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81. 发明专利

TW201133902A 光電轉換裝置 PHOTOELECTRIC CONVERTER 失效
简体标题：光电转换设备 PHOTOELECTRIC CONVERTER
公开(公告)号：TW201133902A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099125476
申请日：2010-07-30
申请人：國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/052 , H01L31/02167 , H01L31/046 , H01L31/075 , Y02E10/548
摘要：本發明旨在提供一光電轉換裝置,其包含適用於設有散熱機構之構造之鈍化層。本發明之光電轉換裝置1,具有:第1電極層20、具備由a-Si(非晶矽)所形成之nip構造的單一發電疊層體22、以及介由鎳層24成膜於該發電疊層體22上之Al之第2電極層26。於第2電極層26上,形成由含有SiCN之材料所構成的鈍化層28。於鈍化層28上,介由黏著劑層29安裝著散熱體30(例如,由Al所形成)。
简体摘要：本发明旨在提供一光电转换设备,其包含适用于设有散热机构之构造之钝化层。本发明之光电转换设备1,具有:第1电极层20、具备由a-Si(非晶硅)所形成之nip构造的单一发电叠层体22、以及介由镍层24成膜于该发电叠层体22上之Al之第2电极层26。于第2电极层26上,形成由含有SiCN之材料所构成的钝化层28。于钝化层28上,介由黏着剂层29安装着散热体30(例如,由Al所形成)。

82. 发明专利

TW201113976A 半導體製造及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造及其制造方法
公开(公告)号：TW201113976A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099101000
申请日：2010-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：根本剛直 , 大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/02071 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種半導體製造及其製造方法,其係將具有金屬鑲嵌導線構造的半導體裝置所形成之導線表面的氧化物部選擇性地去除。在製造具有金屬鑲嵌導線構造的半導體裝置之際,係以Xe電漿針對導線表面進行逆濺鍍處理。本發明藉由以Xe電漿氣體進行逆濺鍍處理,可將導線表面的氧化物部等選擇性地且有效率地去除,並避免金屬鑲嵌導線構造中,上下導線間的接觸電阻增加。又,可抑制對形成於導線上之CF等絕緣膜的損傷,並抑制絕緣膜的介電率變動。
简体摘要：本发明系关于一种半导体制造及其制造方法,其系将具有金属镶嵌导线构造的半导体设备所形成之导线表面的氧化物部选择性地去除。在制造具有金属镶嵌导线构造的半导体设备之际,系以Xe等离子针对导线表面进行逆溅镀处理。本发明借由以Xe等离子气体进行逆溅镀处理,可将导线表面的氧化物部等选择性地且有效率地去除,并避免金属镶嵌导线构造中,上下导线间的接触电阻增加。又,可抑制对形成于导在线之CF等绝缘膜的损伤,并抑制绝缘膜的介电率变动。

83. 发明专利

TW201103865A 產生水分用反應爐失效
简体标题：产生水分用反应炉
公开(公告)号：TW201103865A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099112973
申请日：2010-04-23
申请人：富士金股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 皆見幸男 , 平尾圭志 , 坂本信治 , 北野真史
IPC分类号： C01B , B01J , H01L
CPC分类号： B01J23/63 , B01J12/007 , B01J23/42 , B01J35/023 , B01J37/0225 , B01J37/0244 , C01B5/00
摘要：本發明的課題在於提供一種產生水分用反應爐，其係藉由對具有鉑觸媒層的反應爐內供給氫氣與氧氣，使進行催化反應，而不使燃燒，在比氫氣和氧氣之著火點低的催化反應溫度使產生高純度的水分之產生水分用反應爐，其中對於設置在母材與鉑觸媒層之間的障壁層，可長期間維持鉑觸媒層的高附著力。本發明的解決手段為具有：設有氣體入口及水分出口的反應爐本體，在前述反應爐本體的內壁面之至少一部分上所成膜的Y2O3障壁層，及在該Y2O3障壁層上的至少一部分上所成膜的鉑觸媒層。前述Y2O3障壁層的膜厚較佳為50nm～5μm。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种产生水分用反应炉，其系借由对具有铂触媒层的反应炉内供给氢气与氧气，使进行催化反应，而不使燃烧，在比氢气和氧气之着火点低的催化反应温度使产生高纯度的水分之产生水分用反应炉，其中对于设置在母材与铂触媒层之间的障壁层，可长期间维持铂触媒层的高附着力。本发明的解决手段为具有：设有气体入口及水分出口的反应炉本体，在前述反应炉本体的内壁面之至少一部分上所成膜的Y2O3障壁层，及在该Y2O3障壁层上的至少一部分上所成膜的铂触媒层。前述Y2O3障壁层的膜厚较佳为50nm～5μm。

