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81. 发明授权

KR101436218B1 하전 입자선 장치 및 화상 표시 방법 有权
标题翻译：充电颗粒光束装置和图像显示方法
公开(公告)号：KR101436218B1
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020127001764
申请日：2010-07-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 히라또,다쯔야 , 고무로,히로유끼 , 가와마따,시게루
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/28 , A61B6/022 , G02B27/2207 , G02B27/2214 , H01J37/1478 , H01J37/153 , H01J2237/2611
摘要： 본 발명은 하전 입자원과, 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선(3)을 집속하는 대물 렌즈(2)와, 1차 하전 입자선(3)을 시료 상에 주사하는 주사 편향기(11)와, 1차 하전 입자선의 주사에 의해 시료로부터 발생하는 신호 입자를 검출하는 검출기와, 검출기의 신호 입자를 사용하여 시료상을 취득하는 하전 입자선 장치에 있어서, 1차 하전 입자선의 시료에의 조사각을 편향시키는 편향기(10)와, 편향기에 전류를 흘리는 독립적인 제1 및 제2 전원(24, 36)을 구비하고, 1차 하전 입자선의 주사의 1 라인 단위 또는 1 프레임 단위로 2개의 전원으로부터 인가하는 전압을 전환하는 스위치(34)를 구비하는 것을 특징으로 한다.

82. 发明公开

KR1020140101671A 플라즈마 처리 장치의 제어 방법 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体加工设备的控制方法
公开(公告)号：KR1020140101671A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020140013325
申请日：2014-02-05
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 모리마사히토 , 히라타아키라 , 야마모토고이치 , 아라세다카오
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32926 , H01J37/3299
摘要： Provided is a method of controlling a plasma processing apparatus which does not have the occasion for a previous resonance point inspection while maintaining low pollution and high uniformity in a multi-step etching process. In a method of controlling a plasma processing apparatus which includes a process of controlling a high frequency bias current which flows through an opposite antenna electrode; the present invention includes: a step (S2) of setting the initial value of the reactance of a variable element; a step (S4) of detecting a bias current which flows through an opposite antenna electrode; a step (S5, S6) of fining out the maximum value of a detected current, and a step (S7, S8) of fixing the reactance value of the variable element after moving the reactance value of the variable element from the maximum value to a set value.
摘要翻译：提供了一种控制等离子体处理装置的方法，该等离子体处理装置在多步蚀刻工艺中保持低污染和高均匀性的同时不具有先前的共振点检查的场合。一种等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，包括控制流经相对天线电极的高频偏置电流的处理，本发明包括：设置可变元件的电抗的初始值的步骤（S2）; 检测流经相对天线电极的偏置电流的步骤（S4）; 对检测电流的最大值进行精细化的步骤（S5，S6），以及将可变元件的电抗值从最大值移动到a的步骤（S7，S8），固定可变元件的电抗值设定值。

83. 发明公开

KR1020140097484A ＧＵＩ, 분류 장치, 분류 방법 및 기록 매체 审中-实审
标题翻译： GUI，分类设备，分类方法，程序和存储分类程序的存储介质
公开(公告)号：KR1020140097484A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020147017756
申请日：2012-11-26
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 미네까와,요헤이 , 다까기,유지 , 하라다,미노루 , 히라이,다께히로 , 나까가끼,료
IPC分类号： G01N23/225 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC分类号： G06F3/04842 , G02B21/365 , G06F9/451 , G06T7/0004 , H01J37/265 , H01J2237/2817 , G01N23/225 , G01N21/956
摘要： 클래스 정보가 부여되어 있지 않은 화상의 집합인 폴더를 계층적으로 표시하는 미부여 페인 영역과, 상기 미부여 페인 영역에 표시된 클래스 정보가 부여되어 있지 않은 화상을 표시하는 화상 페인 영역과, 클래스 정보가 부여되어 있는 화상을 표시하는 클래스 페인 영역을 구비하고, 상기 클래스 정보가 부여되어 있지 않은 화상에 대하여 외부로부터 클래스 정보가 입력되면, 그 입력된 클래스 정보가 표시되는 GUI이다.
摘要翻译：提供了一种GUI，包括：分层显示是不添加类信息的图像集合的文件夹的未附加的窗格区域; 显示未附加窗格区域中显示的图像的图像窗格区域，显示的图像没有被添加到其中; 以及显示具有添加了分类的图像的类窗格区域，其中通过外部输入添加了类别信息的一个图像的类信息，显示输入类信息。

