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81. 发明申请

US20170009312A1 STAINLESS STEEL FOIL AND METHOD OF PRODUCTION OF SAME 审中-公开
标题翻译：不锈钢箔及其生产方法
公开(公告)号：US20170009312A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：US15119194
申请日：2015-02-16
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： Hiroto UNNO , Shinichi TERASHIMA , Toru INAGUMA , Koichi NOSE , Naoki FUJIMOTO , Naoya SAWAKI , Shuji NAGASAKI
IPC分类号： C21D9/00 , C21D1/74 , C21D8/00 , B32B15/18 , H01M2/02
CPC分类号： C21D9/0068 , B32B15/18 , B32B2457/10 , C21D1/74 , C21D6/002 , C21D8/005 , C21D8/0236 , C21D8/0257 , C21D8/0273 , C21D9/46 , C21D2211/001 , C21D2211/005 , C22C38/40 , H01M2/0285
摘要： The present invention has as its object to provide thickness 60 μm or less ultra-thin stainless steel foil which secures high thickness precision and simultaneously secures plastic deformability and good elongation at break, that is, secures good press-formability (deep drawability). The present invention solves this problem by ultra-thin stainless steel foil which has three or more crystal grains in a thickness direction, has a recrystallization rate of 90% to 100%, and has a nitrogen concentration of a surface layer of 1.0 mass % or less. For this reason, there is provided a method of production of stainless steel foil comprising rolling stainless steel sheet, then performing final annealing and making a thickness 5 μm to 60 μm, wherein a rolling reduction ratio at rolling right before final annealing is 30% or more, a temperature of final annealing after rolling is 950° C. to 1050° C. in the case of austenitic stainless steel and 850° C. to 950° C. in the case of ferritic stainless steel, and a nitrogen content in atmospheric gas in final annealing is 0.1 vol % or less, whereby ultra-thin stainless steel foil can be produced.
摘要翻译：本发明的目的是提供厚度为60μm或更小的超薄不锈钢箔，其确保了高厚度精度并同时确保了塑性变形性和良好的断裂伸长率，即确保了良好的冲压成形性（深冲性）。本发明通过在厚度方向上具有三个或更多个晶粒的超薄不锈钢箔来解决这个问题，其重结晶率为90％至100％，表层的氮浓度为1.0质量％，或减。因此，提供了一种生产不锈钢箔的方法，其包括轧制不锈钢板，然后进行最终退火并制成厚度为5μm至60μm，其中在最终退火之前轧制右侧的轧制压下率为30％或在奥氏体不锈钢的情况下，在铁素体不锈钢的情况下，轧制后的最终退火温度为950℃至1050℃，在铁素体不锈钢的情况下为850℃至950℃，大气中的氮含量最终退火中的气体为0.1体积％以下，由此可以制造超薄不锈钢箔。

82. 发明申请

US20160269513A1 SHELL COMPONENT FOR ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SHELL COMPONENT 审中-公开
标题翻译：用于电子设备的壳体组件，电子设备及其制造壳体组件的方法
公开(公告)号：US20160269513A1
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：US15078777
申请日：2016-03-23
申请人： Huawei Technologies Co., Ltd. , Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd.
发明人： Ueno HIROKI , Onda YUICHI , Shinkichi MURAKAMI
IPC分类号： H04M1/02 , D03D1/00 , H04B1/3827
CPC分类号： H04M1/0249 , D03D1/0088 , H04B1/3833 , H04B1/3888 , H04M1/0202
摘要： The present disclosure provides a shell component for an electronic device, an electronic device and a method for manufacturing the shell component. The shell component includes a first portion made of non-conductive fibers, wherein the first portion is positioned near to a location of an antenna of the electronic device when assembled; and a second portion made of fibers which are at least partially different from the non-conductive fibers of the first portion. When the shell component provided by embodiments of the present disclosure is assembled to an electronic device, the first portion does not block the radio frequency signals because it is made of non-conductive material woven of non-conductive fibers, thereby preventing radio frequency performance being affected.
摘要翻译：本公开提供了一种用于电子设备的壳体部件，电子设备和用于制造壳体部件的方法。外壳部件包括由非导电纤维制成的第一部分，其中当组装时第一部分位于电子设备的天线的位置附近; 以及由与第一部分的非导电纤维至少部分不同的纤维制成的第二部分。当由本发明的实施例提供的壳体组件组装到电子设备时，第一部分不阻挡射频信号，因为它由非导电纤维编织的非导电材料制成，从而防止射频性能受影响