84. 发明专利

TW201016892A 鋁合金元件、電子裝置製造裝置以及具有陽極氧化膜之鋁合金元件的製造方法 AL ALLOY MEMBER, APPARATUS FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN AL ALLOY MEMBER WITH AN ANODE OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：铝合金组件、电子设备制造设备以及具有阳极氧化膜之铝合金组件的制造方法 AL ALLOY MEMBER, APPARATUS FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN AL ALLOY MEMBER WITH AN ANODE OXIDE FILM
公开(公告)号：TW201016892A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098125495
申请日：2009-07-29
申请人：國立大學法人東北大學 , 日本輕金屬股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 北野真史 , 田原稔 , 伊藤久和 , 白井孝太 , 佐伯雅之
IPC分类号： C25D , C22C
CPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12
摘要：本發明提供可使用於大型製造裝置之機械強度良好的Al合金元件。Al合金元件的特徵在於：由質量%，Mg濃度5.0%以下，Ce濃度15%以下，Zr濃度0.15%以下，殘餘部分為Al以及不可避免的不純物構成，且上述不可避免的不純物的元素各自為0.01%以下，且其維氏硬度大於30。
简体摘要：本发明提供可使用于大型制造设备之机械强度良好的Al合金组件。Al合金组件的特征在于：由质量%，Mg浓度5.0%以下，Ce浓度15%以下，Zr浓度0.15%以下，残余部分为Al以及不可避免的不纯物构成，且上述不可避免的不纯物的元素各自为0.01%以下，且其维氏硬度大于30。

85. 发明专利

TW201014486A 電路基板及其製造方法审中-公开
简体标题：电路基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201014486A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098117955
申请日：2009-06-01
申请人：國立大學法人東北大學 , 大昌電子股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/381 , H05K3/388 , H05K3/421 , H05K3/4644 , H05K2201/0179 , H05K2203/095 , Y10T29/49124
摘要：本發明係藉由電漿而將基板表面氮化，形成經氮化的樹脂層，另外在將銅進行成膜前將氮化銅成膜為較薄，藉此提升配線層與樹脂層的密接性。
简体摘要：本发明系借由等离子而将基板表面氮化，形成经氮化的树脂层，另外在将铜进行成膜前将氮化铜成膜为较薄，借此提升配线层与树脂层的密接性。

86. 发明专利

TW201012313A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201012313A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098119042
申请日：2009-06-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：其課題是以使對基板的處理的均一性更提升為目的。其解決手段是一種電漿處理裝置，係具備：金屬製的處理容器（4），其係收納被電漿處理的基板（G）；電磁波源（85），其係為了使電漿激發於處理容器（4）內，而供給必要的電磁波，在處理容器（4）的蓋體（3）下面具備使部分露出於處理容器（4）的內部之複數的電介體（25），其係使從電磁波源（85）供給的電磁波透過至處理容器（85）的內部，其特徵為：在電介體（25）的下面設有與蓋體（3）電性連接的金屬電極（27），在金屬電極（27）與蓋體（3）下面之間露出的電介體（25）的部分，由處理容器（4）的內部來看，實質形成多角形的輪廓，複數的電介體（25）係使多角形的輪廓的頂角彼此間鄰接而來配置，在露出於處理容器（4）的內部之蓋體（3）下面與金屬電極（27）下面設有使電磁波傳播的表面波傳播部。
简体摘要：其课题是以使对基板的处理的均一性更提升为目的。其解决手段是一种等离子处理设备，系具备：金属制的处理容器（4），其系收纳被等离子处理的基板（G）；电磁波源（85），其系为了使等离子激发于处理容器（4）内，而供给必要的电磁波，在处理容器（4）的盖体（3）下面具备使部分露出于处理容器（4）的内部之复数的电介体（25），其系使从电磁波源（85）供给的电磁波透过至处理容器（85）的内部，其特征为：在电介体（25）的下面设有与盖体（3）电性连接的金属电极（27），在金属电极（27）与盖体（3）下面之间露出的电介体（25）的部分，由处理容器（4）的内部来看，实质形成多角形的轮廓，复数的电介体（25）系使多角形的轮廓的顶角彼此间邻接而来配置，在露出于处理容器（4）的内部之盖体（3）下面与金属电极（27）下面设有使电磁波传播的表面波传播部。

87. 发明专利

TW201004490A 簇射極板之製造方法、簇射極板以及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：簇射极板之制造方法、簇射极板以及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201004490A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098107220
申请日：2009-03-06
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 石橋清隆
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/3244
摘要：本發明係提供一種可防止電漿逆流、均勻且安定地供給電漿激發用氣體、並於使用時不致有零件脫落之簇射極板的製造方法。以具有連通至氣體流動方向之氣孔的多孔質形成一柱狀的氣體流通體。以不透氣材料來形成一接觸並包覆氣體流通體側面的筒狀緻密組件。再將氣體流通體嵌入緻密組件之中空部分而形成多孔體，並於第1溫度進行燒製。於頂板形成凹部，並形成一端與凹部連通且貫穿頂板的氣體流路。將多孔體嵌入凹部，於與第1溫度同等以下的溫度一體成形燒製以形成簇射極板。
简体摘要：本发明系提供一种可防止等离子逆流、均匀且安定地供给等离子激发用气体、并于使用时不致有零件脱落之簇射极板的制造方法。以具有连通至气体流动方向之气孔的多孔质形成一柱状的气体流通体。以不透气材料来形成一接触并包覆气体流通体侧面的筒状致密组件。再将气体流通体嵌入致密组件之中空部分而形成多孔体，并于第1温度进行烧制。于顶板形成凹部，并形成一端与凹部连通且贯穿顶板的气体流路。将多孔体嵌入凹部，于与第1温度同等以下的温度一体成形烧制以形成簇射极板。