84. 发明授权

KR101425307B1 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR101425307B1
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020130007790
申请日：2013-01-24
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가나자와슌스께 , 야스이나오끼 , 모리모또미찌까즈 , 오고시야스오
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32311 , C23F4/00 , H01J37/32146 , H01J37/32155 , H01J37/32165 , H01J37/32302 , H01L21/32137
摘要： 본 발명은, 애프터 글로우 방전을 이용하여 플라즈마의 밀도 저하를 억제할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은, 시료를 플라즈마 처리하는 처리실과, 플라즈마 생성용의 제1 고주파 전력을 상기 처리실 내에 공급하는 제1 고주파 전원과, 상기 시료를 재치하는 시료대에 제2 고주파 전력을 공급하는 제2 고주파 전원과, 상기 제1 고주파 전력을 시간 변조시키는 제1 펄스와 상기 제2 고주파 전력을 시간 변조시키는 제2 펄스를 발생시키는 펄스 발생 장치를 구비하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 펄스 발생 장치는, 상기 제1 펄스의 주파수를 상기 제2 펄스의 주파수보다 높게 함과 함께 상기 제2 펄스의 온 기간이 상기 제1 펄스의 온 기간 내에 포함되도록 상기 제1 펄스와 상기 제2 펄스를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

85. 外观设计

KR3007540400001S 有权
公开(公告)号：KR3007540400001S
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR3020120038339
申请日：2012-08-08
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
设计人： 마토바 코스케 , 오오누마 미츠루 , 토미오카 마사루 , 모리 키요토시 , 오와다 아키라 , 사토 요코 , 노다 히로유키

86. 外观设计

KR3007540400000S 有权
公开(公告)号：KR3007540400000S
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR3020120038337
申请日：2012-08-08
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
设计人： 마토바 코스케 , 오오누마 미츠루 , 토미오카 마사루 , 모리 키요토시 , 오와다 아키라 , 사토 요코 , 노다 히로유키

87. 发明公开

KR1020140093622A 증착 장치 및 이것에 이용하는 증발원 无效
标题翻译：用于沉积装置的沉积装置和蒸发源
公开(公告)号：KR1020140093622A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：KR1020140005214
申请日：2014-01-15
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 구스노끼도시아끼 , 야마모또겐이찌 , 다마꼬시다께시 , 미야께다쯔야 , 마쯔우라히로야스 , 야자끼아끼오 , 오가따도모히꼬 , 마쯔자끼에이지
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/14 , C23C14/246 , C23C14/26 , H01L51/56
摘要： Provided are a deposition device capable of performing stable deposition for a long time and an evaporation source capable of stably receiving a large amount of Al as a deposition material. The deposition device according to the present invention comprises a deposition source (30) for depositing a substrate and a process chamber in which the evaporation source (30) is stored and to which the substrate is transferred. The evaporation source (30) has a crucible (10). The crucible (10) comprises a material receiving part (11) to which solid Al materials (2) are supplied; a melting part (12) installed close to the material receiving part (11) and heating and melting the Al materials (2) supplied from the material receiving part (11) to make molten liquid (1); and an evaporation part (13) installed close to the melting part (12) and heating the molten liquid (1) supplied from the melting part (12) to generate steam.
摘要翻译：提供能够长期稳定沉积的沉积装置和能够稳定地接收大量作为沉积材料的Al的蒸发源。根据本发明的沉积装置包括用于沉积衬底的沉积源（30）和其中存储蒸发源（30）并且衬底被转移到其上的处理室。蒸发源（30）具有坩埚（10）。坩埚（10）包括供给固体Al材料（2）的材料接收部分（11）熔融部分（12），安装在所述材料接受部分（11）附近并加热和熔化从所述材料接收部分（11）供应的Al材料（2）以制备熔融液体（1）; 和安装在熔化部分（12）附近并加热从熔化部分（12）供应的熔融液体（1）产生蒸汽的蒸发部分（13）。

