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1. 发明专利

TWI424073B 熱轉換金屬前驅物層至半導體層及／或太陽能模組之方法及裝置有权
简体标题：热转换金属前驱物层至半导体层及／或太阳能模块之方法及设备
公开(公告)号：TWI424073B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW097134931
申请日：2008-09-11
申请人：中心熱光電股份公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：迪特爾施密德 , DIETER SCHMID , 藍哈爾德倫茨 , REINHARD LENZ , 羅伯特麥克哈爾頓 , ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/22 , H01L31/0224
CPC分类号： C23C14/228 , C03C17/22 , C23C14/0623 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , C23C14/5806

2. 发明专利

TW201229448A 連續式反應爐 CONTINUOUS OVEN 审中-公开
简体标题：连续式反应炉 CONTINUOUS OVEN
公开(公告)号：TW201229448A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100128661
申请日：2011-08-11
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：烏基傑兒安德列亞斯 , 科茨考伊莫 , 里查安德列亞斯
IPC分类号： F27B , C23C
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C14/0623 , F27B9/20 , F27B9/2407 , F27B9/3005 , H01L31/0322 , H01L31/206 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：本發明為一種連續式反應爐，其使設置於基板(3)之金屬前驅物在氣流內熱轉換，特別使前驅物層轉換為CIGSS層，並利用連續式隧道，其包括複數個連續區段(5,6,7,8,9)，其中一中間區段(6,7)之隧道截面係比相鄰於中間區段之區段(5,8,9)更小。
简体摘要：本发明为一种连续式反应炉，其使设置于基板(3)之金属前驱物在气流内热转换，特别使前驱物层转换为CIGSS层，并利用连续式隧道，其包括复数个连续区段(5,6,7,8,9)，其中一中间区段(6,7)之隧道截面系比相邻于中间区段之区段(5,8,9)更小。

3. 发明专利

TW201038769A 具氧化物之半導體層溫度轉變金屬前驅物用裝置及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECURSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENRUECKGEWINNUNG 审中-公开
简体标题：具氧化物之半导体层温度转变金属前驱物用设备及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECURSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENRUECKGEWINNUNG
公开(公告)号：TW201038769A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099103930
申请日：2010-02-09
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：科茨考伊莫 , 施密德迪特爾 , 哈同羅伯特麥可
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C14/5866 , H01L21/02614 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要：本發明係有關一種利用氧族元素回收將平坦基板上的金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及一種進行該方法之裝置。本發明之目的在於,提供一種將平坦基板上的金屬先驅物薄膜熱簡單及快速轉變成半導體薄膜之方法及一種以最低氧族元素用量進行該方法之裝置。本發明使一基板在一爐中之大氣壓力環境下,被加熱至400℃至600℃之終溫度,並在一載氣與氧族元素蒸氣之混合物中被轉變成半導體薄膜,未被使用於反應之氧族元素蒸氣被回收到製程中。
简体摘要：本发明系有关一种利用氧族元素回收将平坦基板上的金属先驱物薄膜热转变成半导体薄膜之方法及一种进行该方法之设备。本发明之目的在于,提供一种将平坦基板上的金属先驱物薄膜热简单及快速转变成半导体薄膜之方法及一种以最低氧族元素用量进行该方法之设备。本发明使一基板在一炉中之大气压力环境下,被加热至400℃至600℃之终温度,并在一载气与氧族元素蒸气之混合物中被转变成半导体薄膜,未被使用于反应之氧族元素蒸气被回收到制程中。

4. 发明专利

TWI555864B 提供硫屬元素之方法及裝置有权
简体标题：提供硫属元素之方法及设备
公开(公告)号：TWI555864B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW097134932
申请日：2008-09-11
申请人：中心熱光電股份公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：迪特爾施密德 , DIETER SCHMID , 藍哈爾德倫茨 , REINHARD LENZ , 羅伯特麥克哈爾頓 , ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/06 , C03C17/22
CPC分类号： C23C14/228 , C03C17/22 , C23C14/0623 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , C23C14/5806

