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81. 发明公开

CN1691342A 半导体器件有权转让
公开(公告)号：CN1691342A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067677.8
申请日：2005-04-25
申请人：日本电气株式会社
发明人：竹知和重 , 加纳博司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/786 , B42D15/10 , G06K19/00 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L27/1274 , H01L24/18 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要：通过利用非晶半导体薄膜或通过激光退火而被结晶化的多晶或单晶半导体薄膜来在柔性基板上形成集成电路。将多个这种柔性集成电路板安装在分离的支撑基板上。这提高了诸如IC卡和液晶显示器的器件的机械强度，并允许以低成本制造这些器件。还能够提供具有较高性能的半导体器件，在其上，由硅和/或玻璃晶片制造柔性集成电路板和IC芯片。将诸如金属的具有高导热系数的膜基板粘附到柔性集成电路板的底部侧面，提高了集成电路的散热特性并抑制了自热问题。

82. 发明公开

CN1684243A 一种制造硅绝缘体衬底结构的方法失效转让
公开(公告)号：CN1684243A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410011739.9
申请日：2004-09-24
申请人：国际商业机器公司
发明人：崔广洙 , 基思·福格尔 , 得温德拉·K·萨达纳
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/786 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/76245 , C25F3/04
摘要：本发明提供一种通过氧化分级的多孔Si制造SOI衬底结构的方法。分级的多孔Si的形成是通过首先将掺杂剂(p型或n型)注入到含Si衬底中，利用激活退火步骤激活掺杂剂，接着在含HF的溶液中氧化注入的和激活的掺杂区。分级的多孔Si具有较粗大的顶层以及埋置在顶层之下的细小多孔层。经过随后的氧化步骤，细小的埋置多孔层转变成埋置氧化物，而粗大的顶层通过Si原子的表面迁移聚结成实体含Si上层。

83. 发明公开

CN1652321A MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法失效
公开(公告)号：CN1652321A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510006288.4
申请日：2005-02-02
申请人： ATMEL德国有限公司
发明人：福尔克尔·杜德克
IPC分类号： H01L21/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7824 , H01L29/0878 , H01L29/0886 , H01L29/42368 , H01L29/78603
摘要：本发明提出一种MOS晶体管(12)，它具有在一个SOI晶片(10)中的一个源极区(20)，一个栅极区(22)，一个漏极区(24)及一个漂移区(26，28)，其中SOI晶片具有一个载体层(14)，该载体层载有一个绝缘的中间层(16)并且其中该绝缘的中间层载有一个有源半导体层(18)，在该有源半导体层中横向不同的掺杂剂浓度确定了源极区(20)，漂移区(26，28)及漏极区(24)，及其中有源半导体层(18)至少在漂移区(26，28)的一部分中比在源极区(20)中厚。该MOS－晶体管(12)的其特征在于：有源半导体层(18)在垂直方向上完全通过绝缘的中间层(16)与衬底(18)分隔。此外还提出用于制造这种晶体管的方法。

84. 发明公开

CN1243603A 改进型有源矩阵ESD防护和测试方案失效
公开(公告)号：CN1243603A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN98801813.6
申请日：1998-01-13
申请人：现代电子美国公司
发明人：斯科特·H·霍尔姆伯格
IPC分类号： H01L21/786 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/0251 , G02F1/1309 , G02F1/136204 , H01L21/786
摘要：一种经过改进的制造有源矩阵显示器的方法,具有通过最终组装和制造过程中的测试和修补功能的ESD防护。至少一第一组短路线棒制成得靠近行(12、22)和列(18、28)矩阵。各短路线棒分别彼此串联联接以允许测试各矩阵元素。一第一短路线棒联接于各行线路,而一第二短路线棒联接于各列线路。各短路线棒可以通过最终组装仍然联接于矩阵以提供ESD防护以及最终组装和测试功能。

85. 发明公开

CN1208966A 传感器系统和制造方法以及自测方法无效
公开(公告)号：CN1208966A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98118357.3
申请日：1998-08-14
申请人：海曼光电子股份有限公司 , 罗伯特-博希股份公司
发明人： J·施菲尔德克 , M·罗斯莱 , M·西蒙 , E·扎布勒 , K·斯托尔克 , R·耶内
IPC分类号： H01L27/142 , H01L21/786
CPC分类号： B81C99/0045 , G01J5/02 , G01J5/026 , G01J5/061 , G01J5/10 , G01J5/12 , G01J5/22 , G01J2005/068
摘要：一种用于记录热辐射的传感器系统,这种系统具有一个衬底(15)和在衬底(15)上的若干个传感器元件(10),其中至少提供一个自测设备(53),以便于产生热,使用该设备可以加热一个或者若干个传感器元件(10)。在自测过程中,可以根据一个典型的时间模式加热传感器元件(10)。此外还有一个优选的用于制造这种传感器系统的制造方法以及包括信号处理的全部系统的优选结构。

