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1. 发明专利

TW202018253A 曝光光角量測設備审中-公开
简体标题：曝光光角量测设备
公开(公告)号：TW202018253A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107139872
申请日：2018-11-09
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：張永裕 , CHANG, YUNG YU , 陳明宗 , CHEN, MING TSUNG
IPC分类号： G01B11/26
摘要：本發明公開一種曝光光角量測，包含光學頭與位於光學頭一側的偵測模組。光學頭包含不透光薄膜及設置於不透光薄膜的透光基層，並且不透光薄膜形成有由貫穿狀的多個次波長環孔。光學頭能供一基準入射光穿過透光基層及多個次波長環孔，以通過貝索聚焦方式於偵測模組上形成有多個基準聚焦點。當一曝光設備所發出的一入射光穿過光學頭，以通過貝索聚焦方式於偵測模組上形成有多個聚焦點時，偵測模組能夠依據多個聚焦點分別相對於多個基準聚焦點之間的位移距離，量測出入射光相對於基準入射光的一光角。
简体摘要：本发明公开一种曝光光角量测，包含光学头与位于光学头一侧的侦测模块。光学头包含不透光薄膜及设置于不透光薄膜的透光基层，并且不透光薄膜形成有由贯穿状的多个次波长环孔。光学头能供一基准入射光穿过透光基层及多个次波长环孔，以通过贝索聚焦方式于侦测模块上形成有多个基准聚焦点。当一曝光设备所发出的一入射光穿过光学头，以通过贝索聚焦方式于侦测模块上形成有多个聚焦点时，侦测模块能够依据多个聚焦点分别相对于多个基准聚焦点之间的位移距离，量测出入射光相对于基准入射光的一光角。

2. 发明专利

TWI621384B 剝膜機及其輾壓裝置有权
简体标题：剥膜机及其辗压设备
公开(公告)号：TWI621384B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103128422
申请日：2014-08-19
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：林英菘 , LIN, YING SUNG , 賴金森 , LAI, CHIN SEN
IPC分类号： H05K3/02 , B32B38/10

3. 实用新型

TWM525845U 壓合裝置及具有該壓合裝置的壓合設備有权
简体标题：压合设备及具有该压合设备的压合设备
公开(公告)号：TWM525845U
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW105205108
申请日：2016-04-13
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：劉信忠 , 陳俊傑 , 曾文進
IPC分类号： B30B7/02

4. 发明专利

TWI460075B 壓合機有权
简体标题：压合机
公开(公告)号：TWI460075B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099138816
申请日：2010-11-11
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：賴金森 , LAI, VINCENT
IPC分类号： B32B37/06 , H01L21/02 , H01L21/30

5. 发明专利

TWI438313B 用於監控晶體生長狀態的方法及探測系統與可以監控晶體生長狀態的設備有权
简体标题：用于监控晶体生长状态的方法及探测系统与可以监控晶体生长状态的设备
公开(公告)号：TWI438313B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW100146828
申请日：2011-12-16
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：謝佳穎 , HSIEH, CHIA YING , 張祁豪 , CHANG, CHI HAO , 扈醒華 , HU, HSIN HWA
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , G01F23/226 , Y10T117/1008

6. 实用新型

TWM477116U 偏心定位機構有权
简体标题：偏心定位机构
公开(公告)号：TWM477116U
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW102224939
申请日：2013-12-31
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：林易民 , 何禮淳
IPC分类号： H05K3/00

7. 发明专利

TWI415219B 用於３-Ｄ晶圓／晶片堆疊之穿孔連線的形成方法有权
简体标题：用于３-Ｄ晶圆／芯片堆栈之穿孔连接的形成方法
公开(公告)号：TWI415219B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098141072
申请日：2009-12-01
申请人：簡君山 , MCREYNOLDS, DARRELL , 志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：簡君山 , MCREYNOLDS, DARRELL
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205

8. 实用新型

TWM464659U 多點氣氛感測系統有权
简体标题：多点气氛传感系统
公开(公告)号：TWM464659U
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102212227
申请日：2013-06-28
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：李彬海 , 姚鋒翔
IPC分类号： G01N35/00

9. 发明专利

TW201326478A 用於監控晶體生長狀態的方法及探測系統與可以監控晶體生長狀態的設備审中-公开
简体标题：用于监控晶体生长状态的方法及探测系统与可以监控晶体生长状态的设备
公开(公告)号：TW201326478A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100146828
申请日：2011-12-16
申请人：志聖工業股份有限公司 , C SUN MFG. LTD.
发明人：謝佳穎 , HSIEH, CHIA YING , 張祁豪 , CHANG, CHI HAO , 扈醒華 , HU, HSIN HWA
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , G01F23/226 , Y10T117/1008
摘要：一種用於監控晶體生長狀態的方法，係在晶體生長過程中即時測量固-液界面的多個量測點的高度以計算出固-液界面的形狀，並依據所得資訊優化製程參數，使固-液界面在晶體生長過程保持中央凸起的形狀並具有預定的曲率，可以提高長晶品質及排雜能力從而提高晶碇的成品良率。
简体摘要：一种用于监控晶体生长状态的方法，系在晶体生长过程中实时测量固-液界面的多个量测点的高度以计算出固-液界面的形状，并依据所得信息优化制程参数，使固-液界面在晶体生长过程保持中央凸起的形状并具有预定的曲率，可以提高长晶品质及排杂能力从而提高晶碇的成品良率。

10. 实用新型

TWM342475U 可調式反射罩裝置失效
简体标题：可调式反射罩设备
公开(公告)号：TWM342475U
公开(公告)日：2008-10-11
申请号：TW097208467
申请日：2008-05-15
申请人：志聖工業股份有限公司 C SUN MFG. LTD.
发明人：張茂和
IPC分类号： F21V , G03F
摘要：一種可調式反射罩裝置用於將一光源發出的光線均勻
反射,且包含一反射罩、複數反光元件及複數定位單元。
反射罩具有一圍繞壁,及位於圍繞壁兩相反端緣的一第一
開口及一第二開口,該光源鄰近第一開口,而反光元件位
於反射罩的圍繞壁內。每一定位單元與反射罩及其中一反
光元件連接,反光元件可藉該定位單元相對靠近及遠離反
射罩而調整與反射罩的夾角。
简体摘要：一种可调式反射罩设备用于将一光源发出的光线均匀反射,且包含一反射罩、复数反光组件及复数定位单元。反射罩具有一围绕壁,及位于围绕壁两相反端缘的一第一开口及一第二开口,该光源邻近第一开口,而反光组件位于反射罩的围绕壁内。每一定位单元与反射罩及其中一反光组件连接,反光组件可藉该定位单元相对靠近及远离反射罩而调整与反射罩的夹角。

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