88. 发明专利

TW201003946A 於基板上直接形成太陽能發電薄膜之太陽能電池失效
简体标题：于基板上直接形成太阳能发电薄膜之太阳能电池
公开(公告)号：TW201003946A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098104263
申请日：2009-02-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：若山惠英 , 茂山和基 , 大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L , E04D
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50
摘要：本發明所揭示之太陽能電池，係包含形成於基材上之半導體薄膜、形成於半導體薄膜上之透明導電膜、及覆蓋透明導電膜的上面之氮化物系之水分擴散防止膜。水分擴散防止膜較佳係由氮化矽膜與碳氮化矽膜之至少一者所構成。
简体摘要：本发明所揭示之太阳能电池，系包含形成于基材上之半导体薄膜、形成于半导体薄膜上之透明导电膜、及覆盖透明导电膜的上面之氮化物系之水分扩散防止膜。水分扩散防止膜较佳系由氮化硅膜与碳氮化硅膜之至少一者所构成。

89. 发明专利

TW201003913A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201003913A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098113468
申请日：2009-04-23
申请人：國立大學法人東北大學 , 財團法人國際科學振興財團
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 黑田理人
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696
摘要：反轉(Inversion)型電晶體或本質(Intrinsic)型電晶體，及半導體層之累積層電流控制型累積(Accumulation)型電晶體，由於雜質原子濃度之統計上之變異而造成之閾值電壓之變異於微細化世代增大，保持大型積體電路(LSI)之可靠性有其困難。本發明可得到一種基體電流控制累積型電晶體，藉由控制半導體層之膜厚及雜質原子濃度，使得空乏層之厚度大於半導體層膜厚。例如藉由使半導體層膜厚為100nm，且原子濃度高於2×10 17 [cm -3 ]，可使得閾值之變異之標準偏差小於電源電壓之變異之容許值。
简体摘要：反转(Inversion)型晶体管或本质(Intrinsic)型晶体管，及半导体层之累积层电流控制型累积(Accumulation)型晶体管，由于杂质原子浓度之统计上之变异而造成之阈值电压之变异于微细化世代增大，保持大型集成电路(LSI)之可靠性有其困难。本发明可得到一种基体电流控制累积型晶体管，借由控制半导体层之膜厚及杂质原子浓度，使得空乏层之厚度大于半导体层膜厚。例如借由使半导体层膜厚为100nm，且原子浓度高于2×10 17 [cm -3 ]，可使得阈值之变异之标准偏差小于电源电压之变异之容许值。

90. 发明专利

TW200944068A 微波電漿處理裝置及微波電漿處理裝置之使用方法 MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR USING MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备及微波等离子处理设备之使用方法 MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR USING MICROWAVE PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200944068A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098105139
申请日：2009-02-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
摘要：〔課題〕使氣體供給位置適當化。〔解決手段〕微波電漿處理裝置（10）係具有：在內部被激發電漿的容器（100）；在容器內供給用以激發電漿之微波的微波源（900）；使由微波源（900）所被供給的微波傳送的同軸管（600、315等）；在面向容器（100）的內側的狀態下與同軸管（315）相鄰接，使在各同軸管傳送的微波透過而釋出在容器（100）內部的複數個介電質板（305）；在容器內供給用以激發電漿之氣體的氣體供給源（800）；及貫穿複數個介電質板（305）之各個之內部，且由屬於該貫穿口之氣孔（A）將氣體導入至容器內的氣體流路（810）。貫穿金屬電極（310）的氣孔（B）與氣孔（A）係以等間距作配置。
简体摘要：〔课题〕使气体供给位置适当化。〔解决手段〕微波等离子处理设备（10）系具有：在内部被激发等离子的容器（100）；在容器内供给用以激发等离子之微波的微波源（900）；使由微波源（900）所被供给的微波发送的同轴管（600、315等）；在面向容器（100）的内侧的状态下与同轴管（315）相邻接，使在各同轴管发送的微波透过而发佈在容器（100）内部的复数个介电质板（305）；在容器内供给用以激发等离子之气体的气体供给源（800）；及贯穿复数个介电质板（305）之各个之内部，且由属于该贯穿口之气孔（A）将气体导入至容器内的气体流路（810）。贯穿金属电极（310）的气孔（B）与气孔（A）系以等间距作配置。

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