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1. 发明专利

TW200914596A 研磨用組合物审中-公开
简体标题：研磨用组合物
公开(公告)号：TW200914596A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097137523
申请日：2008-09-30
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：松下隆幸 MATSUSHITA, TAKAYUKI , 寺本匡志 TERAMOTO, MASASHI , 能條治輝 NOJO, HARUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C09K13/02 , H01L21/02024
摘要：本發明之目的在於提供一種不會起泡沫且可提高研磨特性之研磨用組合物。本發明之研磨用組合物之特徵在於含有pH調整劑、水溶性高分子化合物以及如下化合物,該化合物係包含以下述式(1)所表示之具有2個氮之烷二胺結構,且於該烷二胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚者:【【化8】】>N-R-N
简体摘要：本发明之目的在于提供一种不会起泡沫且可提高研磨特性之研磨用组合物。本发明之研磨用组合物之特征在于含有pH调整剂、水溶性高分子化合物以及如下化合物,该化合物系包含以下述式(1)所表示之具有2个氮之烷二胺结构,且于该烷二胺结构之2个氮上键结有至少1个嵌段型聚醚者:【【化8】】>N-R-N<…(1)(式中,R表示以CnH2n所表示之伸烷基;n为1以上之整数);该嵌段型聚醚键结有氧乙烯基EO与氧丙烯基PO。

2. 发明专利

TW200609336A 研磨組成物及基板之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨组成物及基板之研磨方法
公开(公告)号：TW200609336A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094115208
申请日：2005-05-11
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED , 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：加藤宏樹 , 中野裕之 , 白井勝之 , 寺本匡志 , 松本直樹 MATSUMOTO, NAOKI , 竹本菊郎 , 三浦祥紀
IPC分类号： C09K , B24B , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/30625
摘要：本發明之課題在於提供一種研磨組成物以及使用此研磨組成物之基板之研磨方法，可簡易地進行針對氮化鎵系化合物半導體基板般具有結晶缺陷集中部位之基板的拋光作業，且可抑制該結晶缺陷集中部位之影響而進行良好的研磨。本發明之解決手段係一種研磨組成物，其特徵在於：使得軟質研磨粒與硬質研磨粒以分散介質的形式分散於水中，且pH值調整在1.5～5.0之範圍。又，使用此研磨組成物來進行半導體基板之研磨。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种研磨组成物以及使用此研磨组成物之基板之研磨方法，可简易地进行针对氮化镓系化合物半导体基板般具有结晶缺陷集中部位之基板的抛光作业，且可抑制该结晶缺陷集中部位之影响而进行良好的研磨。本发明之解决手段系一种研磨组成物，其特征在于：使得软质研磨粒与硬质研磨粒以分散介质的形式分散于水中，且pH值调整在1.5～5.0之范围。又，使用此研磨组成物来进行半导体基板之研磨。

3. 发明专利

TW200639242A 研磨用漿料审中-公开
简体标题：研磨用浆料
公开(公告)号：TW200639242A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095100562
申请日：2006-01-05
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 森岡善隆 MORIOKA, YOSHITAKA , 田中利香 TANAKA, RIKA , 新田浩士 NITTA, HIROSHI
IPC分类号： C09K , B24B , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的在於提供一種研磨用漿料，其可降低作為被研磨物之半導體晶圓之凹陷或磨蝕。該研磨用漿料含有氧化劑，且含有氣相二氧化矽以及膠體二氧化矽作為兩種以上之研磨砥粒，根據氣相二氧化矽與膠體二氧化矽之混合比，可調整鎢等金屬膜之研磨率與SiO2等絕緣膜(氧化膜)之研磨率的比(選擇比)，且可降低凹陷或磨蝕。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种研磨用浆料，其可降低作为被研磨物之半导体晶圆之凹陷或磨蚀。该研磨用浆料含有氧化剂，且含有气相二氧化硅以及胶体二氧化硅作为两种以上之研磨砥粒，根据气相二氧化硅与胶体二氧化硅之混合比，可调整钨等金属膜之研磨率与SiO2等绝缘膜(氧化膜)之研磨率的比(选择比)，且可降低凹陷或磨蚀。