5. 发明专利

TWI509107B 利用氧族元素源將金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及裝置有权
简体标题：利用氧族元素源将金属先驱物薄膜热转变成半导体薄膜之方法及设备
公开(公告)号：TWI509107B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW099106408
申请日：2010-03-05
申请人：中心熱光電股份公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：科茨考伊莫 , KOETSCHAU, IMMO , 倫茲萊因哈德 , LENZ, REINHARD , 施密德迪特爾 , SCHMID, DIETER , 哈同羅伯特麥可 , HARTUNG, ROBERT MICHAEL
IPC分类号： C23C8/06 , H01L21/36 , H01L31/18
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/5866

6. 发明专利

TW201509871A 一種容置裝置，製造方法，及其用途审中-公开
简体标题：一种容置设备，制造方法，及其用途
公开(公告)号：TW201509871A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103119661
申请日：2014-06-06
申请人：中心熱光電股份公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：佛克漢斯彼得 , VOELK, HANS-PETER , 皮耶邱拉亞歷山大 , PIECHULLA, ALEXANDER , 沃克屋爾瑞奇 , WALK, ULRICH , 夫奇斯傑斯屋未 , FUCHS, JENS-UWE , 澤尼可迪耶特 , ZERNICKEL, DIETER
IPC分类号： C04B41/65 , C23C16/458
CPC分类号： H01L21/68757 , C23C16/325 , C23C16/50 , F28F13/18 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/68714 , H01L21/68771 , H01L31/02167 , H01L31/18 , H01L31/1876
摘要：本發明係關於一種容置裝置(10；50)，其製造方法，及用途。該容置裝置係藉由電漿輔助型化學氣相沉積而於其表面具有一塗層(12；52)，其包含：碳化矽、玻璃碳、或熱分解碳。
简体摘要：本发明系关于一种容置设备(10；50)，其制造方法，及用途。该容置设备系借由等离子辅助型化学气相沉积而于其表面具有一涂层(12；52)，其包含：碳化硅、玻璃碳、或热分解碳。

7. 发明专利

TW201038770A 氧化物源半導體之溫度轉變金屬前驅物用裝置及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECUSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENQUELLE 审中-公开
简体标题：氧化物源半导体之温度转变金属前驱物用设备及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN UMSETZUNG METALLISCHER PRECUSORSCHICHTEN IN HALBLEITENDE SCHICHTEN MIT CHALKOGENQUELLE
公开(公告)号：TW201038770A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099106408
申请日：2010-03-05
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：科茨考伊莫 , 倫茲萊因哈德 , 施密德迪特爾 , 哈同羅伯特麥可
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/5866
摘要：本發明係有關一種將平坦基板上的金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及一種進行該方法之裝置。本發明之目的在於提供一種熱轉變金屬先驅物薄膜之快速及簡單方法,及進行該方法之適當裝置,而將氧族元素原始使用量降至最低。本目的如下而達成:設一入口側氣體閘門及一出口側氣體閘門(4.1,4.2,4.3,4.4)而使爐室(1)氧密封;將一或多個至少具有一層金屬先驅物薄膜的基板(6)送入爐室(1)中;將一均勻分佈於基板(6)寬度上的氧族元素蒸氣/載氣混合物(10)輸送到基板上方;在蒸氣/載氣混合物環境下將基板(6)加熱至一終溫度,而使金屬先驅物薄膜轉變成半導體薄膜;排出未使用於反應之氧族元素蒸氣/載氣混合物(10);冷卻基板(6)並將其送出爐室(10)。基板(6)在一保護氣體環境下被加熱至一儘量不會出現氧族元素蒸發之溫度。(圖1)
简体摘要：本发明系有关一种将平坦基板上的金属先驱物薄膜热转变成半导体薄膜之方法及一种进行该方法之设备。本发明之目的在于提供一种热转变金属先驱物薄膜之快速及简单方法,及进行该方法之适当设备,而将氧族元素原始使用量降至最低。本目的如下而达成:设一入口侧气体闸门及一出口侧气体闸门(4.1,4.2,4.3,4.4)而使炉室(1)氧密封;将一或多个至少具有一层金属先驱物薄膜的基板(6)送入炉室(1)中;将一均匀分布于基板(6)宽度上的氧族元素蒸气/载气混合物(10)输送到基板上方;在蒸气/载气混合物环境下将基板(6)加热至一终温度,而使金属先驱物薄膜转变成半导体薄膜;排出未使用于反应之氧族元素蒸气/载气混合物(10);冷却基板(6)并将其送出炉室(10)。基板(6)在一保护气体环境下被加热至一尽量不会出现氧族元素蒸发之温度。(图1)

