係將複數個個別排氣管予以並排配置，且僅開放使用於洗淨處理中的1系統，其他則可以用閉合之操作來縮小處理室內的壓力變動，進而也能謀求零件之共通化。用複數種的處理流體來處理處理室(2)內之被處理體的處理裝置(1)，係在與前述處理室(2)內連接的排氣管(4)設置排氣切換單元(3)，該排氣切換單元(3)，係由分配箱(8)和切換閥箱(9)和排氣筒(12)所構成，且將與前述處理流體對應的個數之切換閥箱(9)以並排狀態連接於前述分配箱(8)所構成。
简体摘要：本发明之目的在于用一个切换阀来开闭1系统之排气管线，可以取得排气量与大气侧释放阀之导入量的平衡，缩小切换阀动作时之压力变动，并且在使用复数种的处理流体进行2切换或3切换的情况时，系将复数个个别排气管予以并排配置，且仅开放使用于洗净处理中的1系统，其他则可以用闭合之操作来缩小处理室内的压力变动，进而也能谋求零件之共通化。用复数种的处理流体来处理处理室(2)内之被处理体的处理设备(1)，系在与前述处理室(2)内连接的排气管(4)设置排气切换单元(3)，该排气切换单元(3)，系由分配箱(8)和切换阀箱(9)和排气筒(12)所构成，且将与前述处理流体对应的个数之切换阀箱(9)以并排状态连接于前述分配箱(8)所构成。

10. 发明专利

TW201437407A 氧化鋁之成膜方法及濺鍍裝置审中-公开
简体标题：氧化铝之成膜方法及溅镀设备
公开(公告)号：TW201437407A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102145671
申请日：2013-12-11
申请人：大日本網屏製造股份有限公司 , DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.
发明人：尾崎一人 , OZAKI, KAZUTO
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係藉由濺鍍而使氧化度穩定地、且以較快之成膜速度成膜氧化鋁。本發明之氧化鋁之成膜方法包括以下步驟：第1電漿產生步驟，其係於導入有濺鍍氣體及反應性氣體之真空容器內產生電漿；第2電漿產生步驟，其係對鋁靶施加濺鍍電壓，藉由靜磁場而產生磁控電漿；及控制步驟，其控制導入至真空容器內之反應性氣體之導入量。而且，於第2電漿產生步驟中，將濺鍍電壓進行定電壓控制；於控制步驟中，以濺鍍電流值達到目標電流值之方式，控制第2電漿產生步驟中反應性氣體之導入量；第1電漿產生步驟係使用包含卷數未達一圈之導體之高頻天線，至少於第2電漿產生步驟中產生高頻電感耦合電漿之步驟。
简体摘要：本发明系借由溅镀而使氧化度稳定地、且以较快之成膜速度成膜氧化铝。本发明之氧化铝之成膜方法包括以下步骤：第1等离子产生步骤，其系于导入有溅镀气体及反应性气体之真空容器内产生等离子；第2等离子产生步骤，其系对铝靶施加溅镀电压，借由静磁场而产生磁控等离子；及控制步骤，其控制导入至真空容器内之反应性气体之导入量。而且，于第2等离子产生步骤中，将溅镀电压进行定电压控制；于控制步骤中，以溅镀电流值达到目标电流值之方式，控制第2等离子产生步骤中反应性气体之导入量；第1等离子产生步骤系使用包含卷数未达一圈之导体之高频天线，至少于第2等离子产生步骤中产生高频电感耦合等离子之步骤。

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