4. 发明专利

TW200615369A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200615369A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094109848
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要：本發明之目的在於即使含有塵霧狀二氧化矽作為研磨劑，亦不會影響塵霧狀二氧化矽之優點即較高之研磨速度，而顯著減少半導體元件表面之研磨損傷的產生。於貼附於研磨台1之墊2上載置半導體晶圓3，向半導體晶圓3按壓加壓頭4，且將研磨用組合物5供給至墊2表面，旋轉並且墊2與加壓頭4研磨半導體晶圓3時，作為研磨用組合物5，係使用以下半導體研磨用組合物，其係塵霧狀二氧化矽之水分散液，粒徑0.5.μm以上之塵霧狀二氧化矽粒子之粒子數為60萬個／ml以下，且粒徑1.μm以上之塵霧狀二氧化矽粒子之粒子數為4000個／ml以下。
简体摘要：本发明之目的在于即使含有尘雾状二氧化硅作为研磨剂，亦不会影响尘雾状二氧化硅之优点即较高之研磨速度，而显着减少半导体组件表面之研磨损伤的产生。于贴附于研磨台1之垫2上载置半导体晶圆3，向半导体晶圆3按压加压头4，且将研磨用组合物5供给至垫2表面，旋转并且垫2与加压头4研磨半导体晶圆3时，作为研磨用组合物5，系使用以下半导体研磨用组合物，其系尘雾状二氧化硅之水分散液，粒径0.5.μm以上之尘雾状二氧化硅粒子之粒子数为60万个／ml以下，且粒径1.μm以上之尘雾状二氧化硅粒子之粒子数为4000个／ml以下。

5. 发明专利

TW200604328A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200604328A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094109795
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02
摘要：本發明之目的在於即使含有煙燻二氧化矽作為研磨劑，亦不會影響煙燻二氧化矽之優點即較高之研磨速度，而顯著減少半導體元件表面之研磨損傷的產生。於貼附於研磨台1之墊2上載置晶圓3，藉由加壓頭4向晶圓3施加荷重，於旋轉墊2與加壓頭4而研磨晶圓3時，作為供給至墊2上之研磨用組合物5，使用一種研磨用組合物，其係煙燻二氧化矽之水分散液，且振盪10天後之平均粒子徑增加率為10％以下。藉此，幾乎不會產生因外部負荷以及／或長期保存造成之煙燻二氧化矽之凝集，故而研磨後之半導體元件表面之研磨損傷之數量顯著減少，從而可製造良率較好地製造電性連接可靠性優良的高品質半導體元件。
简体摘要：本发明之目的在于即使含有烟熏二氧化硅作为研磨剂，亦不会影响烟熏二氧化硅之优点即较高之研磨速度，而显着减少半导体组件表面之研磨损伤的产生。于贴附于研磨台1之垫2上载置晶圆3，借由加压头4向晶圆3施加荷重，于旋转垫2与加压头4而研磨晶圆3时，作为供给至垫2上之研磨用组合物5，使用一种研磨用组合物，其系烟熏二氧化硅之水分散液，且振荡10天后之平均粒子径增加率为10％以下。借此，几乎不会产生因外部负荷以及／或长期保存造成之烟熏二氧化硅之凝集，故而研磨后之半导体组件表面之研磨损伤之数量显着减少，从而可制造良率较好地制造电性连接可靠性优良的高品质半导体组件。

6. 发明专利

TW200916567A 研磨組合物审中-公开
简体标题：研磨组合物
公开(公告)号：TW200916567A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097132455
申请日：2008-08-25
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：新田浩士 NITTA, HIROSHI , 松村義之 MATSUMURA, YOSHIYUKI
IPC分类号： C09K , C09G
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02
摘要：本發明之目的在於提供一種研磨組合物,其可抑制凹槽以及凹陷之產生,且研磨速度更高。本發明之研磨組合物係適於金屬膜、尤其是銅(Cu)膜者,其包含氨、過氧化氫、胺基酸以及陰離子系界面活性劑,且剩餘成分為水。藉由含有該等成分,而尤其於第2階段研磨中使用時,可抑制凹槽以及凹陷之產生。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种研磨组合物,其可抑制凹槽以及凹陷之产生,且研磨速度更高。本发明之研磨组合物系适于金属膜、尤其是铜(Cu)膜者,其包含氨、过氧化氢、氨基酸以及阴离子系界面活性剂,且剩余成分为水。借由含有该等成分,而尤其于第2阶段研磨中使用时,可抑制凹槽以及凹陷之产生。