86. 发明专利

JP4294096B2 esd protection and test system of the active-matrix that has been improved 失效
公开(公告)号：JP4294096B2
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：JP53118998
申请日：1998-01-13
申请人：ヒュンダイエレクトロニクスアメリカ
发明人：エイチ．ホルムバーグ、スコット
IPC分类号： G02F1/136 , G09F9/30 , G02F1/13 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/786 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/0251 , G02F1/1309 , G02F1/136204 , H01L21/786

87. 发明专利

JP2006013468A Organic thin-film transistor and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2006013468A
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：JP2005149630
申请日：2005-05-23
申请人： Samsung Sdi Co Ltd , 三星エスディアイ株式会社
发明人： GU ZAIHON , SUH MIN-CHUL , MO YEON-GON
IPC分类号： H01L21/786 , H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0529
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film transistor and a manufacturing method of the same, in which an organic gate insulating film is provided to result in lower threshold voltage and less amount of leakage current, while having flexibility.
SOLUTION: An organic thin-film transistor and a manufacturing method of the same are provided. The organic thin-film transistor is provided with a substrate, and a gate electrode located on the substrate. A gate insulating film, having a laminated structure of an inorganic gate insulating film and an organic gate insulating film, is located on the gate electrode. An organic semiconductor layer overlapping on the gate electrode is located on the gate insulating film. Accordingly, flexibility is provided and leakage current is reduced, at the same time. Consequently, an organic thin-film transistor having the lower threshold voltage can be realized.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供薄膜晶体管及其制造方法，其中提供有机栅极绝缘膜以产生较低的阈值电压和较少的漏电流量，同时具有灵活性。解决方案：提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法。有机薄膜晶体管设置有基板和位于基板上的栅电极。具有无机栅极绝缘膜和有机栅极绝缘膜的层叠结构的栅极绝缘膜位于栅电极上。在栅电极上重叠的有机半导体层位于栅极绝缘膜上。因此，提供灵活性并同时降低泄漏电流。因此，可以实现具有较低阈值电压的有机薄膜晶体管。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

88. 发明专利

JP2005209803A METHOD FOR MANUFACTURING GaN CRYSTAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：制造GaN晶体基板的方法
公开(公告)号：JP2005209803A
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：JP2004013345
申请日：2004-01-21
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： OKAHISA TAKUJI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B29/40 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/786 , H01L27/12
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a GaN crystal substrate by which an increase in pit diameter can be suppressed during GaN crystal growth and a GaN crystal substrate with high substrate acquisition rate can be obtained.
SOLUTION: The method for maufacturing a GaN crystal substrate includes a step to grow a GaN crystal 4 on a base substrate 1 by a vapor-phase growth method. In such a step to grow the GaN crystal 4, a pit 6 having a facet face 5F is formed on the crystal growth surface, and an increase rate in the diameter of the pit 6 is set to 20% or less.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造GaN晶体基板的方法，其中可以在GaN晶体生长期间抑制凹坑直径的增加，并且可以获得具有高的基板获取速率的GaN晶体基板。解决方案：制造GaN晶体衬底的方法包括通过气相生长法在基底衬底1上生长GaN晶体4的步骤。在GaN晶体4的生长步骤中，在晶体生长面上形成具有小面5F的凹坑6，将凹坑6的直径的增加率设定为20％以下。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

89. 发明专利

JPH09312289A FORMATION OF SPIN-ON-GLASS(SOG) FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT 失效
公开(公告)号：JPH09312289A
公开(公告)日：1997-12-02
申请号：JP35986296
申请日：1996-12-27
申请人： GENDAI DENSHI SANGYO KK
发明人： KIN MINSAI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the surface flatness and reliability of an element by a method wherein a constant amount of a spin-on-glass solution is jetted on a wafer, the jet is once stopped and after the wafer is rotated at high speed in a short time, the rotation is again stopped to let the solution have a reflow time and thereafter, the solution is cured and fired. SOLUTION: A wafer with a layer insulating film 12 and lower metal wirings 13, which are formed on a silicon substrate 1, is prepared. A constant amount of a spin-on-glass solution is jetted on the wafer. Then, the wafer is rotated at high speed in a short time in a state that the jet of the spin-on-glass solution is stopped to contrive to distribute equally the solution. Then, after the rotation of the wafer is stopped for diluting the thick sping-on-glass solution on the upper parts of the wirings 13, a state that the rotation is stopped for a constant time is maintained for a reflow of the solution. After that, the solution is cured and fired and a spin-on-glass film 15 is completed. Therefore, with the electrical characteristics of an element enhanced, the flattening characteristics of the element is also enhanced.

90. 发明专利

JP4398511B2 The method of producing an organic thin film transistor 有权
公开(公告)号：JP4398511B2
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：JP2009160804
申请日：2009-07-07
申请人：三星モバイルディスプレイ株式會社
发明人：在本具 , ▲文▼ 撤徐 , 然坤牟
IPC分类号： H01L21/786 , H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0529

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