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1. 发明公开

KR1020140070505A 플라즈마 에칭 방법 有权
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：KR1020140070505A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020140034402
申请日：2014-03-25
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 우네사토시 , 이시무라히로아키 , 마츠다고헤이
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： The present invention, in a plasma etching method for plasma etching using an EUV exposed resist, provides a plasma etching method which can prevent the non-uniformity of process dimension. The present invention, in a plasma etching method for plasma-etching an object by using as a mask a multilayer resist which has an EUV exposed resist, an anti-reflection layer, an inorganic layer, and an organic layer, includes a first process which deposits a deposition layer on the surface of the resist before the anti-reflection layer is etched, a second process which etches the anti-reflection layer and the deposition layer deposited on the anti-reflection layer by using a mixture gas of Cl2 gas, HBr gas, and N2 gas after the first process, a third process which etches the inorganic layer after the second process, and a forth process which etches the organic layer after the third process.
摘要翻译：本发明在使用EUV曝光抗蚀剂的等离子体蚀刻等离子体蚀刻方法中，提供了能够防止工艺尺寸不均匀的等离子体蚀刻方法。本发明在等离子体蚀刻方法中，通过使用具有EUV曝光抗蚀剂，抗反射层，无机层和有机层的多层抗蚀剂作为掩模等离子体蚀刻物体，包括第一工艺，其中在抗反射层被蚀刻之前，在抗蚀剂的表面上沉积沉积层，通过使用Cl 2气体，HBr的混合气体蚀刻沉积在抗反射层上的抗反射层和沉积层的第二工艺气体和N 2气体，在第二工序之后蚀刻无机层的第三工序，以及在第三工序之后刻蚀有机层的第四工序。

2. 发明授权

KR101465107B1 플라즈마 에칭 방법 有权
标题翻译：等离子刻蚀法
公开(公告)号：KR101465107B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020140034402
申请日：2014-03-25
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 우네사토시 , 이시무라히로아키 , 마츠다고헤이
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： 본 발명은, EUV 노광된 레지스트를 사용하여 플라즈마 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 가공 치수의 불균일을 억제할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다.
본 발명은, EUV 노광된 레지스트와 반사 방지막과 무기막과 유기막을 가지는 다층 레지스트를 마스크로 하여 피에칭재를 플라즈마 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 상기 반사 방지막을 에칭하기 전에 상기 레지스트의 표면에 퇴적막을 퇴적시키는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후에 Cl
2 가스와 HBr 가스와 N
2 가스의 혼합 가스를 사용하여 상기 반사 방지막 위에 퇴적한 퇴적막과 상기 반사 방지막을 에칭하는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에 상기 무기막을 에칭하는 제3 공정과, 상기 제3 공정 후에 상기 유기막을 에칭하는 제4 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够抑制使用EUV曝光抗蚀剂进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法中的处理尺寸的不均匀性。

3. 发明授权

KR101405239B1 플라즈마 에칭 방법 有权
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：KR101405239B1
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020130012775
申请日：2013-02-05
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 우네사토시 , 이시무라히로아키 , 마츠다고헤이
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： The present invention, in a plasma etching method of etching plasma using an EUV-exposed resist, provides a plasma etching method which can prevent the non-uniformity of a process size. The present invention, in a plasma etching method of plasma-etching an etching object using a multi-layered resist which has the EUV-exposed resist, an anti-reflection layer, an inorganic layer, and an organic layer as a mask, includes a first process of depositing a deposition layer on the surface of the resist before the anti-reflection layer is etched, a second process of etching the anti-reflection layer and the deposition layer deposited on the anti-reflection layer using Cl2 gas and moisture gas of HBr gas and N2 after the first process, a third process of etching the inorganic layer after the second process, and a forth process of etching the organic layer after the third process.
摘要翻译：本发明在使用EUV曝光抗蚀剂蚀刻等离子体的等离子体蚀刻方法中，提供了可以防止工艺尺寸不均匀的等离子体蚀刻方法。本发明的等离子蚀刻方法中，使用具有EUV曝光抗蚀剂，抗反射层，无机层和有机层作为掩模的多层抗蚀剂等离子体蚀刻蚀刻对象，在防反射层被蚀刻之前，在抗蚀剂表面上沉积沉积层的第一工艺，使用Cl 2气体和湿气气蚀刻抗蚀层和沉积在抗反射层上的沉积层的第二工艺第一工序后的HBr气体和N2，在第二工序之后蚀刻无机层的第三工序，以及在第三工序之后刻蚀有机层的第四工序。

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