7. 发明专利

TW200846454A 研磨組合物审中-公开
简体标题：研磨组合物
公开(公告)号：TW200846454A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097107219
申请日：2008-02-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：松村義之 MATSUMURA, YOSHIYUKI , 新田浩士 NITTA, HIROSHI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K3/1463
摘要：本發明之研磨組合物可藉由含有氫氧化銨、銨鹽及有機酸而獲得可進行較先前更高速研磨的研磨組合物。進而可藉由含有氧化劑而獲得可進行更高速研磨的研磨組合物,並且可藉由含有防蝕劑而抑制碟形凹坑。於本發明之研磨組合物中,有機酸較好的是胺基酸,氧化劑較好的是過氧化氫,防蝕劑較好的是四唑衍生物。藉此,可進一步抑制碟形凹坑,獲得可進行高速研磨之研磨組合物。
简体摘要：本发明之研磨组合物可借由含有氢氧化铵、铵盐及有机酸而获得可进行较先前更高速研磨的研磨组合物。进而可借由含有氧化剂而获得可进行更高速研磨的研磨组合物,并且可借由含有防蚀剂而抑制碟形凹坑。于本发明之研磨组合物中,有机酸较好的是氨基酸,氧化剂较好的是过氧化氢,防蚀剂较好的是四唑衍生物。借此,可进一步抑制碟形凹坑,获得可进行高速研磨之研磨组合物。

8. 发明专利

TW200817132A 研磨墊审中-公开
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TW200817132A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096133194
申请日：2007-09-06
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：朴栽弘 PARK, JAEHONG , 松村進一 MATSUMURA, SHINICHI , 吉田光一 YOSHIDA, KOUICHI , 繁田好胤 SHIGETA, YOSHITANE , 木下正治 KINOSHITA, MASAHARU
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/20
摘要：本發明提供一種可提高被研磨物的平坦度以提升其品質的研磨墊。係在研磨墊1的研磨面1a施以拋光加工等機械加工,改善平坦性,該研磨面的起伏為週期5㎜-200㎜,最大振幅在40��m以下,藉此提升使用該研磨墊1研磨的矽晶圓等被研磨物的平坦度。
简体摘要：本发明提供一种可提高被研磨物的平坦度以提升其品质的研磨垫。系在研磨垫1的研磨面1a施以抛光加工等机械加工,改善平坦性,该研磨面的起伏为周期5㎜-200㎜,最大振幅在40��m以下,借此提升使用该研磨垫1研磨的硅晶圆等被研磨物的平坦度。

9. 发明专利

TW200916565A 研磨組合物审中-公开
简体标题：研磨组合物
公开(公告)号：TW200916565A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097128210
申请日：2008-07-24
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：松村義之 MATSUMURA, YOSHIYUKI , 新田浩士 NITTA, HIROSHI
IPC分类号： C09K , C09G
CPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的係在提供一種可達成高速之研磨速度,且可提高平坦性之研磨組合物。本發明之研磨組合物,係一種適於金屬膜,特別是適於銅膜之研磨組合物,含有含銨基鹼性化合物、具有碳數為9~18之烷基的烷基苯磺酸鹽及過氧化氫,其餘為水。作為鹼性化合物可使用氫氧化銨,作為烷基苯磺酸鹽可使用十二烷基苯磺酸鹽。
简体摘要：本发明之目的系在提供一种可达成高速之研磨速度,且可提高平坦性之研磨组合物。本发明之研磨组合物,系一种适于金属膜,特别是适于铜膜之研磨组合物,含有含铵基碱性化合物、具有碳数为9~18之烷基的烷基苯磺酸盐及过氧化氢,其余为水。作为碱性化合物可使用氢氧化铵,作为烷基苯磺酸盐可使用十二烷基苯磺酸盐。

10. 发明专利

TW200613532A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200613532A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094109847
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的在於提供一種半導體研磨用組合物，其可防止塵霧狀二氧化矽之凝集，且可對半導體元件不產生研磨損傷之方式有效且高精度地研磨半導體元件。將分散前粉體之粉末密度為50 g／L以上且未滿100 g／L之塵霧狀二氧化矽作為研磨粒而使用。若粉末密度為75 g／L以上85 g／L以下則更好。藉此，可使塵霧狀二氧化矽之分散狀態良好，且亦可實現輸送成本之降低。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种半导体研磨用组合物，其可防止尘雾状二氧化硅之凝集，且可对半导体组件不产生研磨损伤之方式有效且高精度地研磨半导体组件。将分散前粉体之粉末密度为50 g／L以上且未满100 g／L之尘雾状二氧化硅作为研磨粒而使用。若粉末密度为75 g／L以上85 g／L以下则更好。借此，可使尘雾状二氧化硅之分散状态良好，且亦可实现输送成本之降低。

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