83. 发明申请

US20160231256A1 METHOD FOR EVALUATING INTERNAL STRESS OF SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND METHOD FOR PREDICTING WARPAGE IN SILICONE CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER 审中-公开
标题翻译：用于评估硅碳单晶波的内部应力的方法和用于预测在硅酮单晶波中的波纹的方法
公开(公告)号：US20160231256A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：US15023254
申请日：2014-05-30
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： Kiyoshi Kojima , Masashi Nakabayashi , Kota Shimomura , Yukio Nagahata
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/65 , G01L1/24 , C30B23/00 , C30B29/36
CPC分类号： G01N21/9505 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B33/00 , G01L1/24 , G01N21/65 , G01N2201/06113 , H01L22/12
摘要： Provided are a method of evaluating an internal stress of a silicon carbide (SiC) single crystal wafer and a method of predicting warpage of the SiC single crystal wafer after completion of polishing by evaluating the internal stress of the wafer. Wavenumber shift amounts of Raman-scattered light are measured at two points within a surface of the SiC single crystal wafer, and the internal stress is evaluated through use of a difference between the wavenumber shift amounts. Also provided is a method of predicting warpage of a silicon carbide single crystal wafer in advance, the silicon carbide single crystal wafer being produced by sublimation-recrystallization method, the method including predicting warpage of a SiC single crystal wafer through use of the evaluation indicator.
摘要翻译：提供了评价碳化硅（SiC）单晶晶片的内部应力的方法以及通过评估晶片的内部应力来预测抛光结束后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片的表面内的两个点处测量拉曼散射光的波数偏移量，并且通过使用波数偏移量之间的差来评估内部应力。还提供了预先通过升华重结晶法制造碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，该方法包括通过使用评估指示器预测SiC单晶晶片的翘曲。

84. 发明申请

US20160104687A1 BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USE AND METHOD OF PRODUCTION OF SAME 有权
标题翻译：用于半导体器件使用的接合线及其制造方法
公开(公告)号：US20160104687A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：US14893789
申请日：2015-03-31
申请人： NIPPON MICROMETAL CORPORATION , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO. LTD.
发明人： Takashi YAMADA , Daizo ODA , Ryo OISHI , Teruo HAIBARA , Tomohiro UNO
IPC分类号： H01L23/00 , C22C5/06 , C22C5/08 , B21C1/00 , C22F1/14
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45012 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/01201 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/12044 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
摘要： Bonding wire for semiconductor device use where both leaning failures and spring failures are suppressed by (1) in a cross-section containing the wire center and parallel to the wire longitudinal direction (wire center cross-section), there are no crystal grains with a ratio a/b of a long axis “a” and a short axis “b” of 10 or more and with an area of 15 μm2 or more (“fiber texture”), (2) when measuring a crystal direction in the wire longitudinal direction in the wire center cross-section, the ratio of crystal direction with an angle difference with respect to the wire longitudinal direction of 15° or less is, by area ratio, 10% to less than 50%, and (3) when measuring a crystal direction in the wire longitudinal direction at the wire surface, the ratio of crystal direction with an angle difference with respect to the wire longitudinal direction of 15° or less is, by area ratio, 70% or more. During the drawing step, a drawing operation with a rate of reduction of area of 15.5% or more is performed at least once. The final heat treatment temperature and the pre-final heat treatment temperature are made predetermined ranges.
摘要翻译：用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）当测定线材纵向的晶体方向线中心横截面的方向，晶体方向<100>相对于导线纵向方向的角度差为15°以下的面积比为10％以上且小于50％，（3 ）当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>与线长度方向的角度差为15°以下的面积比为70％以上。在拉伸步骤中，至少进行一次具有15.5％以上的面积减小率的拉拔操作。将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

85. 发明专利

SG11201808515XA SPHERICAL EUCRYPTITE PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME 未知
公开(公告)号：SG11201808515XA
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：SG11201808515X
申请日：2017-03-21
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO LTD
发明人： SATO YUTAKA , YAGI KATSUMASA , TANAKA MUTSUHITO , AE MASANORI , TOKUDA SHOZO , MATSUMOTO TADASHI
IPC分类号： C03C10/12 , C03B19/06
摘要： SPHERICAL EUCRYPTITE PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME FIELD The present invention addresses the problem of providing: spherical eucryptite particles which have higher circularity than in the prior art, have a large negative thermal expansion and a high thermal conductivity, have high flowability, dispersibility, and filling capability, and are 5 also applicable in the field of semiconductors; and a method for producing the spherical eucryptite particles. As a means for solving the problem, the present invention provides: the method for producing the spherical eucryptite particles characterized by heat treating, at 600 to 1100 C, spherical particles which have been thermally sprayed with a feedstock powder that includes 45 to 55 mol% of SiO2, 20 to 30 mol% of Al2O3, and 20 to 30 mol% of Li2O, and 10 obtaining spherical particles that include 89% or more of a eucryptite crystalline phase; and the spherical eucryptite particles obtained by this method.

