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1. 发明申请

WO2022018071A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERKÖRPERS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
公开(公告)号：WO2022018071A1
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：PCT/EP2021/070237
申请日：2021-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WAGNER, Jan , NÄHLE, Lars , GERHARD, Sven , LELL, Alfred , KÖNIG, Harald , EICHLER, Christoph , BRÜDERL, Georg , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/40
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Hauptfläche (2); Erzeugen einer Vielzahl an Verteilerstrukturen (3) auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1); Epitaktisches Abscheiden eines Verbindungshalbleitermaterials auf der Hauptfläche (2) des Wachstumssubstrats (1), wobei das epitaktische Wachstum des Verbindungshalbleitermaterials aufgrund der Verteilerstrukturen (3) entlang der Hauptfläche (2) variiert, so dass beim epitaktischen Abscheiden eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) mit zumindest einem ersten Emitterbereich (5) und einem zweiten Emitterbereich (6) auf der Hauptfläche (2) entsteht, wobei der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) in Draufsicht auf eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers lateral nebeneinander angeordnet sind; und der erste Emitterbereich (5) und der zweite Emitterbereich (6) im Betrieb elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche erzeugen. Außerdem wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper angegeben.

2. 发明申请

WO2022013063A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LIDAR-SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022013063A2
公开(公告)日：2022-01-20
申请号：PCT/EP2021/069024
申请日：2021-07-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , HALBRITTER, Hubert
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/42
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst einen Halbleiterschichtstapel (109), in dem eine oberflächenemittierende Laserdiode ausgebildet ist. Der Halbleiterschichtstapel (109) weist eine erste Aperturblende (115) auf. Eine Bemessung der ersten Aperturblende (115) in einer ersten horizontalen Richtung ist kleiner als 50 pm und kleiner als die Bemessung der ersten Aperturblende (115) in einer zweiten horizontalen Richtung.

3. 发明申请

WO2018192857A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018192857A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/EP2018/059555
申请日：2018-04-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENZMANN, Roland Heinrich , WOJCIK, Andreas , HALBRITTER, Hubert , BEHRINGER, Martin Rudolf , MARIC, Josip , JAMA, Mariel Grace , HAHN, Berthold , MÜLLER, Christian , OTTO, Isabel
IPC分类号： H01S5/042
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).

4. 发明申请

WO2023016912A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERLASERCHIPS UND HALBLEITERLASERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2023016912A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/EP2022/071947
申请日：2022-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01S5/02
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (20), das Verfahren umfassend Aufwachsen einer Halbleiterschicht (21) mit einem aktiven Bereich (22), Bilden von einer Vielzahl von Laserchipbereichen (29), wobei jeder Laserchipbereich (29) einen Teil des aktiven Bereichs (22), einen Teil der Halbleiterschicht (21), einen ersten Spiegel (25) und einen zweiten Spiegel (28) aufweist, Aufbringen einer Opferschicht (27) auf die Laserchipbereiche (29), Formen mindestens eines Stützbereichs (30) pro Laserchipbereich (29) innerhalb der Opferschicht (27), Aufbringen eines Hilfsträgers (31) auf die Opferschicht (27), Vereinzeln der Laserchipbereiche (29) in Halbleiterlaserchips (20) auf dem Hilfsträger (31), wobei jeder Halbleiterlaserchip (20) einen ersten Bereich (23) der Halbleiterschicht (21) und einen zweiten Bereich (24) der Halbleiterschicht (21) aufweist, wobei der erste Bereich (23) und der zweite Bereich (24) parallel zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschicht (21) voneinander verschiedene Erstreckungen aufweisen und der erste Spiegel (25) und der zweite Spiegel (28) an den zweiten Bereich (24) angrenzen, Entfernen der Opferschicht (27), und gleichzeitiges Transferieren zumindest einiger der Halbleiterlaserchips (20) auf einen Träger (32). Außerdem wird ein Halbleiterlaserchip (20) angegeben.

5. 发明申请

WO2020182621A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2020182621A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/EP2020/055889
申请日：2020-03-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , KLEMP, Christoph
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44
摘要： In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einer Kontaktseite (20), B) Erzeugen eines Beschichtungsbereichs (21) und eines Schutzbereichs (22) an der Kontaktseite (20), C) Aufbringen eines flüssigen Beschichtungsmaterials (30) auf die Kontaktseite (20), wobei das Beschichtungsmaterial (30) den Beschichtungsbereich (21) benetzt und den Schutzbereich (22) nicht benetzt, und D) Verfestigen des Beschichtungsmaterials (30) zu mindestens einer elektrischen KontaktStruktur (31) auf dem Beschichtungsbereich (21), sodass der Halbleiterchip (2) im bestimmungsgemäßen Gebrauch durch die mindestens eine Kontaktstruktur (31) hindurch bestromt wird.

