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81. 发明公开

EP2193556A2 STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 有权
公开(公告)号：EP2193556A2
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：EP08834637.4
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , RUMBOLZ, Christian
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), which has an active zone (2) for generating radiation having the wavelength lambda and a structured region (3) having structure elements disposed at irregular intervals, said elements comprising a first material having a first refractive index n
1 and surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n
2 . Furthermore, a method for producing such a semiconductor chip is provided.
摘要翻译：本发明涉及一种辐射发射半导体芯片，其包括用于产生具有波长λ的辐射的有源区和具有不规则排列的结构元件的结构区域，该结构元件包含第一折射率为n1的第一材料并被包含具有第二折射率n2的第二材料。另外规定了这种类型的半导体芯片的制造方法。

82. 发明公开

EP3357131A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权转让
公开(公告)号：EP3357131A1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：EP16774942.3
申请日：2016-09-29
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LOEFFLER, Andreas
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/2222 , H01S2301/176
摘要： The invention relates to an optoelectronic component comprising a layered structure having an active zone for producing electromagnetic radiation, wherein the active zone is arranged in a plane, wherein the layered structure has an upper side and four lateral surfaces, wherein a strip-type ridge structure is arranged on the upper side of the layered structure, wherein the ridge structure extends between the first lateral surface and the third lateral surface, wherein the first lateral surface represents an irradiating surface for electromagnetic radiation, wherein a first recess is introduced laterally next to the ridge structure into the upper side of the layered structure, wherein a second recess is introduced into the first recess, and wherein the second recess extends up to the second lateral surface.

83. 发明公开

EP3192135A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LASERCHIPS 有权转让
公开(公告)号：EP3192135A1
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：EP15760121.2
申请日：2015-08-27
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： GERHARD, Sven , ADLHOCH, Thomas , VEIT, Thomas , LELL, Alfred , PFEIFFER, Joachim , MUELLER, Jens , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/22 , H01S5/2201
摘要： The invention relates to a method for producing a laser chip (140) comprising steps for providing a semiconductor wafer (100) having a top side (101) and a bottom side (102), wherein the semiconductor wafer has a plurality of integrated laser diode structures (141), which are arranged one after the other along a defined fracture direction (10), for creating a plurality of recesses (200) on the top side of the semiconductor wafer, which recesses are arranged one after the other along the fracture direction, wherein each recess has a front boundary surface (210) and a rear boundary surface (220) following one another in the fracture direction, wherein the rear boundary surface is tilted by an angle between 95° and 170° in relation to the top side of the semiconductor wafer in the case of at least one recess, and for fracturing the semiconductor wafer in the fracture direction at a fracture plane that is oriented perpendicularly to the top side of the semiconductor wafer and that extends through the recesses.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造激光芯片（140）的方法，其包括用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中所述半导体晶片具有多个集成激光二极管（141），其沿着限定的断裂方向（10）一个接一个地布置，用于在所述半导体晶片的顶侧上形成多个凹部（200），所述凹部沿着所述断裂一个接一个地布置其中每个凹部具有在断裂方向上彼此接连的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中后边界表面相对于顶部倾斜95°与170°之间的角度在半导体晶片的至少一个凹部的情况下，在断裂方向上在垂直于半导体晶片的顶面定向的断裂面处断裂半导体晶片，穿过凹处。

84. 发明公开

EP2564478A1 LASERLICHTQUELLE 有权转让
标题翻译：激光光源
公开(公告)号：EP2564478A1
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：EP11712555.9
申请日：2011-04-06
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/024
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： The invention relates to a laser light source for emitting coherent electromagnetic radiation (10) having a vertical far-field radiation profile (121), having a series of semiconductor layers (1) for generating the coherent electromagnetic radiation comprising an active region (3) on a substrate (2), wherein the coherent electromagnetic radiation is emitted during operation in an emission direction (11) at least from a main emission region (5) of a radiation output surface (4), and the radiation output surface (4) is formed by a side surface of the sequence of semiconductor layers (1), and a filter element (13) that suppresses coherent electromagnetic radiation (12) in the vertical far-field radiation profile (121), wherein said radiation was generated during operation and emitted by an auxiliary emission region (6) of the radiation output surface (4), said auxiliary emission region being vertically offset from and spatially separated from the main emission region (5).