88. 发明授权

KR101422403B1 처리실 할당 설정 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：用于设置加工室分配和记录介质的设备
公开(公告)号：KR101422403B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020130039150
申请日：2013-04-10
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 나까다데루오 , 노기게이따 , 이노우에사또미
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： G05B15/02 , G05B19/41865 , G05B2219/32328 , G05B2219/45031 , Y02P90/083 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/26 , Y02P90/265 , Y02P90/28
摘要： 처리실이 연결되어 있는 반송 기구부에, 복수의 반송 로봇이 배치되고, 복수의 반송 로봇간에서 피처리체의 전달이 행해지는 선형 툴의 반도체 처리 장치에서, 복수 종류의 웨이퍼에 대하여 병행하여 처리를 실시하는 경우에, 생산성이 높은 각 처리실에의 웨이퍼 종류의 할당을 신속 또한 간편하게 선택할 수 있는 방법을 제공한다. 선형 툴의 반도체 처리 장치의 처리실 배치와 입력된 처리 대상의 웨이퍼 종류의 정보로부터, 처리실 할당의 후보를 망라적으로 생성하고, 각 처리실 할당 후보에 대하여 모든 처리 대상을 제조하는 시뮬레이션을 실행하여 생산성을 산출하고, 생산성이 높은 순으로 후보를 표시하여, 유저의 채용을 지원한다.
摘要翻译：提供了一种方法，其可以在半导体处理装置中快速简单地选择对具有较高生产率的处理室的类型的分配，其中多个输送机器人设置在处理室连接到的输送机构中并且当在多个类型的晶片上并行执行处理时，在多个输送机器人之间传送被处理物体。根据关于半导体处理装置的处理室的布置的信息和要处理的晶片的输入类型，综合地生成处理室分配候选，并且执行为处理室分配候选中的每一个生成所有处理目标的模拟计算生产率，候选人按照更高的生产率显示顺序，以支持用户的采用。

89. 发明公开

KR1020140071407A 검사 또는 관찰 장치 및 시료의 검사 또는 관찰 방법 有权
标题翻译：检查或观察设备和样本检查或观察方法
公开(公告)号：KR1020140071407A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020147008793
申请日：2012-09-03
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 오미나미유스께 , 고노미마미 , 이또스께히로 , 오따끼도모히사 , 가와니시신스께
IPC分类号： H01J37/18 , H01J37/16 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/18 , H01J37/16 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/226 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/166 , H01J2237/182 , H01J2237/2007 , H01J2237/204 , H01J2237/2602 , H01J2237/2608 , H01J37/147
摘要： 사용하기 편리하고 시료를 하전 입자 기술 및 광학 기술에 의해 적확하게 검사 또는 관찰하는 것이 가능한 검사 장치, 관찰 장치가 제공된다. 하전 입자 조사부로부터 방출된 1차 하전 입자선이 시료에 도달하는 사이(gap)의 적어도 일부의 영역으로 되는 진공 상태로 유지 가능한 제1 공간(11)의 적어도 일부를 형성하는 제1 하우징(7)과, 상기 제1 하우징(7)에 구비되고 상기 시료를 저장 가능한 제2 공간(12)의 적어도 일부를 형성하는 제2 하우징(121)과, 상기 하전 입자 조사부로부터 조사된 1차 하전 입자선이 시료 상에 조사될 때의 상기 하전 입자 조사부의 동축 상에 배치되고, 상기 제1 공간과 상기 제2 공간을 이격하는 격벽부(10)와, 상기 시료에 대해 광을 조사하고, 상기 하전 입자 조사부와 같은 방향에서 상기 시료로부터의 광을 검출하는 광학식 관찰부를 구비하는 검사 또는 관찰 장치가 제공된다.

90. 发明公开

KR1020140070505A 플라즈마 에칭 방법 有权
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：KR1020140070505A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020140034402
申请日：2014-03-25
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 우네사토시 , 이시무라히로아키 , 마츠다고헤이
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： The present invention, in a plasma etching method for plasma etching using an EUV exposed resist, provides a plasma etching method which can prevent the non-uniformity of process dimension. The present invention, in a plasma etching method for plasma-etching an object by using as a mask a multilayer resist which has an EUV exposed resist, an anti-reflection layer, an inorganic layer, and an organic layer, includes a first process which deposits a deposition layer on the surface of the resist before the anti-reflection layer is etched, a second process which etches the anti-reflection layer and the deposition layer deposited on the anti-reflection layer by using a mixture gas of Cl2 gas, HBr gas, and N2 gas after the first process, a third process which etches the inorganic layer after the second process, and a forth process which etches the organic layer after the third process.
摘要翻译：本发明在使用EUV曝光抗蚀剂的等离子体蚀刻等离子体蚀刻方法中，提供了能够防止工艺尺寸不均匀的等离子体蚀刻方法。本发明在等离子体蚀刻方法中，通过使用具有EUV曝光抗蚀剂，抗反射层，无机层和有机层的多层抗蚀剂作为掩模等离子体蚀刻物体，包括第一工艺，其中在抗反射层被蚀刻之前，在抗蚀剂的表面上沉积沉积层，通过使用Cl 2气体，HBr的混合气体蚀刻沉积在抗反射层上的抗反射层和沉积层的第二工艺气体和N 2气体，在第二工序之后蚀刻无机层的第三工序，以及在第三工序之后刻蚀有机层的第四工序。

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