6. 发明申请

WO2020156922A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020156922A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/EP2020/051619
申请日：2020-01-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , VARGHESE, Tansen , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/06
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine halbleitende Rekombinationsschicht (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung durch Ladungsträgerrekombination, eine Mehrzahl von ersten Kontaktelementen (31) auf einer ersten Seite (11) der Rekombinationsschicht, zumindest ein zweites Kontaktelement (32) auf der ersten Seite der Rekombinationsschicht, eine Mehrzahl halbleitender erster Anschlussbereiche (21) und zumindest einen halbleitenden zweiten Anschlussbereich (22). Die ersten Anschlussbereiche sind jeweils zwischen einem ersten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Der zweite Anschlussbereich ist zwischen dem zweiten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Die ersten Anschlussbereiche weisen eine Dotierung erster Art auf und der zweite Anschlussbereich weist eine zur Dotierung erster Art komplementäre Dotierung zweiter Art auf. Die ersten Kontaktelemente sind einzeln und unabhängig voneinander elektrisch kontaktierbar.

7. 发明申请

WO2019110676A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERLICHTQUELLEN UND HALBLEITERLICHTQUELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019110676A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/EP2018/083679
申请日：2018-12-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan , VARGHESE, Tansen , HERRMANN, Siegfried , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56
摘要： In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) und umfasst die Schritte: A) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) an einer Aufwachsfläche (20) zumindest eines Aufwachssubstrats (2), wobei die Halbleitersäulen (3) zur Strahlungserzeugung eingerichtet sind, B) Einprägen der fertig gewachsenen Halbleitersäulen (3) in eine Prägematrix (4), sodass zumindest Seitenflächen (35) der Halbleitersäulen (3) unmittelbar von einem Material der Prägematrix (4) umschlossen werden, und C) Ablösen der Halbleitersäulen (3) von dem zumindest einen Aufwachssubstrat (2) nach dem Einprägen in die Prägematrix (4), wobei die Prägematrix (4) die Halbleitersäulen (3) beim Ablösen festhält.

8. 发明申请

WO2022063483A1 OPTOELECTRONIC MODULE, METHOD FOR OPERATING AN OPTOELECTRONIC MODULE AND HEAD-MOUNTED DISPLAY 审中-公开
公开(公告)号：WO2022063483A1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：PCT/EP2021/072512
申请日：2021-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , HALBRITTER, Hubert , RUSSEL, Ann
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/00 , H01S5/40 , H01S5/14 , H01S5/10 , H01S5/028 , G02B6/00 , H01S5/026 , H01S5/50
摘要： An optoelectronic module (1) comprising at least one semiconductor laser (10) and a photonic chip (20) is described herein. The semiconductor laser (10) emits a primary electromagnetic radiation which is coupled into the photonic chip (20). The photonic chip (20) comprises at least one first waveguide (210) and at least one optical Bragg reflector (30) having a reflectivity which is modulated by an electrical modulation signal. A secondary electromagnetic radiation is coupled out of the photonic chip (20) by means of at least one second waveguide (220), wherein the secondary electromagnetic radiation has a dominant wavelength which is modulated in dependence of the electrical modulation signal. Further, a method for operating an optoelectronic module (1) and a Head-Mounted Display comprising an optoelectronic module (1) are provided.

9. 发明申请

WO2019042743A1 VERFAHREN ZUR DATENÜBERTRAGUNG UND ÜBERTRAGUNGSSYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2019042743A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/EP2018/071766
申请日：2018-08-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , HALBRITTER, Hubert , ENZMANN, Roland Heinrich
IPC分类号： H04B10/116 , H04B10/114
摘要： In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur optischen Datenübertragung eingerichtet und umfasst die Schritte: - Bereitstellen einer Vielzahl von Lichtquellen (2) in einem Übertragungssystem (1), - Übermitteln eines Datensignals (A) mit zu übertragenden Daten (D) an das Übertragungssystem (1), - Zerlegen des Datensignals (A) in. dem Übertragungssystem (1) in N verschiedene Untersignale (S), wobei N eine natürliche Zahl ist mit N ≥ 2, - Ansteuern der Lichtquellen (2) anhand der Untersignale (S), sodass jede der Lichtquellen (2) gemäß einem der Untersignale (S) Licht emittiert und das insgesamt von den Lichtquellen (2) emittierte Licht die Daten (D) überträgt.

10. 发明申请

WO2018192985A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL UND GEWEBE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018192985A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/EP2018/059921
申请日：2018-04-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , PFEUFFER, Alexander F. , PLÖSSL, Andreas , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/62 , F21S4/15 , H05K1/03 , H01L25/075 , H05K1/11 , H05K1/18
摘要： In einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Strahlung sowie einen Träger(3), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Der eine Träger(3)weist an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Trägerunterseite (34) eine Verankerungsstruktur (4) auf. Die Verankerungsstruktur (4) umfasst elektrische Kontaktstellen (5) oder grenzt an diese. Die Verankerungsstruktur (4) ist zur Aufnahme mindestens eines Fadens (8) zur elektrischen Kontaktierung eingerichtet.

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