85. 发明公开

EP2198465A1 HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT 有权转让
标题翻译： HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINERPRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLEUND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT
公开(公告)号：EP2198465A1
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：EP08801322.2
申请日：2008-09-11
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： OTT, Hubert , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/00 , F21K7/00
CPC分类号： F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/60
摘要： The invention relates to a semiconductor light source having a primary radiation source (1) that, in operation, emits electromagnetic primary radiation (5) in a first wavelength range and having a luminescence conversion module (2) into which primary radiation (5) emitted by the primary radiation source (1) is coupled. The luminescence conversion module (2) comprises a luminescence conversion element (6) that absorbs primary radiation (5) from the first wavelength range by means of a luminescent material and emits electromagnetic secondary radiation (15) in a second wavelength range. The luminescence conversion element (6) is disposed at a distance from the primary radiation source (1) on a cooling body (3). Said luminescence conversion element (6) comprises a reflector surface (7, 71, 72) that reflects back primary radiation (5) traveling into the luminescence conversion element (6) but not absorbed thereby and/or reflects secondary radiation (15) in the direction of a light decoupling surface (601) of the luminescence conversion element (6).
摘要翻译：提供一种半导体光源，所述半导体光源具有主辐射源（1），当所述半导体光源被操作时，所述主辐射源（1）在第一波长范围内发射电磁初级辐射（5），并且具有发光转换模块），其中馈送由主辐射源（1）发射的初级辐射（5）。发光转换模块（2）包含发光转换元件（6），其通过发光材料从第一波长范围吸收主辐射（5）并在第二波长范围内发射电磁次级辐射（15）。发光转换元件（6）布置在距离主辐射源（1）一定距离处的散热器（3）上。它具有反射回到发光转换元件（6）的主要辐射（5）的反射器表面（7,71,72），其通过发光转换元件（6）并且不被其吸收和/或反射次级辐射 15）在发光转换元件（6）的光耦合表面（601）的方向上。

86. 发明授权

EP2198465B1 HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT 有权转让
公开(公告)号：EP2198465B1
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：EP08801322.2
申请日：2008-09-11
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： OTT, Hubert , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/50 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/58 , H01L33/60 , F21Y115/10

87. 发明授权

EP2223397B1 LASERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERLICHTQUELLE 有权转让
公开(公告)号：EP2223397B1
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：EP08865674.9
申请日：2008-12-17
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , SCHMID, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , REILL, Wolfgang , DINI, Dimitri
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/22

88. 发明公开

EP3206239A1 STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 有权转让
标题翻译：辐射发射半导体芯片
公开(公告)号：EP3206239A1
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：EP17157898.2
申请日：2008-08-27
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
发明人： LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , RUMBOLZ, Christian
IPC分类号： H01L33/44 , H01S5/22
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Strahlung emittierenden Halbleiterchip (1), der eine aktive Zone (2) zur Erzeugung von Strahlung der Wellenlänge Lambda und einen strukturierten Bereich (3) mit unregelmäßig angeordneten Strukturelementen aufweist, die ein erstes Material mit einem ersten Brechungsindex n 1 enthalten und die von einem Medium umgeben sind, das ein zweites Material mit einem zweiten Brechungsindex n 2 aufweist, wobei die Dicke einer Zwischenschicht, welche die Strukturelemente und das Medium aufweist, einer maximalen Höhe der Strukturelemente entspricht, wobei für einen effektiven Brechungsindex neff der Zwischenschicht n2
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片（1）具有用于产生波长为λ的辐射，并且结构化的区域的活性区域（2）（3）与不规则地排列，其包括具有第一折射率n1和所述第一种材料的结构元件通过具有第二折射率n2，其特征在于，中间层的厚度，其具有的结构元件和所述介质，所述结构元件的最大高度对应，第二材料的介质所包围，其中用于中间层内夫N2 <纳夫<的有效折射率 n1，并且其中相应结构元件的基面宽度g小于相应结构元件的高度h。此外，指定了用于制造这种半导体芯片的方法。

89. 发明授权

EP2035801B1 ANORDNUNG MIT EINEM LICHTLEITER 有权
公开(公告)号：EP2035801B1
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：EP07764376.5
申请日：2007-06-15
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： G01M11/00 , G01M11/08
CPC分类号： G01M11/088 , B60Q1/0011 , B60Q11/005 , F21S8/06 , F21S41/13 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , F21S45/47 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21V7/005 , F21V7/045 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2103/00 , G01M11/30

90. 发明授权

EP2359605B1 LEUCHTMITTEL UND PROJEKTOR MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN LEUCHTMITTEL 有权
标题翻译：灯和投影机，至少一个这样的灯
公开(公告)号：EP2359605B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：EP09767929.4
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01S5/022 , H04N9/31 , G02F1/35 , H01S5/00
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129

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