86. 发明专利

TW201841834A 球狀結晶性二氧化矽粒子及其製造方法审中-公开
简体标题：球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW201841834A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111644
申请日：2018-04-02
申请人：日商新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人：佐藤裕 , SATO, YUTAKA , 矢木克昌 , YAGI, KATSUMASA , 田中睦人 , TANAKA, MUTSUHITO , 德田尚三 , TOKUDA, SHOZO , 阿江正德 , AE, MASANORI
IPC分类号： C01B33/12 , C08K7/18 , H01L23/29
摘要：本發明提供一種球狀結晶性二氧化矽粒子及其製造方法，該球狀結晶性二氧化矽粒子具有比習知更高的生產性，且製造成本低、並含有大量高導熱係數之石英，具有高流動性、高分散性、高填充性、低磨耗性，並且亦可適用於半導體領域。該球狀結晶性二氧化矽粒子之特徵在於，其結晶相佔全體90質量%以上，而石英結晶佔全體70質量%以上。又，以氧化物換算計，其相對於全體粒子可含有0.4~5質量%之至少1種鹼金屬。復又，以氧化物換算計，其相對於全體粒子可含有1~5質量%之至少1種鹼土類金屬。
简体摘要：本发明提供一种球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法，该球状结晶性二氧化硅粒子具有比习知更高的生产性，且制造成本低、并含有大量高导热系数之石英，具有高流动性、高分散性、高填充性、低磨耗性，并且亦可适用于半导体领域。该球状结晶性二氧化硅粒子之特征在于，其结晶相占全体90质量%以上，而石英结晶占全体70质量%以上。又，以氧化物换算计，其相对于全体粒子可含有0.4~5质量%之至少1种碱金属。复又，以氧化物换算计，其相对于全体粒子可含有1~5质量%之至少1种碱土类金属。

87. 发明专利

TW201840860A 半導體裝置用接合線审中-公开
简体标题：半导体设备用接合线
公开(公告)号：TW201840860A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105956
申请日：2018-02-22
申请人：日商新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. , 日商日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION
发明人：小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 江藤基稀 , ETO, MOTOKI
IPC分类号： C22C9/00 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01L21/60
摘要：本發明藉由提高球形接合部之Cu-Al IMC之形成率，而提供一種適於最尖端之高密度LSI、車載LSI之半導體裝置用接合線。其特徵在於：其含有0.1質量%以上且1.3質量%以下之Pt，且含有總計為0.05質量%以上且1.25質量%以下之選自In、Ga、Ge之第1添加元素群中之至少1種，剩餘部分包含Cu及不可避免之雜質。
简体摘要：本发明借由提高球形接合部之Cu-Al IMC之形成率，而提供一种适于最尖端之高密度LSI、车载LSI之半导体设备用接合线。其特征在于：其含有0.1质量%以上且1.3质量%以下之Pt，且含有总计为0.05质量%以上且1.25质量%以下之选自In、Ga、Ge之第1添加元素群中之至少1种，剩余部分包含Cu及不可避免之杂质。

88. 发明专利

TW201821625A 半導體裝置用接合線审中-公开
简体标题：半导体设备用接合线
公开(公告)号：TW201821625A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW107104291
申请日：2016-05-26
申请人：日商日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 日商新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人：山田隆 , YAMADA,TAKASHI , 小田大造 , ODA,DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA,TERUO , 大石良 , OISHI,RYO , 齋藤和之 , SAITO,KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO,TOMOHIRO
IPC分类号： C22C9/00 , H01L21/60
摘要：本發明之半導體裝置用接合線具有Cu合金芯材、及形成於其表面之Pd被覆層，可同時實現高溫下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(＝最大耐力/0.2%耐力)：1.1～1.6。藉由使導線中包含賦予高溫環境下之連接可靠性之元素而提高高溫下之球接合部之接合可靠性，進而，藉由於對接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中相對於導線長度方向之角度差為15度以下之結晶方位＜100＞之方位比率設為30%以上，且將接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9～1.5 μm，而將耐力比設為1.6以下。
简体摘要：本发明之半导体设备用接合线具有Cu合金芯材、及形成于其表面之Pd被覆层，可同时实现高温下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(＝最大耐力/0.2%耐力)：1.1～1.6。借由使导线中包含赋予高温环境下之连接可靠性之元素而提高高温下之球接合部之接合可靠性，进而，借由于对接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中相对于导线长度方向之角度差为15度以下之结晶方位＜100＞之方位比率设为30%以上，且将接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9～1.5 μm，而将耐力比设为1.6以下。

90. 发明专利

TWI594482B 蓄電裝置容器用鋼箔、蓄電裝置用容器及蓄電裝置有权
简体标题：蓄电设备容器用钢箔、蓄电设备用容器及蓄电设备
公开(公告)号：TWI594482B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105111061
申请日：2016-04-08
申请人：新日鐵住金股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人：茨木雅晴 , MASAHARU, IBARAGI , 能勢幸一 , NOSE, KOICHI , 後藤靖人 , GOTO, YASUTO , 門脇伸生 , KADOWAKI, NOBUO , 海野裕人 , UNNO, HIROTO
IPC分类号： H01M2/02 , H01G11/78
CPC分类号： H01M2/0287 , H01G9/035 , H01G9/08 , H01G9/145 , H01G11/78 , H01M2/02 , H01M10/0525 , H01M2300/0017

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