8. 发明专利

TW201038756A 以氧族元素形成平面基板塗覆用之裝置及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESCHICHTUNG VON FLACHEN SUBSTRATEN MIT CHALKOGENEN 审中-公开
简体标题：以氧族元素形成平面基板涂覆用之设备及方法 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESCHICHTUNG VON FLACHEN SUBSTRATEN MIT CHALKOGENEN
公开(公告)号：TW201038756A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099103614
申请日：2010-02-06
申请人：中心熱光電股份公司
发明人：拜爾約克 , 科茨考伊莫 , 倫茲萊因哈德 , 施密德迪特爾 , 哈同羅伯特麥可
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/246 , C23C14/0623 , C23C14/228 , C23C14/56 , C23C14/566
摘要：本發明係有關一種在一製程室內之平坦基板上塗佈一層氧族元素薄膜之方法。本發明可快速及低成本地在平坦基板上塗佈氧族元素,控制及可靠地排出未凝結之氧族元素,並提出一種進行本發明方法之適當設備。其如下而達成:設一入口側氣體閘門及一出口側氣體閘門(6,7)而與一製程室氧密封連接;將一或多個欲塗佈且具一預設溫度之基板以輸送方向送入製程室(5)中;將一均勻分佈於基板寬度上的氧族元素蒸氣/載氣混合物輸送到基板上方具一輸送通道(4)的製程室(5)中;在入口側氣體閘門與出口側氣體閘門(6,7)之間輸送通道(4)上的基板上方產生一氧族元素蒸氣/載氣混合物氣流;以PVD法於預設製程室(5)停留時間內在基板上沈積一氧族元素薄膜;排出未凝結於基板上氣體閘門(6,7)之間多餘的氧族元素蒸氣及載氣;及在預設之製程時間後使基板離開製程室(5)。(圖2)
简体摘要：本发明系有关一种在一制程室内之平坦基板上涂布一层氧族元素薄膜之方法。本发明可快速及低成本地在平坦基板上涂布氧族元素,控制及可靠地排出未凝结之氧族元素,并提出一种进行本发明方法之适当设备。其如下而达成:设一入口侧气体闸门及一出口侧气体闸门(6,7)而与一制程室氧密封连接;将一或多个欲涂布且具一默认温度之基板以输送方向送入制程室(5)中;将一均匀分布于基板宽度上的氧族元素蒸气/载气混合物输送到基板上方具一输送信道(4)的制程室(5)中;在入口侧气体闸门与出口侧气体闸门(6,7)之间输送信道(4)上的基板上方产生一氧族元素蒸气/载气混合物气流;以PVD法于默认制程室(5)停留时间内在基板上沉积一氧族元素薄膜;排出未凝结于基板上气体闸门(6,7)之间多余的氧族元素蒸气及载气;及在默认之制程时间后使基板离开制程室(5)。(图2)

9. 发明专利

TW200914633A 熱轉換金屬前驅物層至半導體層及/或太陽能模組之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR THERMALLY CONVERTING METALLIC PRECURSOR LAYERS INTO SEMICONDUCTOR LAYERS, AND ALSO SOLAR MODULE 审中-公开
简体标题：热转换金属前驱物层至半导体层及/或太阳能模块之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR THERMALLY CONVERTING METALLIC PRECURSOR LAYERS INTO SEMICONDUCTOR LAYERS, AND ALSO SOLAR MODULE
公开(公告)号：TW200914633A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097134931
申请日：2008-09-11
申请人：中心熱光電股份公司 CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：迪特爾施密德 DIETER SCHMID , 藍哈爾德倫茨 REINHARD LENZ , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHAEL HARTUNG
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/228 , C03C17/22 , C23C14/0623 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , C23C14/5806
摘要：本發明係關於一種將基質上的金屬前驅物層熱轉換至半導體層的方法,及亦關於一種實行該方法及於基質上製造太陽能模組之裝置。本發明的目的在於提供一種用於將任何所欲基質上的金屬層熱轉換至半傳導層的加速及簡單實現的快速方法,及亦提供一種適合用於執行該方法及用於製造具有高效率的太陽能模組之裝置。此是憑藉至少以金屬前驅物層(10)預先製備的基質(4)於分割為複數個溫度區域的爐子(1)中進行加熱而達到,加熱係在約大氣壓力的壓力下,以複數個步驟加熱至達到400℃及600℃之間的結束溫度之預定溫度及係於包含載氣及蒸氣相硫屬元素的混合物之大氣中轉換至半傳導層並且維持結束溫度。
简体摘要：本发明系关于一种将基质上的金属前驱物层热转换至半导体层的方法,及亦关于一种实行该方法及于基质上制造太阳能模块之设备。本发明的目的在于提供一种用于将任何所欲基质上的金属层热转换至半传导层的加速及简单实现的快速方法,及亦提供一种适合用于运行该方法及用于制造具有高效率的太阳能模块之设备。此是凭借至少以金属前驱物层(10)预先制备的基质(4)于分割为复数个温度区域的炉子(1)中进行加热而达到,加热系在约大气压力的压力下,以复数个步骤加热至达到400℃及600℃之间的结束温度之预定温度及系于包含载气及蒸气相硫属元素的混合物之大气中转换至半传导层并且维持结束温度。

10. 发明专利

TW200824141A 太陽能電池保護方法审中-公开
简体标题：太阳能电池保护方法
公开(公告)号：TW200824141A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096138333
申请日：2007-10-12
申请人：中心熱光電股份公司 CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：亞歷山大豪澤爾 ALEXANDER HAUSER , 哈拉爾德旺卡 HARALD WANKA , 湯瑪斯沛爾瑙 THOMAS PERNAU , 羅伯特麥克哈爾頓 ROBERT MICHEAL HARTUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於矽太陽能電池之製造,尤其是一種使結晶矽太陽能電池鈍化之方法,這種方法是先在一適當的裝置內使結晶矽在溫度影響下經由一擴散過程與磷摻雜,以製成一種二極體,然後利用一種電漿法經由氮化矽沉積使矽表面鈍化及減反射。本發明的目的是提出一種使太陽能電池鈍化的方法,而且這種方法能夠以最小的花費達到使太陽能電池的效能明顯改善的效果。為達到上述目的,本發明提出之方法的特徵是在沉積出氮化矽之前先以乾蝕法在蝕刻電漿中將靠近矽毛胚表面之含有高濃度磷的“死層"去除掉。
简体摘要：本发明系关于硅太阳能电池之制造,尤其是一种使结晶硅太阳能电池钝化之方法,这种方法是先在一适当的设备内使结晶硅在温度影响下经由一扩散过程与磷掺杂,以制成一种二极管,然后利用一种等离子法经由氮化硅沉积使硅表面钝化及减反射。本发明的目的是提出一种使太阳能电池钝化的方法,而且这种方法能够以最小的花费达到使太阳能电池的性能明显改善的效果。为达到上述目的,本发明提出之方法的特征是在沉积出氮化硅之前先以干蚀法在蚀刻等离子中将靠近硅毛胚表面之含有高浓度磷的“死层"去除掉。

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